【課題】バリアメタルの材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する高融点金属窒化膜の形成方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。
【解決手段】高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ここで記述の本発明の実施形態は、一般的に、コバルトシリサイド層、金属コバルト層、他のコバルト含有材料を形成する方法および装置を提供する。一実施形態では、基板上にコバルトシリサイド含有材料を形成する方法を提供し、この方法では、シリコン含有面をさらすために、基板に少なくとも１つの前洗浄プロセスを施し、シリコン含面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、コバルトシリサイド材料上に金属コバルト材料を堆積し、基板上に金属接触材料を堆積する。別の実施形態では、方法は、シリコン含有面をさらすために基板を少なくとも１つの前洗浄プロセスにさらし、シリコン含有面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、基板にアニールプロセスを施し、コバルトシリサイド材料上にバリア材料を堆積し、バリア材料上に金属接触材料を堆積する。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニル前駆体を用いて基板上に形成される金属薄膜のＣＯ中毒を抑制する方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属薄膜８４０、８６０は、薄膜堆積システム１、１００の基板ホルダー２０、１２０上に載せられた基板２５、１２５上に形成される。基板ホルダー２０、１２０は、基板ホルダー２０、１２０の周辺端部に位置付けられて基板２５、１２５の周辺端部を取り囲む防御リング２１、１２４を有する。防御リング２１、１２４は基板２５、１２５の周辺端部でのＣＯ副生成物の生成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高堆積レートで膜の均一性の良好な堆積システムを提供する。
【解決手段】供給ガスとして金属カルボニル先駆体（５２）及びＣＯを利用する堆積プロセスの初期化方法及びシステムについて説明する。プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。ＣＯガス及び蒸気先駆体が排気系へ流れる間、たとえば不活性ガス、ＣＯ又はこれらを混合させたガスのようなパージガスが、プロセスチャンバ（１０）に導入されて良い。一旦安定したＣＯガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、ＣＯガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ（１０）に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 （もっと読む）

【課題】高圧処理装置の耐圧容器を開放せずに、また耐圧容器内を低い温度でクリーニングすること
【解決手段】耐圧容器内へ酸化剤を供給して耐圧容器内の壁面等に堆積したＣｕを銅酸化物に酸化させ、次いで耐圧容器内へエッチング剤を供給してこの銅酸化物を超臨界状態の二酸化炭素に溶解可能な銅化合物に変化させ、その後超臨界状態の二酸化炭素を耐圧容器内へ供給してこの銅化合物を溶解して、耐圧容器内から排出することによって、耐圧容器内に堆積したＣｕを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により形成される膜のウエハ面内の膜厚分布の均一性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】コリメータ１１５の本体１１６を中央部から周辺部にかけて徐徐に薄くして、本体１１６に設けられる多数個の制御孔１１７のアスペクト比をコリメータ１１５の中央から外側にかけて連続的に小さくする。このコリメータ１１５をウエハとターゲットとの間に設置し、３００℃以上に加熱されたウエハの上に膜厚１０ｎｍ程度のコバルト膜を堆積し、続いてコバルト膜の上に窒化シリコン膜を堆積した後、シリサイド反応によりコバルトダイシリサイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】気化可能な金属原料および金属原料の気化装置の使用を必要とせずに成膜が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器３１，３２と、ハロゲン原子を含むガス（例えばＨＣｌ）を供給するガス供給手段６０と、プラズマ発生手段４２，４４と、半導体基板Ｗが載置される基板載置台３３と、プラズマで処理されて半導体基板Ｗ上に形成すべき膜の前駆体を放出する金属部材１１と、金属部材１１に第１高周波電力を供給する第１配線１９と、基板載置台３３に第２高周波電力を供給する第２配線３９と、を備えた、プラズマ処理装置１とする。この装置は、気化装置を不要とし、１つの装置でエッチングとＣＶＤとを行うに適した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、微細孔を有する基材に対してもボトムカバレージの向上した膜を形成することのできる基材保持装置を提供する。
【解決手段】真空成膜槽に用いられる基材保持装置であって、前記真空成膜槽の外部に設けられた駆動源１４と、該駆動源１４に取り付けられ前記真空成膜槽１に対し気密的に摺動自在に配設された駆動部材１３と、該駆動部材１３に取り付けられ、平面視においてその外周が実質的に円形に形成されかつ側面視において実質的に平板状に形成された基材ホルダ１１と、を備え、前記駆動源１４が、その駆動力を前記駆動部材１３に伝達することによって前記駆動部材１３を往復動させることにより、前記基材ホルダ１１を回転させずにその厚み方向に揺動させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法でＴａＳｉＮ系又はＴｉＳｉＮ系膜によるゲート電極を形成することで、成膜時の組成を制御することトランジスタの閾値電圧を制御する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ原料として水素化シリコン、Ｔａ原料としてＴａのアミド化合物、イミド化合物又はハロゲン化物から選択される１つと又はＴｉ原料として四塩化チタンを、Ｎ原料としてはＮＨ_３とをそれぞれ供給して、Ｓｉ堆積膜層が０．２〜２．０ｎｍ、ＴａＮ又はＴｉＮ堆積膜層が０．５〜３．０ｎｍを交互に積層させ、ＴａＳｉ_ｘＮ_ｙ又はＴｉＳｉ_ｘＮ_ｙ膜層（ここで、ｘが０．１〜３．０、ｙが０．５〜５．０の範囲にする。）を１〜２０ｎｍの層厚にする半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。
【解決手段】 電磁石８１には、第１のフォトダイオード８２５と第２のフォトダイオード８２８が設けられており、電磁石８１への通電を制御する通電制御器８２は、第１のフォトダイオード８２５からの光を受ける第１のフォトトランジスタ８２４と、第１のフォトトランジスタ８２４に接続された第１の正側駆動用トランジスタ８２１と、第２のフォトダイオード８２８からの光を受ける第２のフォトトランジスタ８２７と、第２のフォトトランジスタ８２７に接続された負側駆動用トランジスタ８２２とを備えている。第１のフォトトランジスタ８２４がオンすると、電磁石８１に第一の向きに電流が流れ、第２のフォトトランジスタ８２７がオンすると、電磁石８１に逆の第二の向きに電流が流れる。 （もっと読む）