【課題】これまで使用されてきた電界あるいはプラズマ等の補助的手段に頼ることなく、低い温度で配向成長したカーボンナノチューブを製造できる新しい方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを供給してＣＶＤ法により基材１４上にカーボンナノチューブを垂直方向に配向させる方法であって、成長室１０内に遷移金属を含む触媒の形成された基板１４を配置する工程と、成長室１０内に配置したフィラメント１２を４００〜６００℃に加熱して、電界及びプラズマのいずれも用いずに、カーボンナノチューブを成長される工程とを含む方法とする。 （もっと読む）

本発明は一般的に、材料の堆積のための方法を提供し、さらに詳細には、本発明の実施形態は、障壁層、シード層、導電材料および誘電材料を堆積するために、光励起技術を利用する化学気相堆積処理および原子層堆積処理に関する。本発明の実施形態は一般的に、支援型処理の方法および装置を提供し、支援型処理は、均一に堆積される材料を提供するために行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型電気光学装置は、珪素膜と、前記珪素膜に接したゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接したゲイト電極と、前記ゲイト電極上の窒化珪素膜と、前記珪素膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有し、前記ゲイト電極はアルミニウム膜又はアルミニウムを主成分とする膜からなり、前記ゲイト電極中における酸素濃度が８×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、炭素濃度が５×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、窒素濃度が７×１０^１７個ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ、Ｃｕなどの金属又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金からなる膜と密着性がよく、また、耐食性があって、異常放電が少ない膜を形成できるとともに、大型基板に成膜可能なスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】基板上にＭｏ−Ｔｉ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Ｔｉを５０原子％より高く、６０原子％以下含有し、残部Ｍｏ及び不可避的不純物からなり、相対密度が９８％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット、並びにこれを２以上拡散接合した少なくともその一辺が１０００ｍｍ以上である接合型スパッタリングターゲット及び接合型スパッタリングターゲットの作製方法。 （もっと読む）

平板ディスプレイを製造するための物理蒸着用ターゲットが実現される。このターゲットは、原子パーセントで、約９０〜９９．９８の量の、アルミニウムである第１成分、約０．０１〜２．０の量の、Ｎｄ、Ｃｅ、ＤｙおよびＧｄから成る群から選択された希土類元素である第２成分、および、約０．０１〜８．０の量の、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、ＳｃおよびＨｆから成る群から選択された第３成分を有する三元合金を含む。
（もっと読む）

【課題】蒸着材料及びトリガ電極間の短絡を防止して安定したアーク放電を行うことができる同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】筒状のアノード電極６と、中心軸線をアノード電極６の中心軸線と略一致させアノード電極６部に配置された柱状蒸着材料７と、蒸着材料７の周囲に配置された筒状絶縁部材８と、絶縁部材８の周囲に配置された筒状のトリガ電極９を有する。トリガ電極９と蒸着材料７の間のトリガ放電によりアノード電極６と蒸着材料７の間にアーク放電を誘起させ蒸着材料７から放出された粒子をアノード開放口６０から放出させる。蒸着材料７のアノード開放口６０側の端面７ａが絶縁部材８のアノード開放口６０側の端面８ａに対し第１の凹み基準値だけ凹み、トリガ電極９のアノード開放口６０側の端面９ａが、絶縁部材８のアノード開放口６０側の端面８ａに対し第２の凹み基準値だけ凹むように配置される。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなく凹部の内壁面に十分な厚さのシード膜やバリヤ層等の薄膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、前記金属イオンを前記処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部２，４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで前記凹部内を含む前記被処理体の表面に薄膜を形成するようにした成膜方法において、前記バイアス電力を、前記被処理体の表面が実質的にスパッタされない領域下にて変化させるようにする。これにより、オーバハング部分を生ぜしめることなく凹部の内壁面に十分な厚さのシード膜やバリヤ層等の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノッチを有する半導体基板に、プロセスガスが用いられて成膜が行われるに際し、膜厚異常部の発生を抑制することができ、半導体基板における有効チップ領域を広範囲に亘って確保することができて良品率を向上することができる半導体基板及び半導体素子製造方法を提供すること。
【解決手段】基板周縁部にノッチ２を有し、基板厚さ方向一側の面を、プロセスガスが用いられて成膜される成膜面（表面３）とする半導体基板（ウェーハ１）であって、成膜面と反対側の面（裏面４）におけるノッチ２の周囲近傍に、裏面４側から表面３側へと流れるプロセスガスを、基板外周方向へと導くガイド凹部３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体やフラットパネルディスプレイ等の基板への成膜に用いる真空装置の部材において、成膜操作中にターゲット上に付着した膜が剥がれてその周辺に再付着するような、付着性が非常に弱い膜状物質に対しても有効な保持力を有し、パーティクルや異常放電の発生がなく、長時間の連続使用が可能な部材を提供する。
【解決手段】基材上に、構成するスプラットが傾斜して積み重なった塊状突起とスプラットがほとんど積み重なっていない谷の部分が交互に存在するひだ状の溶射膜を設け、塊状突起の幅としては５０〜５００μｍ、谷の幅としては１００〜５００μｍ、谷の深さとしては１００〜１０００μｍ、塊状突起の積み重なる方向が基材に対し、３０〜８０度であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバ天井部を能動的に冷却しなければならないコールドウォール式堆積プロセスを行うための汎用型の装置を開発する。
【解決手段】基板(4)上に１または複数の層を堆積するための装置であり、反応炉ハウジング(1)内に配置されかつ基板を載置させる加熱可能な床部(3)とこれに平行な天井部(5)とを備えたたプロセスチャンバ(2)と、プロセスガスの流入手段(6)とを有する。天井部(5)と床部(3)との間の距離(H)は、鉛直方向においてゼロまで短くできる。層を堆積させるプロセス位置においては、天井部(5)の上方に設けられた冷却部品(7)を用いて天井部(5)が冷却され、天井部(5)と床部(3)との間の距離(H)が短くなると、冷却部品(7)と天井部(5)との間の距離が長くなる。 （もっと読む）