【課題】熱処理後でもヒロックなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、さらに、透明導電膜との直接積層が可能な配線材料を提供するとともに、該配線材料からなる配線を具備した大型・高精細の生産性に優れた液晶ディスプレイパネル、及び、本配線を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】配線の少なくともひとつが、添加元素として希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種以上の元素を０．０１〜１原子％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるＣｕ合金薄膜からなり、かつ、透明導電膜と直接積層した配線構造を有する液晶ディスプレイパネルとする。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着装置において、連続蒸着処理能力の増大を可能とした真空蒸着装置および方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム蒸発源を搭載した真空蒸着装置において、装置内の所定の部材を被装する防着カバー、及び防着カバーを移動させる駆動源を備える構成とした。ここで、複数の防着カバーを用いて、その複数の防着カバーのうちの１つが蒸発源に対向する位置に配置され、蒸着源に対向する位置に配置される防着カバーが駆動源によって交換される構成とした。 （もっと読む）

【課題】
簡便な手法により高品質な無機薄膜を連続的に供給する。
【解決手段】
マグネトロンスパッタ法を用いて無機薄膜を連続成膜する巻取り系製造装置において、真空チャンバ内にマグネトロンスパッタ源及びフレキシブル支持体上に連続成膜を行うための巻取り系を装備した真空成膜装置であって、該スパッタ源マグネトロン外周部と同サイズあるいはそれ以上の大きさの防着板をターゲットの直上に配備したことを特徴とする無機薄膜の製造方法を採用することによりスパッタターゲット上に防着板を設置することで支持体への高エネルギー粒子の入射を低減することができるため、高品質な無機薄膜を連続的に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のホールの内面に十分な被覆性でコンタクト膜バリア膜のような異種薄膜を真空中で作成できるようにする。
【解決手段】 コンタクト膜を作成するスパッタチャンバー２とコンタクト膜の上にバリア膜を作成するＣＶＤチャンバー３とがセパレーションチャンバー１を介して気密に接続されており、セパレーションチャンバー２には基板９を真空中で搬送する搬送機構１１と、内部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入系１２と、セパレーションチャンバー１内の圧力がＣＶＤチャンバー３の圧力より高くＣＶＤチャンバー３の残留ガスが所定のレベル以下になったのを確認したのを確認した後にゲートバルブ３１を開ける制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】新方式のＣＶＤ装置において、基板の材質に拘らず金属膜を作製することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む基板３３が収容されるチャンバ１と、チャンバ１に設けられる炭素材製の被エッチング部材３４と、チャンバ１の内部にハロゲンを含有する原料ガス２１を供給するノズル１４と、酸素成分手段である基板３３と、チャンバ１の内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させガスプラズマ２０で被エッチング部材３４をエッチングすることにより炭素成分と原料ガス２１との前駆体３６を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材３４の温度よりも低くすることにより酸素成分手段の酸素成分を含んだ前駆体３６の炭素成分を基板側に成膜させる制御手段とを備え酸素成分を含んだ炭素膜を作製することにより基板３３には不動態である金属酸化物に結合し難い金属膜でも作製出来るようにした。 （もっと読む）

【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置における異常放電を防止するためのスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１は、ターゲット２の周囲を囲み、スパッタ粒子を放出させるための開口部６を有し、導電性材料からなるカバー４と、ターゲット２からのスパッタ粒子を基板３上に付着させるための開口部７を有し、導電性材料からなるカバー５と、カバー４と５の間に配置され、開口部６と７とを環状部の中空部を通して連通させ、絶縁性材料からなるＯリングと８を有する。さらに、スパッタ装置１は、カバー４と５の少なくとも一方の、Ｏリング８側の面上に絶縁性材料を介して設けられ、導電性材料からなるカバー９とを有する。 （もっと読む）

【課題】メッキ処理を用いることなくプラズマスパッタだけで微細な凹部を金属によりボイドを発生させることなく埋め込むことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を載置台３４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで凹部４を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属粒子による成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して凹部内に金属膜を形成する成膜工程と、金属粒子の供給を停止した状態で被処理体を金属膜の表面拡散が生ずる所定の温度範囲に加熱維持することにより金属膜の原子を凹部の底部に向けて移動させる拡散工程とを交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】複数のガスにより成膜を行う際に、ガスの利用効率を高めるとともに成膜特性を良好にする。
【解決手段】成膜装置１００は、成膜処理を行う反応室１０２と、第１の原料ＡおよびガスＢをそれぞれ反応室１０２に供給する第１のガス供給ライン１１２および第２のガス供給ライン１５２と、反応室１０２に供給されるガスをプラズマ励起する励起部１０６とを含む。このような構成の成膜装置１００において、第１の原料Ａ由来のガスおよびガスＢを反応室１０２に供給して、第１の原料Ａ由来のガスを基板上に吸着させて堆積層を形成する第１の工程と、第２のガスを反応室１０２に供給して、プラズマ励起した状態で、堆積層に作用させる第２の工程と、により成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】物性の優れたＩＴＯ膜をより一層向上した歩留りで成膜できるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。
【解決手段】主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が０．２μｍ未満であるＩＴＯ焼結体、あるいは、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が０．３μｍ未満であるＩＴＯ焼結体、あるいは、主結晶粒であるＩｎ₂Ｏ₃母相内に存在する微細粒子の最大径の平均値が０．２μｍ未満であり、かつ、該Ｉｎ₂Ｏ₃母相の粒界からの微細粒子フリーゾーンの幅の平均値が０．３μｍ未満であるＩＴＯ焼結体。 （もっと読む）