【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハチャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射するミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３２を短辺側がウエハの外径より小さく長辺側が同外径より大きい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を耐圧容器内に供給して基板に対して成膜を行うにあたり、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく、ステージヒータの温度安定性の課題を解決し、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】装置本体２の上蓋２１と耐圧枠材２０とウエハＷを載置する載置台３とにより、内部に成膜処理空間Ｆが形成された耐圧容器を構成する。この耐圧容器には、ウエハＷがその上に載置され、発熱体が設けられたステージヒータ４と、このステージヒータ４の下方側に設けられた、前記耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する断熱層５１と、この断熱層５１と耐圧容器の底面部をなす載置台本体３１との間に介在するように、耐圧容器の外部との間で熱の授受が行われる温度調整部が設けられた温度調整層５３とを設ける。 （もっと読む）

有機アルミニウム前駆体を含むガス流を処理チャンバーからポンプする間における真空ポンプ内のアルミニウムの蒸着を抑制する方法において、塩素を真空ポンプの上流のガス流に供給して、前駆体と反応させて、その気相において無害でポンプを通過し得る塩化アルミニウムを形成する。
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【課題】 高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】多くの電子電流を引き出すことが可能であると共に、長寿命化を図ることが可能なニュートラライザを提供する。
【解決手段】一方の端部から電子電流を引き出し可能な放電管４と、放電管４内にガスを導入するガス導入管３と、この放電管４の内部でプラズマを発生させる高周波誘導コイル５と、放電管４の内部に配設されたカソード電極６と、放電管４の開口４ａ側に配設された第一のキーパ電極７と、カソード電極６よりも正電位となるように第一のキーパ電極７に電圧を印加する引出し電源１３と、第一のキーパ電極７と離間して配設された第二のキーパ電極８と、この第二のキーパ電極８にカソード電極６よりも正電位となる自己バイアス電圧を印加するコンデンサ１６と、を備える。第二のキーパ電極８の自己バイアス電圧により多くの電子電流が引き出すことができると共に、第二のキーパ電極８はスパッタされにくくなるため、長寿命化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡単かつコンパクトな機構の多元薄膜形成装置を低コストで提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバ内で処理基板に対向させて同一円周上に配置した複数の蒸発源と、いずれかの蒸発源の蒸発粒子が他の蒸発源に再付着することを防止するために各蒸発源を遮る複数の遮蔽手段とを備え、この遮蔽手段は、上記円周の中心を通る線を回転中心として回動自在に設けられたアーム部と、このアーム部の先端に設けられたシャッター部とを有し、少なくとも２本のアーム部に対し、押圧力または引張力のいずれか一方を加えて、上記蒸発源を開放する開放位置と上記シャッター部によって遮蔽する遮蔽位置とに回動させる移動手段を備えたことを特徴とする多元薄膜形成装置を提供する。
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【課題】絶縁膜上での抵抗が十分に高く、且つ銅配線上での抵抗が十分に低いキャップ層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第３の層間絶縁膜１０を形成する工程と、第３の層間絶縁膜１０に第１の配線溝１０ａを形成する工程と、第１の配線溝１０ａに銅を埋め込んで第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂにする工程と、第３の層間絶縁膜１０と第１、第２の銅配線１２ａ、１２ｂの上に、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いる反応性スパッタ法により、キャップ層１３として窒化ジルコニウム層を形成する工程とを有し、第３の層間絶縁膜１０上に形成されるキャップ層１３は、比抵抗が１×１０⁹μΩ・ｃｍ以上となるように形成される半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ１の内壁やチャンバ１内の構造物の表面への付着物の状況を定量的に把握することができる基板処理装置とする。
【解決手段】 チャンバ１に透明な筒部２１を設け、筒部２１を介してレーザ発信手段２２からのレーザ光を受光手段２３で受光し、チャンバ１を貫通するレーザ光の透過率によりチャンバ１の内壁への付着物の付着量を付着確認手段２４で判断し、チャンバ１の内壁やチャンバ１内の構造物の表面への付着物の状況を定量的に把握する。 （もっと読む）