【課題】ハロゲン化金属還元ＣＶＤ法を用いて所望の処理を施す際に、被処理体近傍における各成分の量的バランスを容易に制御し、被処理体表面に所望の処理を行い、より効率的で高品質な処理を行うことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】ハロゲンラジカルを用いて金属製の被エッチング部材８をエッチングし、被エッチング部材８に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成し、被処理体２に所望の処理を施すに際し、被処理体２と被エッチング部材８との距離を相対的に変化させながら被処理体２近傍に存在する複数成分のモル比を観察し、複数成分が所望のモル比となる距離に被処理体２と被エッチング部材８との相対位置を固定して所望の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】段差切れのない化合物バリア膜を単一の装置により１プロセスで形成する方法を提供すること
【解決手段】真空室内１に、直流電源５に接続されたメタルターゲット６とその背後の磁石７及び該ターゲットの前方のイオン化率を高めるＲＦコイル８を備えたマグネトロンカソード９を設け、プラズマ発生のための該ターゲット及びＲＦコイルへの投入電力と、該真空室内へ導入するスパッタ用不活性ガス及び反応性ガスの流量とを制御し、該ターゲットに対向して設けたシリコン半導体基板１３の表面にメタル膜の成膜と該メタル膜の化合物化を交互に繰り返して化合物バリア膜を形成する （もっと読む）

【課題】多層配線構造を備えた半導体装置において、配線溝底面におけるバリアメタル膜の消失を回避しつつ、ビアプラグ下端において下層配線パターンと確実なコンタクトを実現する。
【解決手段】配線溝およびビアホールの側壁面および底面を覆うようにバリアメタル膜をスパッタ法により堆積する際に、前記バリアメタル膜の堆積を、層間絶縁膜主面上における堆積速度がスパッタエッチング速度よりも大きくなる第１の条件で前記バリアメタル膜の堆積を行う第１のスパッタ工程と、前記層間絶縁膜主面上における堆積速度とスパッタエッチング速度がほぼ等しくなる第２の条件で前記バリアメタル膜の堆積を行う第２のスパッタ工程により、実行する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する際の下地を酸化させることなく、段差被覆性に優れた薄膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して基板上へ吸着させる工程と、処理室内に酸素含有ガスと還元ガスとを供給して、還元ガスにより基板の酸化を還元させつつ、基板上に吸着している原料ガスと酸素含有ガスとを反応させることにより基板上に薄膜を生成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返し、基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、所望膜厚の薄膜形成後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｌ_１）_ｙＭ（Ｌ_２）_ｚ−ｙ（ここで、Ｍは第５族金属又は第６族金属であり、Ｌ_１は置換又は非置換アニオン性６電子供与体リガンドであり、Ｌ_２は同じか異なり、かつ、（ｉ）置換若しくは非置換アニオン性２電子供与体リガンド、（ｉｉ）置換若しくは非置換カチオン性２電子供与体リガンド、又は（ｉｉｉ）置換若しくは非置換中性２電子供与体リガンドであり、ｙは整数１であり、ｚはＭの原子価であり、Ｍの酸化数とＬ_１及びＬ_２の電荷との合計は０に等しい）で表される有機金属化合物、有機金属化合物を製造する方法並びに有機金属前駆体化合物の熱的又はプラズマ強化解離により基体上に金属及び／又は金属炭化物／窒化物層を堆積する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Ｃｕ配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０上の絶縁層１４，１５をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のＣｕ層の表面１０に原子層成長（ＡＬＤ）ブロック層を形成する。この後、原子層成長（ＡＬＤ）法を用いてＴｉＮバリア材料２６を絶縁層表面１２、１３に堆積する。ブロック層により、ビア底部のＣｕ層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のＣｕは露出した状態のままである。開口部内にＣｕ１８を充填するとＣｕ層に直接接続することが出来る。 （もっと読む）

【課題】薄膜を形成する際の下地を酸化させることなく、段差被覆性に優れた薄膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に液体原料を気化した原料ガスを供給して前記基板上へ吸着させる工程と、前記処理室内に熱反応により原子状水素又は水素イオンを放出する反応ガスを供給し、前記基板上に吸着した前記原料ガスと反応させて前記基板上に薄膜を生成する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、
（Ｒ_ｎ−ｃｈｄ）Ｒｕ（ＣＯ）_３
の化学式を持つルテニウム含有前駆体の使用方法であって、（ここで
−（Ｒ_ｎ−ｃｈｄ）は、ｎ個の置換基Ｒで置換され、任意のＲがｃｈｄ配位子の任意の位置に存在する１つのシクロヘキサジエン（ｃｈｄ）配位子を表し、
−ｎは１〜８（１≦ｎ≦８）の整数であって、ｃｈｄ配位子上の置換基の数を表し、
−ｃｈｄ配位子上の８つの利用できる位置のうちいずれかに配置されるＲに関してＲはＣ１−Ｃ４の直鎖または分枝アルキル、アルキルアミド、アルコキシド、アルキルシリルアミド、アミド化物、カルボニルおよび／またはフルオロアルキルからなる群から選択されるが、二重結合に関係しないｃｈｄ環内のＣ位置への置換に関してＲは酸素Ｏでもよい）
基板上にＲｕ含有膜を堆積するための使用方法にも関する。
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【課題】従来のルテニウム膜は基板への接着性が低い、抵抗値を増大させる不純物が膜中に残る、ルテニウム前駆体は蒸気圧が低い、共反応物として酸素を使用した場合に下地層が部分酸化してしまう等の問題があり、これらを解決するルテニウム前駆体を提供する。
【解決手段】Ｒｕ（ＸＯｐ）（ＸＣｐ）、Ｒｕ（ＸＯｐ）₂、Ｒｕ（アリル）₃、ＲｕＸ（アリル）₂、ＲｕＸ₂（アリル）₂、Ｒｕ（ＣＯ）_x（アミジネイト）_y、Ｒｕ（ジケトネイト）₂（アミジネイト）₂、それらの誘導体およびそれらの混合物から実質的になる群から選ばれるルテニウム前駆体を含むルテニウム含有フィルム堆積用ルテニウム含有前駆体。 （もっと読む）