【課題】 半導体基板面内における不純物の活性化率の均一度を高める。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、半導体基板を保持し、第１の方向と平行な方向に移動させるステージと、レーザ光源を出射したレーザビームを、ステージに保持された半導体基板上に伝搬する伝搬光学系と、ｎを３以上の整数とするとき、ステージに保持された半導体基板上に、第１の方向に沿って見た場合に画定されるｎ個の小領域に対し、レーザ光源を出射したレーザビームを、半導体基板上において第１の方向と平行な方向に走査させながら、ｎ個の小領域のうち、半導体基板の中心が属する小領域には、単位面積当たりに投入するエネルギが第１の値となるように、レーザビームを入射させ、第１の方向と平行な方向に沿って見た場合に、端にある小領域には、単位面積当たりに投入するエネルギが第１の値より小さい第２の値となるように、レーザビームを入射させる制御装置とを有するレーザアニール装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高濃度ｎ層とライフタイム制御領域を同時に形成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型のドリフト層と、ドリフト層の表面側に設けられたｐ型のボディ層と、ドリフト層の裏面側に設けられており、水素イオンドナーをドーパントとして含んでおり、ドリフト層よりもｎ型の不純物濃度が高い高濃度ｎ層とを備えた半導体基板を有する半導体装置であって、高濃度ｎ層およびドリフト層の一部には、結晶欠陥をライフタイムキラーとして含むライフタイム制御領域が形成されており、半導体基板の厚さ方向について、高濃度ｎ層の水素イオンドナー濃度が最も高いドナーピーク位置は、ライフタイム制御領域の結晶欠陥密度が最も高い欠陥ピーク位置に一致または隣接しており、ライフタイム制御領域の欠陥ピーク位置における結晶欠陥の密度は、１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】
効率的なアニール処理を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】
実施形態の半導体製造装置は、マイクロ波の照射により成長するグレインを少なくとも一部に有する基板を載置するサセプタと、前記基板に対してマイクロ波を照射する照射部と、前記照射部が照射する前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるように、前記照射部を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】保持部７の均熱リング７４に支持された半導体ウェハーＷの上面にフラッシュランプから第１のフラッシュ光照射を行うことによって、半導体ウェハーＷを均熱リング７４から跳躍させて浮上させている。そして、半導体ウェハーＷが均熱リング７４から浮上している間に、フラッシュランプから半導体ウェハーＷの上面に第２のフラッシュ光照射を行い、その半導体ウェハーＷの上面の温度を処理温度にまで昇温している。半導体ウェハーＷが浮上して何らの拘束も受けていない状態で第２のフラッシュ光照射が行われるため、半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極との間に絶縁膜を介するＭＩＳ構造を採用するも、オン抵抗の上昇及び閾値の変動を抑止し、信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴは、化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２の表面と接触する挿入金属層４と、挿入金属層４上に形成されたゲート絶縁膜７と、挿入金属層４の上方でゲート絶縁膜７を介して形成されたゲート電極８とを含み構成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板面内における不純物の活性化率の均一度を高める。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ光源と、半導体基板を保持する領域が少なくとも第１の方向とほぼ平行な方向に関して画定され、該領域に保持した半導体基板を第１の方向と平行な方向に移動させる駆動機構を備え、ｎを３以上の整数とし、半導体基板を保持する領域を、第１の方向に沿って見た場合に、ｎ個の小領域に分けるとき、該ｎ個の小領域の温度を調整可能なステージと、レーザ光源を出射したレーザビームを、ステージに保持された半導体基板上に伝搬する伝搬光学系と、ｎ個の小領域のうち、半導体基板の中心が配置される小領域を第１の温度とし、第１の方向と平行な方向に沿って見た場合に、端にある小領域を、第１の温度より低い第２の温度とした状態で、レーザ光源からレーザビームを出射させ、出射されたレーザビームを、半導体基板上において第１の方向と平行な方向に走査させる制御装置とを有するレーザアニール装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】逆ピエゾ効果が効果的に抑制され、オフ時の高電界状態であっても、ゲート電極近傍でクラックの発生が抑止されたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１は、電子走行層１３と、電子走行層１３の上面に形成され、バンドギャップが電子走行層１３より大きく電子走行層１３とヘテロ接合する電子供給層１４と、ソース電極１５とドレイン電極１６と、ソース電極１５とドレイン電極１６の間に配置されたゲート電極１７とを備え、ゲート電極の下方に、電子供給層１４に替えて、逆ピエゾ抑制層２０を配置してなる。逆ピエゾ抑制層２０は、ヘテロ接合よりも格子不整合が緩和された状態で電子走行層１３と接合するように、その組成等が調整されており、ゲート電極１７との接触領域Ａ２のドレイン電極１６側境界Ｂ４を跨ぐように配置される。 （もっと読む）

【課題】 一般的なパルス波形は、発振開始時点から急激に立ち上がり、ピークを示した後、緩やかに低下する。パワーがピークを示す時点でアニール対象物の表面が急激に加熱されて高温になる。ピークを示す時間が一瞬であるため、アニール対象物の深い領域を十分に加熱することが困難である。
【解決手段】 パルス電流が入力されると、レーザダイオードからレーザパルスが出射される。光学系が、レーザダイオードから出射されたレーザビームをアニール対象物まで導光する。ドライバが、レーザダイオードに、トップフラットの時間波形を有し、パルス幅が１μｓ〜１００μｓのパルス電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】高いオン電流を得つつ、オフリーク電流を抑制することができる半導体装置を簡単に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。ドレイン層形成領域に第１導電型の不純物を導入する。次に、熱処理を行うことによってドレイン層形成領域の第１導電型の不純物を活性化する。次に、ソース層形成領域に不活性不純物を導入することによって該ソース層形成領域の半導体基板の単結晶をアモルファス化する。次に、ソース層形成領域に第２導電型の不純物を導入する。次に、半導体基板にマイクロ波を照射することによって少なくともソース層形成領域のアモルファス半導体を単結晶化し、かつ、ソース層形成領域の第２導電型の不純物を活性化する。ソース層形成領域における第２導電型の不純物の深さは、ドレイン層形成領域における第１導電型の不純物の深さよりも浅い。 （もっと読む）

【課題】基板にフラッシュ光を照射して均一に加熱することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】冷却プレート７２に載置された支持リング７１によって半導体ウェハーＷの周縁部下面が支持される。半導体ウェハーＷは、レジスト膜１１が形成された表面を下面に向けて支持リング７１に支持される。支持リング７１は、炭化ケイ素などのフラッシュ光に対して不透明な材質にて形成される。支持リング７１に支持された半導体ウェハーＷの上面（裏面）にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射される。フラッシュ光照射によって急激に昇温した裏面から表面に熱伝導が生じ、レジスト膜１１が加熱される
。また、支持リング７１によってフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面の周縁部に回り込むのを防止することができ、半導体ウェハーＷを均一に加熱することができる。 （もっと読む）