【課題】生産性が高く、信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第１希ガス原子を含むプラズマ状態の第１ガスと、前記第１希ガス原子よりも原子質量が小さい第２希ガス原子もしくは水素（Ｈ）を含むプラズマ状態の第２ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有する半導体イメージセンサーにおいて、より高い光検出効率を実現し、光検出部以外の信号処理を行う画素トランジスタの特性を安定させることで、半導体装置の微細化を可能にする。
【解決手段】フォトダイオードＰＤを構成するＰ^＋領域１２６およびＮ型領域１１１に炭素を共注入して炭素注入層１２８ａ、１２８ｂを形成することで、フォトダイオードＰＤの容量を増大させる。また、炭素注入層１２８ｂの形成によりＮ型領域１１１を含む転送トランジスタＴｒのチャネル内のホウ素の分布を均一化し、転送トランジスタＴｒの特性を安定させることで半導体装置内の素子の特性ばらつきの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ランプアニールによるレイアウトに起因した温度バラつきを低減する。
【解決手段】この半導体装置１０は、基板１００と、基板１００に埋め込まれた素子分離領域２００と、基板１００のうち、素子分離領域２００の無い領域に形成された不純物層（エクステンション領域３２２、ソース領域３２４、エクステンション領域３４２、及びドレイン領域３４４）と、を備える。この素子分離領域２００は、たとえば、波長３００ｎｍ以上８９０ｎｍ以下においてＳｉＯ_２よりも光吸収係数が大きい材料から形成されている光吸収層２２０を含む。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置の使用効率を高めることによって製造効率を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にスルー部２０が形成される。半導体基板１０中へスルー部２０を介して第１のイオン注入が行われる。スルー部２０の平面視における少なくとも一部の領域において、厚さ方向においてスルー部２０が少なくとも部分的に除去される。少なくとも一部の領域において半導体基板１０中へ第２のイオン注入ＩＪ２が行われる。第１のイオン注入の注入エネルギーと第２のイオン注入ＩＪ２の注入エネルギーとは互いに等しい。 （もっと読む）

【課題】裏面照射センサーの共注入システムを提供する。
【解決手段】イメージセンシングシステムと方法が開示される。実施例は、画素領域を有する基板を含み、基板は表面と裏面を有する。共注入工程は、基板表面に沿って位置する感光素子の反対にある基板裏面に沿って実行される。共注入工程は、プレアモルファス領域を形成する第一プレアモルファス化注入工程を利用する。その後、ドーパントが注入され、プレアモルファス領域は、感光領域中のドーパントの拡散やテーリングを抑制または減少させる。反射防止層、カラーフィルターおよびマイクロレンズも、共注入領域上に形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の一方の主面および他方の主面に、それぞれ形成されるｐ型半導体層およびｎ型半導体層を低抵抗化し、光電変換効率を向上させることを可能とする、結晶太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】光を受光する受光面と受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶基板を具備する結晶太陽電池１００の製造方法であって、結晶基板として、ｐ型の単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体１０１を用い、基体１０１の一方の主面１０１ａ側に、ｐ型のイオンを注入して、ｐ型半導体層１０２を形成する第一工程と、基体１０１の他方の主面１０１ｂ側に、ｎ型のイオンを注入して、ｎ型半導体層１０３を形成する第二工程と、基体１０１に対して、ランプを用いたアニール処理を行う第三工程と、を順に少なくとも備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置及び、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。また、消費電力が低い半導体装置及び消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供する。また、量産性の高い半導体装置及び量産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素欠損を生じることなく酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すればよい。具体的には、酸化物半導体層に酸素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すればよい。特に酸素の添加方法としては、高エネルギーの酸素をイオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて添加する方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハを製造するにあたり、ウェーハ品質の悪化を防止するため、イオン注入機の基板保持具の劣化状況を容易に判定することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入機の基板保持具の劣化を判定する方法であって、作製された貼り合わせウェーハ又は一部が剥離されたボンドウェーハの品質を測定し、該測定された品質から、前記ボンドウェーハを保持したイオン注入機の基板保持具の劣化を判定するイオン注入機の基板保持具の劣化判定方法。 （もっと読む）