本発明は、５０μｇ／ｇ未満の酸素含量と、理論密度で９９％を上回る密度と、１００μｍ未満の平均粒径とを有するＭｏ又はＭｏ合金を含み、支持管に接続される管状ターゲットを製造する方法に関し、フィッシャー法で測定して０．５〜１０μｍの平均粒径を有するＭｏ又はＭｏ合金からなる金属粉末の製造、１００ＭＰａ＜ｐ＜５００ＭＰａの圧力ｐで、コアを使って可撓性の型で金属粉末を冷間等方加圧することによる管素材の形での圧粉体の製造、減圧又は真空中で、１６００℃＜Ｔ＜２５００℃の温度Ｔで前記圧粉体を焼結することによる管素材の製造、前記管素材を、ＤＢＴＴ＜Ｔ＜（Ｔｓ−８００℃）の成形温度Ｔで加熱し且つ心棒上での押出しによる管の製造、前記支持管への前記管の接合および機械加工の各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低圧力及び比較的高圧力の両方で均一なプラズマを生成できるｉＰＶＤ源を提供する。またスパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供する。
【解決手段】比較的低圧力(5mTorr)動作及び比較的高圧力(65mTorr)動作で均一なプラズマ濃度を持つ均一な金属蒸着のためのイオン化物理的気相蒸着(iPVD)源を使用するシステムと方法を提供する。均一性を強化する低圧力動作では、磁石構造がプラズマをチャンバ周辺に移動するために誘導結合プラズマ(ICP)源と組み合わされ、一方、高圧力動作でプラズマのランダム化または熱運動化によってプラズマ均一性が促進される。これにより、組み合わされた連続的な蒸着−エッチング処理における蒸着およびエッチングの両方のための、また、無網状蒸着(NND)および低網状蒸着(LND)の蒸着−エッチング処理のための均一性が提供される。 （もっと読む）

【課題】蒸着とエッチングを組み合わせる同時的および連続的な処理における均一なプラズマ処理に寄与するように、プラズマを生成および調整する。また、ｉＰＶＤにより、高アスペクト比の被覆性に対し、均一なプラズマ処理を提供する。
【解決手段】開口端が処理スペースに面する状態で、中空体をチャンバ軸の上に位置決めすることによって、処理チャンバの軸へのピークに対する傾向を持ったプラズマ分布の均一性が改善される。中空体は中央から離れたプラズマの分布を制御し、プラズマの中央への配置を可能にする。中空体の幾何学構成は、所与の状態にプラズマを均一化ならしめるよう最適化できる。同時的および連続的なエッチングとｉＰＶＤ処理のような、組み合わせられた蒸着とエッチング処理において、中空体はエッチングのための均一なプラズマを提供する一方で、蒸着のために蒸着パラメータを最適化することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリコン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタ孔の深さが３μｍ以上であり、かつ前記キャパシタ孔のアスペクト比が３０以上であるキャパシタ構造を備えた半導体シリコン基板の製造方法であって、 温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に、被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して洗浄を行なう洗浄工程と、 温度１００〜３５０℃および圧力７．２〜１２ＭＰａの条件下、超臨界状態の二酸化炭素の存在下に、前記被処理基板に設けられたキャパシタ孔に対して金属薄膜を形成するキャパシタ電極用金属薄膜形成工程と、を少なくとも有することを特徴とする、半導体シリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理工具により使用されるスラブターゲットの寿命検出システムと方法を提供する。
【解決手段】スラブターゲットに、少なくとも１個の検出器が設けられる。処理工具の動作中に、少なくとも１個の検出器に関連付けられた信号値が、設定値に等しいか、設定値を超えているかの判断がなされる。第１予告は、前記信号値が予告設定値に等しいか、または予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられ、第２予告は、前記信号値が予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられる。警告は、前記信号値が警告設定値に等しいか、または警告設定値を超える場合に発せられ、消耗材料からなるスラブターゲットが、所定量に近づきつつあるか、或いは所定量にまで減少したことを示す。 （もっと読む）

【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤との反応がなくても容易に分解されうる新たな有機金属前駆体物質及びそれを利用した金属薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｒｕ（ＤＭＰＤ）_２またはＩｒ（ＤＭＰＤ）_２に非共有電子対を有する有機物分子として、エーテル類、アミン類、ＴＨＦ、ホスフィン系列及び亜燐酸塩系列からなる群から選択された何れか一つの系列の物質が配位結合された構造を有する有機金属前駆体物質である。 （もっと読む）

【課題】３５０℃以上の高温でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低い電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｎｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金とすることにより耐熱性に優れた低抵抗の電極配線材料が得られる。また、該電極配線材料はＮｄ、Ｓｍ、Ｈｆ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金からなるスパッタリングターゲットを用いて、容易に安定に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 外表面に機能性の薄膜を有する、内部に気体または液体が内包された空間を有する基体から構成される液晶パネル等の物品の製造方法において、耐久性に優れた物品を売ることのできる、生産性がよい製造方法を提供することである。
【解決手段】 内部に気体または液体が内包された空間を有する基体の外面側の少なくとも１面に大気圧プラズマ処理により、薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素等を含まないタンタル含有膜及び目的とする元素を含んだ各種タンタル含有膜の作り分けが可能な新規なタンタル化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中Ｒ^１は炭素数２から６の直鎖状アルキル基。）等で表されるタンタル化合物。 （もっと読む）