【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させてカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板１上にカルボン酸塩ガスを供給してカルボン酸塩膜２を堆積させる工程と、カルボン酸塩膜２が堆積された基板１にエネルギーを与えてカルボン酸塩膜２を分解して金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。

【解決手段】Ｂ：５〜２０００ｗｔｐｐｍを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、耐熱・耐湿性に優れ、耐薬品性が良好な酸化亜鉛を母材とする透明導電膜を提供する。
【解決手段】アルミニウム添加酸化亜鉛（ＺＡＯ）にインジウムを添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ＋Ｇａ）の原子比で２％を超え６％未満、インジウムの含有量をＩｎ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ＋Ｇａ）の原子比で０．１％を超え１．０％未満、かつガリウムの含有量をＧａ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｉｎ＋Ｇａ）の原子比で０．１％を超え１．０％未満とすることにより、低抵抗率で、かつ、耐熱・耐湿性に優れ、耐薬品性が良好な透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】液体原料に溶解した不活性ガスの量を低減できるガス分離装置及びこれを備える成膜装置を提供する。
【解決手段】ガス分離装置５０は、不活性ガスＧ１によって圧送される液体原料Ｌ１を気化して原料ガスＧ２を生成する第１の気化装置４０と、原料ガスＧ２を用いて成膜を行うためのプロセスチャンバ２０とを備える成膜装置１０に用いられる。ガス分離装置５０は、液体原料Ｌ１を導入するための導入口６０ａと、液体原料Ｌ１を放出するための放出口６０ｂとが形成された分離チャンバ６０を備える。分離チャンバ６０は、液体原料Ｌ１から不活性ガスＧ１を分離するためのものである。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング・高周波動作電子回路において、導電率が大きく、かつ、界面特性の向上と低エネルギー化が実現された、傾斜機能を有する高機能な導電薄膜を提供する。
【解決手段】荷電粒子等生成供給部１０２から、荷電粒子等薄膜構成元素１０３が発生され、発せられた荷電粒子等薄膜構成元素１０３は、それらの運動エネルギーを制御する作用を持つ荷電粒子等エネルギー制御部１０４によってエネルギーを所要の範囲に制御され、目的とする導電薄膜を形成するための下地となる基板１０５に導入される。また、磁界発生印加部１０６により、基板１０５に形成される導電薄膜表面の近傍に、この導電薄膜の膜厚方向と交差する方向の平行磁界が、所要の磁界強度などに制御して印加可能とされている。 （もっと読む）

構造は、好ましくは、基板に形成された半導体デバイスと、半導体デバイスに隣接する絶縁体と、半導体デバイスに電気的に結合された電気コンタクトであって、好ましくはタングステンを含む電気コンタクトと、電気コンタクトに結合された電気コネクタであって、好ましくはアルミニウムを含む電気コネクタと、を含む。絶縁体の表面および電気コンタクトの表面は、好ましくは、略平坦面を形成する。
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【課題】 使用するタングステン粉末の焼結特性及び製造条件を改善することによって、従来の加圧焼結法だけでは達成できなかった高密度かつ微細結晶組織を有し、抗折力を飛躍的に高めたスパッタリング用タングステンターゲットを作成し、これによってスパッタリングによる成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、同タングステンターゲットを低コストかつ安定して製造できる方法を得る。
【解決手段】 粉体比表面積が０．４ｍ²／ｇ（ＢＥＴ法）以上のタングステン粉末を用い、真空あるいは還元雰囲気中、加圧開始温度１２００°Ｃ以下でホットプレス焼結を行った後、さらに熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）することを特徴とするスパッタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１００は、ｎ型またはｐ型の導電型のＧａＡｓ基板１０１と、エピタキシャル成長によって前記ＧａＡｓ基板上に形成された放熱層１１０と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたｎ型またはｐ型の半導体層１４０と、を含み、前記放熱層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層からなり、ｘは、０≦ｘ≦１を満たす。 （もっと読む）

【課題】チタン／窒化チタン積層膜上にアルミニウム膜が形成されたアルミニウム配線を有する半導体製品の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】バリアメタル成膜用のチャンバ６５において、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、シャッタ上にチタン膜を堆積する工程と、シャッタをチャンバ６５内に備わる格納場所へ移動させた後、半導体ウエハＳＷをチャンバ６５内に設置する工程と、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入して半導体ウエハＳＷの主面上にチタン膜を堆積する工程と、チャンバ６５内に窒素を含む不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、チタン膜上に窒化チタン膜を堆積する工程と、アルミニウム成膜用チャンバ６６において、チャンバ６６内に不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、窒化チタン膜上にアルミニウム膜を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】マンガン膜をＣＶＤ法により形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面にマンガン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器１４と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台１６と、前記処理容器内へマンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段１８と、前記処理容器内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段２０とを備える。これにより、マンガン膜をＣＶＤ法により形成する。 （もっと読む）