【課題】 量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。
【解決手段】 Ｏ、Ｎ及びＦから選ばれた少なくとも１種を含む気体状分子を該基板表面に供給し、吸着させた後排気する第１の工程の後に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、又はＴｉを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する第２の工程を行い、その後にＡｒを導入した後排気する第３の工程を行い、前記第１〜第３の工程を１つのサイクルとして、このサイクルを複数回行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル部分へのC原子の偏積と酸化膜内へのC原子の蓄積を独立に制御かつ低減する。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化して、薄い熱酸化膜を成長させ、所望の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜厚＝前記熱酸化膜の膜厚＋堆積したシリコン膜厚の100/44倍、の関係になるようにして求めた膜厚のシリコンを、熱酸化膜の上に堆積する。この堆積したシリコンを熱酸化することにより、所望の膜厚の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜を得る。この二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。 （もっと読む）

【課題】偏析不純物による仕事関数の制御の可能な半導体装置または半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられた絶縁膜（ＨｆＳｉＯＮ膜３０）と、絶縁膜３０上にフルシリサイド電極（ＮｉＳｉ５１）と、フルシリサイド電極５１に接するように、絶縁膜３０とフルシリサイド電極５１の間に設けられたバリア膜（ＳｉＯＣ膜４０）と、を備え、ＳｉＯＣ膜４０と接するフルシリサイド電極５１の部分に、Ｎ型またはＰ型いずれかの不純物６０が偏析し、ＳｉＯＣ膜４０は、シリコン酸窒化膜の誘電率以下の誘電率を有し、以下の(ａ)、（ｂ）および(ｃ)を主成分として含み、((ａ)シリコン（Ｓｉ）、(ｂ）炭素（Ｃ）、(ｃ)酸素（Ｏ）または窒素(Ｎ))、ＨｆＳｉＯＮ膜３０またはＮｉＳｉフルシリサイド電極５１を構成する金属元素を主成分としてバリア膜の少なくとも内部に含まないもの。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなるゲート絶縁膜２２２を、酸化物半導体層２３に対応する領域において、この酸化物半導体層２３と接するように選択的に形成する。ゲート絶縁膜２２２と酸化物半導体層２３との間で良好なデバイス界面が形成され、酸化物半導体層２３での格子欠陥の形成を抑制することができる。また、シリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２２１上において、酸化物半導体層２３の上面および側面とゲート絶縁膜２２２の側面とが、ソース・ドレイン電極２５およびチャネル保護膜２４によって覆われているようにする。酸化物半導体層２３への水分等の混入が抑えられ、酸化物半導体層２３での水分の吸着を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低分子量、低融点（１００℃以下）、及び高蒸気圧（０．５ｔｏｒｒ以上）の性質を示す第４族前駆体、及び共形（コンフォーマル）な金属含有膜を基板上に製造するための堆積プロセスの提供。
【解決手段】第４族金属含有前駆体は、下記式Ｉ：


（式中、ＭはＴｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択される金属）により表される。 （もっと読む）

【課題】導電性材料の利用効率が良好なパターン形成層を効率よく形成でき、該パターン形成層とオーバーコート層をフレキシブルフィルム基板に転写可能な転写用紙及び該転写用紙の製造方法、並びに該転写用紙を用いた機能性薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】原紙面上に遅水性再湿糊層と速水溶性再湿糊層とを含む転写用紙基材上に、分散安定剤で表面が被覆された金属微粒子、高分子成分、及び分散安定剤を捕捉可能な化合物を含有するパターン形成層用液を付与してパターン形成層を形成するパターン形成層形成工程と、前記パターン形成層が形成された転写用紙基材を加熱する加熱工程と、前記パターン形成層上にオーバーコート層を形成するオーバーコート層形成工程とを含む転写用紙の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜内に金属原子を拡散させるための膜の除去を容易にする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、窒素ガス及び不活性ガスの少なくとも一方の雰囲気中で半導体基板、下地膜、ゲート絶縁膜及び金属膜を熱処理する工程と、ゲート絶縁膜上に残存する金属膜を除去する工程と、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極膜を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極をシリサイド化する際にゲート長方向の体積膨張が生じにくく、ゲート電極とコンタクトプラグ等との短絡不良が生じにくい半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０の上にゲート絶縁膜１５を介在させて形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極１７と、ゲート電極１７の側面上に形成されたオフセットスペーサ２０と、オフセットスペーサ２０の側面上を覆う断面Ｌ字状のサイドウォール２２Ａとを備えている。オフセットスペーサ２０は、ゲート電極１７側に形成された内側オフセットスペーサ２０Ａと、内側オフセットスペーサ２０Ａの側面上に形成された外側オフセットスペーサ２０Ｂとを有している。内側オフセットスペーサ２０Ａと、外側オフセットスペーサ２０Ｂ及び内側サイドウォール２２Ａとは、エッチング選択性が異なる材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 ハフニウムシリケートからなるゲート絶縁膜に、アルミナ膜を重ねると、等価酸化膜厚を薄くすることが困難になる。また、ハフニウムシリケートからなるゲート絶縁膜内にＡｌが拡散すると、正孔の移動度が低下してしまう。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に、ＨｆとＯとを含む絶縁膜(16)を形成する。この絶縁膜の上に、構成元素として酸素とチタンとを含むキャップ膜(17)を形成する。絶縁膜及びキャップ膜を、窒素ガスまたは希ガス雰囲気中で熱処理し、キャップ膜中のチタンを絶縁膜内に拡散させることにより、ゲート絶縁膜(18)を形成する。ゲート絶縁膜の上に、ゲート電極膜(19)を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートのデプリーションの影響が最小にされた、半導体デバイスのゲート電極の製造方法が提案される。
【解決方法】この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。第２堆積は、ドーピングに関連するイオン注入により、ゲート電極を完成させる。この２つの堆積プロセスにより、ゲート電極／ゲート誘電体界面におけるドーピングを最大にする一方で、ホウ素がゲート誘電体に浸透するリスクを最小にすることができる。別の構成では、両ゲート電極層のパターン形成を含み、ドレイン延長部及びソース／ドレインの注入をゲートのドーピングの注入として使用する利点と、２つのパターンをずらし、非対称デバイスを生成するという選択肢がある。ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 （もっと読む）