【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とも直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】 Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％、ボロンの含有量を原子百分率Ｙａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦１０．０、０．０５≦Ｙ≦１１．０、Ｙ＋０．２５Ｘ≧１．０、Ｙ＋１．１５Ｘ≦１１．５の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるＡｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料とした。 （もっと読む）

【課題】 シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 第１の蒸着プロセスに係る処理空間に第１のプロセスガス組成を導入し、基板上に第１の膜を堆積させ、第１の処理空間よりサイズが異なる第２の処理空間に第２のプロセスガス組成を導入し、そして第２のプロセスガス組成から基板上に第２の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第１のボリュームを有する第１の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第１の処理空間の少なくとも一部を含んで、第１のボリュームと異なる第２のボリュームを有する第２の処理空間を含む。 （もっと読む）

【課題】シングルウエハ方式のチャンバー内で化学気相蒸着方式を用いて多結晶ポリシリコン薄膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスとしてＳｉＨ_４（Ｓｉｌａｎｅ）ガスを用い、その蒸着圧力を利用する構成によって、多結晶ポリシリコン薄膜の微細な柱状の結晶粒子として制御し、電気的特性の均一度を向上させて特性低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】特定のアルミニウム化合物を用いる薄膜蒸着の方法の提供。
【解決手段】アルミニウム膜を蒸着するための方法が提供される。かかる方法は式［Ｈ_２ＡｌＮＲ^１Ｒ^２］_ｎ（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、１〜３個の炭素を有する、同じであるかもしくは異なるアルキル基であり、ｎは２または３の整数である）のジアルキルアミドジヒドロアルミニウム化合物を用いる。アルミニウム膜は薄くても厚くてもよく、アルミニウム膜であってもアルミニウム金属を含む混合金属膜であってもよい。ＣＶＤおよびＡＬＤ法の両者を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】デッドエンド部分に残留している化学物質を迅速・安全・効果的にパージアウト出来、流体貯蔵タンクの交換をスムーズに行うことが出来る技術の提供。
【解決手段】先端部の継手部２４より基部側にバルブ２３を有する配管を設けた流体貯蔵タンク２１と、流体消費ライン５１と、洗浄流体供給ライン６１と、洗浄流体回収ライン４１との間の配管装置で、内管３３と内管３３の外側に設けられた外管３１とを具備し、外管３１の一端側には流体貯蔵タンク２１に設けられた継手部２４に接合される継手部が設けられ、内管３３の一端側は外管３１の一端側に設けられた継手部より突出し、継手部同士を接合した場合、流体貯蔵タンク２１に設けられた配管７１内に進入可能に構成され、外管３１の他端側は洗浄流体回収ライン４１に接続できるように、また内管３３の他端側は流体消費ライン５１、および洗浄流体供給ライン６１に接続できるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】結合されたステッパおよび堆積ツールを提供すること。
【解決手段】ステッパが、集積回路の形成中に材料の層を堆積させるハードウェアと結合され、従って、ウェハをツール間の移送にさらすことなく堆積、パターン形成および洗浄が実行され、複合ツール中の３つのツールの機能が結合される。パターン画定材料は、ステッパのマスクを通してＵＶ光を照射することによって除去され、それによって、従来技術の方法のベーキングおよび現像ステップが排除される。同様に、ＵＶのフラッド照射により、従来技術の方法の洗浄ステップが排除される。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】マスク層直下ではなくマスク層の開口領域直下に電極の間隙を製造する製造方法を提供し、かつ微小間隙のプロセスを利用した素子の製造方法を提供する提供する。
【解決手段】本発明の電極の製造方法は、開口部を有するマスク層を用いて微小間隙を有する電極を形成する電極の製造方法であり、上記マスク層面に直角な軸に対して第１の角度方向から、第１の開口部を介して基板上に材料を蒸着する第１の蒸着工程と、上記軸及び第１の角度方向とがなす２次元平面において、軸に対して第１の角度と逆方向の第２の角度方向から、第１の開口部を介して材料を基板上に蒸着する第２の蒸着工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバ内の容積を大きくすることなく、真空チャンバ内の複数の蒸発源のいずれかを遮蔽手段によって適宜遮蔽できるようにした成膜装置を提供する。
【解決手段】 処理基板に対向させて少なくとも３個の蒸発源４ａ〜４ｄを設け、いずれかの蒸発源からの蒸発粒子の他の蒸発源への再付着を防止するように蒸発源を遮る遮蔽手段５を設ける。各蒸発源を同一円周上に配置し、この円周の中心を回転中心とする１個の回転軸６１と、この回転軸に同心に配置され各蒸発源の数より少ない本数でかつ真空チャンバ内への突出長さを回転軸より段階的に短くした中空回転軸６２〜６６とを設け、回転軸、中空回転軸に遮蔽手段をそれぞれ連結すると共に、蒸発源を開放する開放位置と蒸発源を遮る遮蔽位置との間で回転軸、中空回転軸を介して遮蔽手段を移動させる駆動手段９を設ける。 （もっと読む）