【課題】キャリア捕獲中心の少ないＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１１と、ｎ型またはｐ型の少なくとも１つのＳｉＣエピタキシャル層１２、あるいはｎ型またはｐ型の少なくとも１つのイオン注入層１４と、を有し、ｐｎ接合界面付近および伝導度変調層（ベース層）内を除いた、ＳｉＣ基板表面付近、ＳｉＣ基板とＳｉＣエピタキシャル層との界面付近、およびＳｉＣエピタキシャル層の表面付近のうち少なくとも１つの領域１００に、炭素注入層、珪素注入層、水素注入層、またはヘリウム注入層を有し、かつ、炭素原子、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入することで導入した格子間炭素原子をアニーリングにより伝導度変調層内へ拡散させるとともに格子間炭素原子と点欠陥とを結合させることで、電気的に活性な点欠陥が低減された領域を伝導度変調層内に有するＳｉＣバイポーラ型半導体素子。 （もっと読む）

【課題】時間平均化ライン像を形成するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】強度不均一性の第１量を有するライン像を形成する工程を有している。また、第１量よりも小さい、強度不均一性の第２量を有する時間平均化修正ライン像を形成するために、ライン像に少なくとも部分的に重なる二次像を形成、走査する工程を有している。ウエハの放射率は、二次像の強度を制御するために、リアルタイムで測定される。温度もまた、ウエハの放射率及び二次像の反射性に基づいて、リアルタイムで測定されるとともに、二次像の強度の制御に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現するＧａＮ発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層６０を挟むｎ型ＧａＮ層４０とｐ型ＧａＮ層５０とを有するＧａＮ多層構造３０を形成する工程を備える。また、レーザーあるいはフラッシュランプを用いてｐ型ＧａＮ層５０への１０秒あるいはそれよりも短い時間の高速熱アニールを実行する工程を備える。さらに、ＧａＮ多層構造３０上に透明導電層７０を形成する工程と、透明導電層７０にｐ型コンタクト９０ｐを追加するとともにｎ型ＧａＮ層４０にｎ型コンタクト９０ｎを追加する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタに用いることが可能な、低抵抗領域を有する酸化物半導体膜を提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを生産性高く提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する高性能の半導体装置を生産性高く提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を成膜し、次に酸化物半導体膜から還元性を有する膜へ酸素の一部を移動させ、次に還元性を有する膜を介して酸化物半導体膜に不純物を注入した後、還元性を有する膜を除去することで、酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子特性の低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１と、シリコン基板１１の表面に形成された炭化シリコン膜１２と、炭化シリコン膜１２の表面に形成された、開口部１３ｈを有するマスク材１３と、開口部１３ｈにおいて露出した炭化シリコン膜１２を基点としてエピタキシャル成長された、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４と、単結晶炭化シリコン膜１４の表面に形成された半導体素子２０と、を含み、マスク材１３の上には、単結晶炭化シリコン膜１４が会合して形成された会合部１２Ｓｂが存在しており、半導体素子２０はボディコンタクト領域２１を有しており、ボディコンタクト領域２１は、シリコン基板１１の表面と直交する方向から見て会合部１２Ｓｂと重なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を製造することはできないから、高抵抗の拡散抵抗は実現できなかった。
【解決手段】一組の薄膜構造体の対向する間隔に、サイドウォール形成用の絶縁膜を形成する際に生じる空隙を利用して露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を形成する。薄膜構造体を配線抵抗として利用すれば、これらを接続して設けることにより温度特性に優れる抵抗素子を構成することもできる。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に適用可能なプロセスウィンドウの広いプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】リン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種を含むガスのプラズマを生成して該プラズマ中のリン、ヒ素及びアンチモンの少なくとも１種のラジカル２１を処理対象物１３たるシリコン基板の表面に堆積させる第１工程と、第１工程で処理対象物１３表面に堆積されたラジカル２１にヘリウムイオン２２を照射する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の深さを調整するための膜を介して炭化珪素基板中に不純物イオンを注入することができ、かつ、炭化珪素基板上での剥離の発生を抑えることができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面ＳＯを有する炭化珪素基板９０が準備される。炭化珪素基板９０の表面ＳＯ上に直接、第１の材料から作られた被覆膜５０が形成される。被覆膜５０上に、第２の材料から作られたマスク層３１が形成される。第２の材料に比して第１の材料は炭化珪素との密着性が高い。マスク層３１に第１の開口部Ｐ１が形成される。マスク層３１の第１の開口部Ｐ１を通りかつ被覆膜５０を透過するイオンビームＪ１により、炭化珪素基板９０中に第１の導電型を付与するための第１の不純物イオンが注入される。 （もっと読む）

【課題】薄膜が機械的に損傷することを回避できる、シリコン薄膜に等電子中心を導入するための方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上のシリコン薄膜に等電子中心を導入する方法であって、室温において、不純物原子イオンを高電圧で加速させシリコン薄膜に照射し、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中において不純物原子イオンを照射したシリコン薄膜をアニールし、ラピッドサーマルアニール法によって窒素雰囲気中においてシリコン薄膜を急冷することを特徴とする。 （もっと読む）