【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるＡｌと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ａｌを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦３０、３≦ｙ≦２０で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】安定したスイッチング動作を低コストで実行する抵抗変化型不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】抵抗変化型不揮発性記憶装置は、第１配線３と、第１配線３上に形成された層間絶縁層５３と、層間絶縁膜５３上に形成された第２配線６と、第１配線３と第２配線６との間に形成された抵抗変化型素子１１とを具備する。層間絶縁層５３は、第１配線３と第２配線６とに挟まれるように形成され、第１配線３の幅以下の幅を有するホール９を備える。抵抗変化型素子１１は、第１配線３と接して、ホール９の底部に形成された下部電極１３と、下部電極１３上に形成された抵抗変化層１２と、抵抗変化層１２上に形成された上部電極１１とを備える。下部電極１３、抵抗変化層１２及び上部電極１１は、ホール９の内部に形成される。第１配線３は銅を含み、下部電極１３、１３ａはルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるＣｕと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦５０、３≦ｙ≦３０、ｘ＋ｙ≦５３で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】処理領域の反応ガスの濃度及び分圧を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理領域に設けられ、基板の載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、回転テーブルの回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、を備え、さらに前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするガイド面を備えるように装置を構成する。そして、ガスノズルとカバー部材における回転方向上流側の側壁部との間隔を、ガスノズルから供給された反応ガスが回転方向上流側から前記ガイド面に回り込まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Ｗを吸着する静電チャック３を有するステージ２と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードＣと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段４とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＯＨ膜からなる層間絶縁膜に形成された埋め込み用の凹部に銅材を埋め込んで導電路を形成するにあたり、導電路の抵抗を低くすること。
【解決手段】ＳｉＣＯＨ膜にプラズマにより凹部を形成すると表面が疎水性になる。このＳｉＣＯＨ膜に水素ガスのリモートプラズマを供給し、Ｈラジカル及びＨイオンにより凹部の表面を親水性に改質する。またプラズマに代えて過酸化水素水を供給してもよく、この場合表面にＯＨ基が形成される。次いで例えばＲｕ_３（ＣＯ）_１２ガスとＣＯガスとを用いてＣＶＤによりＲｕ膜４を成膜し、その後銅材５を埋め込み、ＣＭＰ処理をして上層側の配線構造を形成する。また改質にあたって、グリム、ＤＭＥＤＡなどを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより初期ニッケル膜を成膜する第１工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたＣＶＤにより主ニッケル膜を成膜する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】常温で液体であり、そして安定性に富んでおり、原料の安定供給が行え、高品質なハフニウム系薄膜を安定して形成できる技術を提供する。
【解決手段】下記の一般式［Ｉ］で表される化合物であるハフニウム系薄膜形成材料。
一般式［Ｉ］
ＬＨｆ（ＮＲ^１Ｒ^２）_３
（但し、Ｌは置換シクロペンタジエニル基、Ｒ^１，Ｒ^２はアルキル基であり、Ｒ^１とＲ^２とは互いに異なっていても同じであってもよい。） （もっと読む）