【課題】シリコン基板の主表面にｐ型不純物イオンを注入した後にその主表面にシリコンエピタキシャル成長層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、エピタキシャル成長層に結晶欠陥が発生することを防止する。
【解決手段】（ａ）シリコン基板１の主表面１ａ上にｐ型埋め込み層形成予定位置に開口をもつフォトレジスト３が形成される。ｐ型埋め込み層形成予定位置において、シリコン基板１の主表面１ａは露出している。（ｂ）イオン注入法により、シリコンよりも質量数が大きいＢＦ₂イオンがシリコン基板１に注入される。（ｃ）フォトレジスト３が除去される。注入領域５のＢＦ₂イオンが熱拡散されて、ボロン拡散層７が形成される。（ｄ）シリコン基板１の主表面１ａに形成された自然酸化膜がフッ酸溶液などで除去される。シリコン基板１の主表面１ａにシリコンエピタキシャル成長層９が形成されて、ｐ型埋め込み層１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ２μｍ以上の深い領域の活性化を行うことができるが、活性化率をより高める技術が望まれている。
【解決手段】 不純物が注入されたシリコン基板の表面に、波長６９０ｎｍ〜９５０ｎｍ、パルス幅５μｓ〜３０μｓ、パルスの繰り返し周波数０．５ｋＨｚ〜３．０ｋＨｚのパルスレーザビームを入射させながら、シリコン基板の表面上で、パルスレーザビームのビーム断面を重複率５０％〜８０％で移動させ、前記シリコン基板の表面が溶融しないパワー密度の条件で活性化アニールを行う半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に関し、より詳しくは、イオンビームを基板に照射して、基板にイオンを照射する基板処理を行う基板処理装置、それを有する基板処理システムに関する。
【解決手段】基板処理装置が、一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路の設けられた工程チャンバーと、前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する、一つ以上のイオンビーム照射部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの製造に使用されるイオン注入装置の真空室やビームラインの構成部品からの残留物を洗浄する。
【解決手段】残留物を有効に除去するため、構成部品は、残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間の間かつ十分な条件下で、気相反応性のハロゲン化物組成物と接触させられる。気相反応性のハロゲン化物組成物は、残留物と選択的に反応し、一方で、真空室のイオン源領域の構成部品と反応しないように選択される。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるＳＯＩウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２未満として行うＳＯＩウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成した後、マイクロ波アニールを実施する。このマイクロ波アニールによれば、シリコン結晶に共鳴吸収される周波数（５．８ＧＨｚ）のマイクロ波を使用することにより、シリコン結晶の格子振動を直接誘起するため、例えば、４００℃以下という低温においても、半導体基板の内部に形成されている結晶欠陥を回復させることができる。 （もっと読む）

【課題】部材の位置合わせに係る工程数を減少させ、位置合わせに要する時間を短縮し、半導体製造装置の生産性を向上させる。
【解決手段】基板保持部材１は、半導体基板１１を保持する保持面を備えたベース２と少なくとも１つの開口部を有していて保持面と対向するようにベース２上に支持されたマスク９とを備えている。さらに、基板保持部材１は、保持面とマスク９との間に、半導体基板１１が挿通される基板挿通部１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】フィン型半導体領域の側面に不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つフィン型半導体装置を実現する。
【解決手段】基板１１上にフィン型半導体領域１３を形成した後、不純物含有ガスと酸素含有ガスとを用いて、フィン型半導体領域１３に対してプラズマドーピングを行うことによって、フィン型半導体領域１３の少なくとも側部に不純物導入領域２７Ｂを形成する。 （もっと読む）