【課題】低蒸気圧原料を使用したＣＶＤ法による成膜においても、キャリアガス中のソースガスの濃度を高精度且つ迅速に調整できる、ＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室に固体または液体原料から発生されたソースガスをキャリアガスにより搬送する原料供給装置を備えた成膜装置は、上記原料供給装置は、上記ソースガスの濃度を測定する濃度測定手段と、上記ソースガスの測定濃度に基づいて、上記ソースガスを搬送中の上記キャリアガスに付加する不活性ガスの流量を増減する不活性ガス質量流量制御手段と、を含み、前記不活性ガス質量流量制御手段は、前記測定濃度が成膜処理に適正な濃度範囲の上限値を上回った場合には前記不活性ガスの流量を増加し、前記測定濃度が前記適正な濃度範囲の下限値を下回った場合には、前記不活性ガスの流量を低減する制御を行い、前記ソースガス濃度の前記適正な濃度範囲からの逸脱を修正することを特徴とする。 （もっと読む）

静的な磁界（Ｈ_S）を用いてスパッタリングが行なわれる。再堆積に晒されるスパッタリング表面（３）の腐食されない領域を、前記静的な磁界（Ｈ_S）に対して変調磁界（Ｈ_m）を重畳させることにより、静的な磁界に関与する磁極のうちの１つの近くで静的な磁界（Ｈ_S）を変調することによって最小化または取除かれる。
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【課題】基板上の配線溝に形成した配線膜の膜特性を改善可能なシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】シートプラズマ成膜装置１００は、ソースプラズマ２２を輸送方向に向けて放出可能なプラズマガン４０と、輸送方向に延びた輸送空間２１を有するシートプラズマ変形室２０と、互いに同極同士を向き合わせ、輸送空間を挟むように配置される第１の磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂと、輸送空間に連通した成膜空間３１を有する成膜室３０と、互いに異極同士を向き合わせ、成膜空間を挟むように配置される第２の磁界発生手段の対３２、３３と、を備え、ソースプラズマ２２は輸送空間を移動する間に第１の磁界発生手段の対２４Ａ、２４Ｂの磁界により中心を含む主面Ｓに沿ってシート状に拡げ、シート状のプラズマ２７が成膜空間３１を移動する間に第２の磁界発生手段の対３２、３３の磁界により主面Ｓから凸状に偏倚する装置である。 （もっと読む）

【課題】新規なチタン錯体の製法、それらを用いたチタン含有薄膜の形成方法の提供。
【解決手段】ジイミンと金属リチウムとを反応させ、次いでテトラキスアミド錯体を反応させることにより一般式（１）で表されるチタン錯体を製造し、そのチタン錯体を原料としてチタン含有薄膜を形成させる。
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【課題】 基板上に既に形成された薄膜を熱により劣化させたり、プラズマダメージを生じさせたりせずに、基板表面に良質な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】 ウエハＷを載置台に載置し、ウエハの温度調節を行なう工程と、成膜原料をウエハＷの表面に吸着させる吸着工程と、パージガスによってチャンバ内雰囲気を置換するパージ工程と、エネルギー媒体ガスによってウエハＷ表面の成膜原料に熱エネルギーを供給して成膜反応を起こさせる反応工程と、を繰り返し行なうことにより、ウエハＷ上に１層ずつ薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な蒸着パターンを形成可能で、蒸着パターンの精度を向上できる蒸着パターン形成方法及び蒸着パターン形成装置を実現する。
【解決手段】 蒸着パターン形成装置１０は、蒸着源基板１４の上面に収容部材１１を取り付けて構成される。蒸着源基板１４は、収容部材１１を加熱するためのヒータ１２を支持基板１３の上面に取り付けて構成される。収容部材１１の上面１１ｂには、半導体基板に形成する所定の蒸着パターンと対応した形状に開口した開口面１１ｄが形成されている。半導体基板３１の基板面３１ａを、収容部１１ａに金属ナノ粒子２１が収容された収容部材１１の開口面１１ｄに対向させて配置し、収容部材１１をヒータ１２により加熱すると、金属ナノ粒子２１は収容部１１ａの内部で蒸発し、開口面１１ｄを通じて基板面３１ａに蒸着され、所定の蒸着パターン３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】基板上に形成され開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを有するレジスト膜のパターン内への金属膜の埋め込み成膜を短時間で良好に行うことができる金属膜作製方法及び金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを基板３上にパターニングしたレジスト膜３０のパターンの底部から順に前駆体２４を吸着させてこの前駆体２４の金属成分のみを析出させて金属膜を形成する成膜反応と、金属膜を塩素ラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させながら貫通部内に金属膜を形成し、レジスト膜３０のパターンの中で開口面積が最小の貫通部を金属膜によって完全に埋めた時点で金属膜の表面に金属酸化膜を形成した後、金属膜で完全に埋められていない残りの貫通部内への金属膜の埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 排気可能になされた処理容器１４内の載置台２０上に被処理体Ｗを載置し、該被処理体を加熱手段４６により所定の設定温度まで昇温すると共に、前記処理容器内に所定のガスを流して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に対して前記所定の熱処理を施す直前に、前記被処理体が前記所定の温度に維持されている時に前記加熱手段に印加される電力よりも大きな電力を前記加熱手段に短時間だけ印加する短時間大電力供給工程を少なくとも１回行うようにする。これにより、スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップダメージの発生を大幅に抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に設けたプラズマ用電極３８に、プラズマ発生用電源から所定の電力を供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に収容されている被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、前記被処理体に発生するチャージアップ電圧を抑制するために前記プラズマ処理を開始する際に、前記プラズマ用電極へ供給する電力を徐々に増加するように構成する。 （もっと読む）