本発明の半導体基板用熱処理治具によれば、半導体基板と直接接触して支持するシリコン材料から構成される第１の治具と、この第１の治具を保持するとともに熱処理ボートに載置するための第２の治具（ホルダ）とからなる２分割構造で構成し、さらに治具材料の最適化を図るとともに、表面粗さと表面平坦度を規定することにより、熱処理時に半導体基板の特定箇所への応力集中を抑制し、治具の変形を低減できる。これにより、自重応力の大きい半導体ウェーハを熱処理する場合、また熱応力の大きい条件で熱処理する場合でも、スリップの発生を有効に防止でき、安定した半導体基板用の熱処理
として広く適用できる。 （もっと読む）

本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第１電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第１電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第１電気導電層上に第１電気絶縁層が形成され、この第１電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第１距離だけ伸びるＭＥＭＳの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第１電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
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【課題】比較的高い温度およびエネルギーレベルに耐えることができ、かつスパッタリングのコンタミネーションの可能性を低減したウエハーホルダを提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂から形成されたウエハー保持構造であって、例えば、ＳＩＭＯＸウエハープロセスを含む半導体プロセスに用いられる。一実施形態では、ピンが、ウエハーの縁を受容するように構成され、ウエハーホルダ組立体に結合される。このピンは、導電材料で満たして、ウエハーとウエハーホルダ組立体との間に、グランドに接続できる電気経路を形成することができる。この構成により、イオン注入プロセスの際にウエハーからの放電を防止する導電経路が得られる。このピンは、ウエハーの局所的な熱の放散が起こらないように断熱特性および十分な硬度を有するが、ウエハーにマークを付けたり、他の損傷を与えない程度に軟質である。 （もっと読む）

本発明は、ウエハより接着剤付きＩＣチップを作成し、キャリアに固着する電子部材の製造方法及び接着材付きＩＣチップに関し、ボイドの発生を防ぎＩＣチップと接着材間の接着力を確保しつつ、ダイシングフィルムにウエハを接着する熱硬化型の接着材をキャリアへ電子部材を固着する際の接着材としても利用することで、安価でかつ工程の簡略化を図るものである。
ベースフィルム上に設けられた熱硬化型の接着材に対して、ウエハを貼り付ける接着材貼り付け工程と、ベースフィルムをダイシングフィルムに貼り付けるダイシングフィルム貼り付け工程と、ウエハと熱硬化型の接着材を切断しＩＣチップに分離するＩＣチップ分離工程と、熱硬化型の接着材が貼り付いたＩＣチップをキャリアに貼り付けるマウント工程と、を含み、接着材貼り付け工程の貼り付け温度において、熱硬化型の接着材の粘度が２０，０００Ｐａ・ｓ以下とする。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。
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外側支持面と、冷却要素と、支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置されている加熱要素と、この加熱要素と冷却要素との間に位置され、第１の内側面と第２の内側面とにより形成される連絡空間とを有する、基板を支持するための基板ホルダ。連絡空間に流体が入れられると、前記加熱要素と冷却要素との間の熱伝導率は、増加される。

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本発明は無焼結窒化アルミニウム（ＡｌＮ）静電チャックおよびその製造方法に係わり、特に本発明はウエハーの加工時にウエハーを固定させるために使用する静電チャックにおいて、焼結工程や接着工程を行わずに誘電体を結合して使用することによって優れた静電特性を有すると共に優れた結合強度および熱伝導度を有する窒化アルミニウムのコーティング層が誘電体であることを特徴とする無焼結窒化アルミニウム（ＡｌＮ）静電チャックおよびその製造方法に関する。 本発明は、静電チャックにおいて、誘電体がコーティングによって生成される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であるので静電チャックの特性を向上させることができる窒化アルミニウム層を誘電体に使用するようになることによって、優れた静電特性および熱伝導性を有すると共に、これを焼結工程や接着工程を行わずに生成するようになるので優れた結合強度および熱伝導度を有する静電チャックを製作することができる。

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本発明は、単相方形波交流クランプ電圧を用いて、Ｊ−Ｒ型静電チャックにウエハをクランプする方法及びシステムを提供する。この方法は、ウエハ、静電チャック及び漏洩性誘電体層の表面形状に関連した最小残留クランプ力に基づいて単相方形波クランプ電圧を決定する。ウエハは、静電チャック上に配置され、前記決定された単相方形波クランプ電圧を静電チャックに印加してウエハを静電チャックにクランプし、最小残留クランプ力が、前記クランプ電圧の極性切換え中、維持される。前記表面形状の決定は、ウエハと静電チャックとの間に第１ギャップと第２ギャップを定め、第１、第２ギャップのそれぞれに関連したＲＣ時定数の差が、前記クランプ電圧の極性切換え中、前記最小残留クランプ力が維持されるように与えられる。前記方形波クランプ電圧を取り除く際の脱着時間が、方形波クランプ電圧のパルス幅に対応するように減じられる。 （もっと読む）

【課題】クランプ用の単相交流の方形波電圧を用いて、ウエハを静電チャックにクランプさせる方法を提供する。
【解決手段】この方法では、少なくとも部分的にウエハの慣性応答時間に基づいて、静電チャック150用に、クランプ用の単相方形波電圧を決定する。次に、ウエハを静電チャック150上に置き、ウエハと静電チャック150の間にギャップを定める。次に、決定されたクランプ用の単相方形波電圧を印加して、ウエハを静電チャック150に対して一般に所定の距離でクランプさせるが、静電荷量を一般に蓄積させないようにして、ウエハを早くクランプから解除させるようにする。 （もっと読む）

本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）