【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数の突起部を有する基板を準備する段階と、（ｉｉ）前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】化学気相成長法において、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを用いてルテニウム膜を形成する際に、インキュベーション時間の短縮を図ることができるルテニウム膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によるルテニウム膜形成原料として、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに、１２０℃以上２４０℃以下で熱分解するルテニウム化合物を０．０１モル％以上５モル％以下添加して溶解させた組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。
【解決手段】上部室と、上部室の下側に配置され、シャワーヘッドの軸方向に見て上部室により覆われ、かつ上部室とガス連通しない下部室とを含むシャワーヘッドを使って、基板上に薄膜を形成する方法は、原子層成長（ALD）膜及び化学気相成長（CVD）膜を連続して形成するか、または熱ALD膜及びプラズマALD膜を連続して形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面にわたり膜厚を均一にした成膜が可能な薄膜作製装置及び薄膜作製方法とする。
【解決手段】 Ｃｕ製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にＣｌ_２ガスを供給して塩素ラジカルＣｌ^＊を生成し、塩素ラジカルＣｌ^＊で被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材１１に含まれるＣｕ成分とＣｌ_２ガス成分との前駆体（ＣｕＣｌ）２４を生成すると共に、Ｎ_２ガスを供給してプラズマを発生させたときのチャンバの内壁側の電子温度を低下させて塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の生成を抑制し、塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）の分布を前駆体ＣｕＣｌの分布に近づけることで塩素ラジカル（Ｃｌ^＊）と前駆体ＣｕＣｌの比率を一定にし、基板３側の温度を被エッチング部材１１の温度よりも低くすることにより、膜圧を均一にした薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】低蒸気圧原料を使用したＣＶＤ法による成膜においても、キャリアガス中のソースガスの濃度を高精度且つ迅速に調整できる、ＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室に固体または液体原料から発生されたソースガスをキャリアガスにより搬送する原料供給装置を備えた成膜装置は、上記原料供給装置は、上記ソースガスの濃度を測定する濃度測定手段と、上記ソースガスの測定濃度に基づいて、上記ソースガスを搬送中の上記キャリアガスに付加する不活性ガスの流量を増減する不活性ガス質量流量制御手段と、を含み、前記不活性ガス質量流量制御手段は、前記測定濃度が成膜処理に適正な濃度範囲の上限値を上回った場合には前記不活性ガスの流量を増加し、前記測定濃度が前記適正な濃度範囲の下限値を下回った場合には、前記不活性ガスの流量を低減する制御を行い、前記ソースガス濃度の前記適正な濃度範囲からの逸脱を修正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットと処理基板とを立てた状態で平行に対向させてて、搬送しながらスパッタ処理を行う縦型のインラインスパッタ装置おいて、搬送の振動、処理基板の破損、処理基板の移動に起因する、歩留まり低下や品質面の問題を解決できる保持方法を採りいれたスパッタ装置の提供。
【解決手段】 インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、処理基板２０の一面側にスパッタ成膜を施すスパッタ装置であって、処理基板２０の成膜する側の面とターゲット３０とを、平行に対向させ、鉛直方向６２もしくは鉛直方向から斜めに傾けて配しているもので、前記キャリアには、搭載された処理基板のスパッタ処理面側でない裏面側から、あるいは、搭載された処理基板のスパッタ処理面側の非処理領域において、前記処理基板の少なくとも一部を、静電吸着により吸着し、且つ、処理基板の面方向における位置が固定された支持部に保持される静電吸着部を設けている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的特性を損なうことがないように、金属系膜中の炭素濃度を低減できる脱炭素処理方法および成膜方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板であるＳｉ基板１上に、ゲート絶縁膜２を形成し、次いでゲート絶縁膜２上に、Ｗ（ＣＯ）_６ガスを含む成膜ガス用いたＣＶＤによって、Ｗ系膜３ａを形成する。その後、還元性ガスの存在下で酸化処理し、Ｗ系膜３ａ中のＷは酸化させずにＣのみを選択的に酸化させてＷ系膜３ａ中に含まれるＣ濃度を減少させる。その後、必要に応じて熱処理を施した後、レジスト塗布、パターニング、エッチング等を行い、さらにイオン注入等によって不純物拡散領域１０を形成し、ＭＯＳ構造の半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して配線形成効率を高くすることができる半導体装置の配線加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の加工装置は、半導体装置１が搬入される第１の反応室２０と、第１の反応室２０内の半導体装置１にイオンビームを照射し、半導体装置１を加工するイオン銃２１と、第１の反応室２０に繋がっている第２の反応室３０と、第２の反応室３０内に配置され、半導体装置１上に導電材料を含むインクを吐出することにより配線を形成するインク吐出機構３１とを具備する。第２の反応室３０は減圧されているのが好ましい。このようにすると、インク吐出機構３１がインク詰まりを起こすことが抑制される。また粘度が高いインクも吐出することができる。 （もっと読む）

静的な磁界（Ｈ_S）を用いてスパッタリングが行なわれる。再堆積に晒されるスパッタリング表面（３）の腐食されない領域を、前記静的な磁界（Ｈ_S）に対して変調磁界（Ｈ_m）を重畳させることにより、静的な磁界に関与する磁極のうちの１つの近くで静的な磁界（Ｈ_S）を変調することによって最小化または取除かれる。
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