【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低Ｋ薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の２つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低Ｋ誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Ｋの酸素が豊富な部分を通過し、低Ｋ部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低Ｋ部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法、例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができ、腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態であり、電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を使用せずバルク基板を用いてフィン型ＦＥＴを製造すると、従来技術では素子領域と半導体基板との間の絶縁耐圧が低くなっていた。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、素子分離膜の形成時にマスクとして用いる耐酸化用膜を、半導体基板表面に設ける溝部の底部から所定の距離まで離間した部分を除いて立設部の表面に形成することで、立設部の下部の素子分離膜がほぼ一定の膜厚にすることができた。このため、立設部と半導体基板との間の絶縁耐圧が向上し、リークもなく、信頼性が向上した。 （もっと読む）

【課題】機能性インクの吐出安定性を有するインクジェット法による薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】基板２０２を保持するステージ２０３と、ステージ２０３に対向して配置されインクジェット法により機能性インクをノズルから吐出して基板２０２上に塗布するＩＪヘッド２０８と、を有し、ステージ２０３及び／又はＩＪヘッド２０８を相対的に移動させて基板２０２上に機能性インクを吐出し任意のパターンで塗布する液体吐出塗布機構部と、基板２０２上の機能性インクを加熱し結晶化させて機能性薄膜とする加熱機構部と、を備え、前記液体吐出塗布機構部におけるステージ２０３は、ＩＪヘッド２０８の前記機能性インクを塗布するときの走査行路上に前記ノズルと摺擦するワイピングブレード２１２を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層１１２に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合）などの不純物を、酸化物半導体層１１２より排除し、上記酸化物半導体層１１２中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層１１２と接して設けられるゲート絶縁層１３２及び／又は絶縁層１１６に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層１１２に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス設計等では、金属酸化物ＡＯと金属Ｍ（あるいはＭＡ）との極性界面が酸素終端になるかそれとも金属終端になるかでこの界面の特性が大きく変化するので、どちらの終端界面が現れるかを事前に高い精度で予測する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ａの金属Ｍ上への吸着エネルギーＡｏｎＭ、Ｍの金属Ｍ上への吸着エネルギーＭｏｎＭを求める。（ｂ）金属Ｍ上への酸素の吸着エネルギーＯｏｎＭを求める。（ｃ）下記の２つの式（ＡｏｎＭ）−（ＯｏｎＭ）、｛（ＡｏｎＭ）−（ＭｏｎＭ）｝−｛（ＯｏｎＭ）−（Ｏ_２解離エネルギー）／２｝の符号が、両方とも正ならば界面終端元素はＡ金属、両方とも負ならば界面終端元素は酸素、両者の符合が異なる場合は界面終端元素は実験条件に依存して変化する。 （もっと読む）

【課題】基板面内において均一な膜組成で薄膜を形成することができる薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る薄膜製造方法は、基板中央の温度（第１の温度）よりも基板周縁の温度（第２の温度）を高温に維持して成膜するようにしている。このような温度分布を形成することで、基板周縁の蒸気圧が基板中央の蒸気圧よりも高くなり、基板周縁において気相中に含有できる高蒸気圧成分の量を増加させることができる。これにより、基板周縁部上に高濃度に分布するガス種の析出を抑制でき、基板面内において均一な組成の薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板２１６をチャンバ２１０内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ２１０内に流入させ、プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板２１６上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第１電力レベル以下に逓減させる。 （もっと読む）