【課題】コーティング層の下地パターンとなる層を形成する際にプロセスを複雑化させること無くコーティング層の剥離耐性の改善するパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一種類の無機物からなる超微粒子を含むコロイド材料を基板に接触して配置し、前記コロイド材料と前記基板の接触面近傍にエネルギービームを照射することで前記基板上に前記無機物を含む層を固定化してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記コロイド材料によってパターン形成する際のエネルギーより大きい前記エネルギービームを前記コロイド材料に照射することで、前記パターン表面にパターン上方にさらに形成されるコーティング層と機械的な結合を得るためのアンカーポイントをパターンと同時に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メタルを含むゲート電極部を有する半導体装置において、ゲート電極部の側面に形成される膜の形成時およびその後の工程で、ゲート電極部に含まれるメタルの酸化を抑えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成され、ゲート絶縁膜と、メタルゲートを有するゲート電極と、を含むゲート電極部と、ゲート電極部の下部のチャネル領域を挟んで半導体基板両側に形成されるソース／ドレイン領域と、ゲート電極部の側面に形成されるオフセットスペーサ膜と、を備え、オフセットスペーサ膜は、ゲート電極部の側面を連続的に被覆するホウ素と窒素を主成分とするＢＮ膜と、ＢＮ膜上を連続的に被覆するシリコンと酸素を主成分とするシリコン酸化膜と、の積層膜からなる。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置を駆動させるためのトランジスタとして量子細線を用いた場合に、小型
化および薄型化をより図ることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置１００は、ガラス基板６の表面から上方（矢印Ｚ１方向側）に
向かって延びるように形成された凸部７１（７２）を含むゲート電極７と、ゲート電極７
の凸部７１（７２）と平面的に見て重なるとともに、ゲート電極７上にゲート絶縁膜８を
介して形成される量子細線９と、量子細線９にそれぞれ接続されるソース電極１１および
ドレイン電極１２とを含む量子細線トランジスタ５を備える。また、ゲート電極７の凸部
７１（７２）と量子細線９との間の距離ｔ１は、ゲート電極７の凸部７１（７２）以外の
部分と量子細線９との間の距離ｔ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 特性に優れたＭＯＳトランジスタを得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の酸化性雰囲気での第１の熱酸化処理によってＳｉＣ領域１７上にゲート酸化膜２１を形成する工程と、第１の熱酸化処理の後に、第１の酸化性雰囲気の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する第２の酸化性雰囲気において５ｎｍ／時以下の酸化速度で第２の熱酸化処理を行い、ゲート酸化膜の膜厚を増加させる工程と、膜厚の増加したゲート酸化膜上にゲート電極２２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２／ＳｉＣ構造を備える、たとえばＭＯＳＦＥＴなどの半導体装置は、界面準位密度の低減が不十分である。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の一方の主表面上に形成させたＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上に、あらかじめＳｉ薄膜３を形成させて、このＳｉ薄膜３の内部に窒素原子を注入させる。この状態で、ＳｉＣエピタキシャル層２の一方の主表面上を酸窒化させる。 （もっと読む）

【課題】 安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、酸化物半導体層９を覆う非フッ素系有機樹脂層５１と、非フッ素系有機樹脂層５１を覆うアモルファスパーフルオロ樹脂層５２とから構成した。ゲート絶縁層５の構成要素としてアモルファスパーフルオロ樹脂層５２を用いることにより、安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ１が得られることが確認された。また、非フッ素系有機樹脂層５１の材質として、アモルファスパーフルオロ樹脂よりも誘電率の高いＰＶＰを採用したことにより、駆動電圧の低い酸化物薄膜トランジスタ１が得られることが確認された。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタ１を、簡単、且つ安価に得ることができる。 （もっと読む）