【課題】ＭＩＭキャパシタ構造の絶縁膜の静電破壊の原因となる上部電極膜への電荷蓄積を抑制できるキャパシタ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】キャパシタ構造の製造方法は、基板１０上に下部電極膜７１を形成する工程と、下部電極膜７１上に絶縁膜７２を形成する工程と、アースされた導電性部材であるクランプリング８１を絶縁膜７２の外周近傍の所定領域に接触させる工程と、スパッタ法によって絶縁膜７２上、及び、絶縁膜７２上とクランプリング８１とを繋ぐ領域に上部電極膜７３を形成する工程と、絶縁膜７２からクランプリング８１を引き離す工程と有する。このようにして、上部電極膜７３を形成する際に、上部電極膜７３に電子が到達し難くしているので、上部電極膜７３に蓄積された電荷を原因とする絶縁膜７２の静電破壊の発生率を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタや透明電極層を備える表示デバイスにおいて、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明電極層との直接接合が可能であるとともに、ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とも直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】 Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料において、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％、ボロンの含有量を原子百分率Ｙａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦１０．０、０．０５≦Ｙ≦１１．０、Ｙ＋０．２５Ｘ≧１．０、Ｙ＋１．１５Ｘ≦１１．５の各式を満足する領域の範囲内にあり、残部がアルミニウムであるＡｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅を触媒としてシリコンワイヤを成長する方法に関する。
【解決手段】本発明に係るシリコンワイヤの成長方法は、基材を提供する段階と、前記基材に複数の銅粒子からなる触媒層を形成する段階と、７００Ｔｏｒｒの圧力で、保護ガス及び反応ガスを導入して、前記触媒層が形成された前記基材を４５０℃以上程度に加熱して、前記基材にシリコンワイヤを成長させる段階と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、１又はそれ以上の基板（１０１）上にルテニウム金属化合物含有膜を蒸着するための方法を提供する。所望の金属化合物が、適切な溶媒内に最初に溶解される。前駆体混合物が次いで蒸発されて、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＡＬＤ、などを備えた処理方法によって基板上の金属化合物の蒸着に使用される処理チャンバ（１００）に供給される。この方法は、高品質な実質的に一様な膜の蒸着に結びつく、その上、この方法は金属化合物成分の効率的利用をして、金属化合物の蒸着のためのコストを減少させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の劣化特性及び電流の漏れ現象を防止することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１００と、半導体基板１００上に高誘電性物質で形成されるゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上にアルミニウム合金で形成されるバリア金属膜１３０と、バリア金属膜１３０上に形成されるゲート電極層１４０と、を含む。バリア金属膜１３０は、タンタルアルミニウム窒化膜又はチタンアルミニウム窒化膜で形成される。従って、バリア金属膜を耐酸化性の大きい物質で形成することで、酸素雰囲気の中で半導体装置の後続熱処理工程中のバリア金属膜の酸化を防止し、ゲート電極の劣化特性及び電流漏れ現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 製造が容易にして、安定して作用する薄膜蒸着用ヒータを提供する。
【解決手段】ウェーハが載置され、発熱部材が内蔵され、エッジ側に複数の噴射ホールが形成されたウェーハ支持プレートと、ウェーハ支持プレートの下側に配置され、不活性ガスの供給のための不活性ガス通路が形成されたシャフトと、ウェーハ支持プレートの下部に結合され、ウェーハ支持プレートとの間に内部空間を形成する流路形成カバーと、を備え、内部空間は、噴射ホールと不活性ガス通路とを連結することを特徴とする薄膜蒸着用ヒータである。 （もっと読む）