【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１３は、一端部が基板支持面４５に導通する接地軸５３の他端部に接続され、接地軸５３を接地電位に切替えるリレー回路６１と、接地軸５３の一端部のキャップを基板支持面４５に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね５９と、接地軸５３の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね５９の付勢方向に伸縮するベローズ５７と、圧縮コイルばね５９の付勢方向で狭持されるＯリング６３とを備えている。この構成により、接地軸５３が熱膨張しても基板支持面４５との導通を確保できる。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイス中の酸素拡散バリアとしてＲｕおよび／またはＲｕＯ２を選択的に形成する方法と、そのようなＲｕ系拡散バリアを有するメモリデバイスを提供する。
【解決手段】ＭＩＭキャパシタ構造を形成する方法は、導電性の下部電極プラグ３３を露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのＲｕ成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にＲｕ５０を選択成長させる工程と、選択成長したＲｕ５０を酸化する工程と、酸化したＲｕ５０の上にＲｕ含有下部電極６０を堆積する工程と、Ｒｕ含有下部電極６０の上に誘電体層７０を形成する工程と、誘電体層７０の上に導電性の上部電極７１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、Ｎ：３０〜４３ａｔ％、Ｏ：９〜２７ａｔ％を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｏ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が４．４ｇ／ｃｍ^３以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をＯ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン層上に、抵抗値が低く、かつ平坦性の良好なニッケルモノシリサイド層を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板に形成されたシリコン層を覆ように白金を含むニッケル層を堆積する工程であって、シリコン層に近い部分では遠い部分と比較して結晶性が低くなるように、白金を含むニッケル層を堆積する工程Ｓ０５と、基板を加熱することで、シリコン層と白金を含むニッケル層との界面にニッケルモノシリサイド層を形成する工程Ｓ０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜３０２またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを２０〜８０原子％含有し残部がＭｏおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が１０質量ｐｐｍ以下であるＭｏＴｉターゲット材である。また、本発明のＭｏＴｉターゲット材は、ＭｏＴｉ焼結体を１００Ｐａ未満の圧力、８００℃以上、０．５時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】中間層の形成時に、第２コイル４６および第３コイル６１によってターゲット５３と基体１１との間に磁力線Ｍ１が通るように磁場を発生させることによって、溝部１２の内壁面に均一な厚みで中間層を成膜することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラグが微細化しても埋め込み不良が生じることなく、低コストで形成することができ、さらに種々の半導体装置に適用可能であるプラグ及びその形成技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜にビアを形成し、ビア内側に密着層を形成し、密着層上にシリコン層を形成し、タングステンを含むガスをシリコン層と反応させることにより、ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する。 （もっと読む）