【課題】強度及び導電率のバランスに優れ、しかも、垂下カールが抑制されたＣｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金条を提供する。
【解決手段】Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．１〜０．７質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金条であって、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定により得られる結果で、下記の（ａ）を満たす銅合金条：（ａ）{２００}極点図においてα＝２５°におけるβ走査による回折ピーク強度のうち、β角度１２０°のピーク高さが標準銅粉末のそれに対して１０倍以上であること。 （もっと読む）

【課題】樹脂と金属の一体構造であるＬＥＤ発光素子搭載用リードフレームを成型する際、樹脂バリが発生しない、もしくは、樹脂バリが発生しても少量となるような構造を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＬＥＤチップを搭載するための１乃至複数箇所のパッド部および、それに対面する放熱部と、ＬＥＤチップと電気的接続を行うための電気接続エリアを有するリード部はそれぞれ電気的に絶縁された状態であり、該パッド部および、リード部を取り囲むようにかつ、機能面が出来る限り大きく確保できるように設計された溝が形成されているＬＥＤ発光素子搭載用リードフレームである。 （もっと読む）

【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド１２ａ及びコレクタ用パッド１２ｂと、小電流が流れる小電流用配線（１３１，１３３，１３４）とを含む半導体チップ１０と、コレクタ用パッド１２ｂに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子３０と、エミッタ用パッド１２ａに電気的に接続された金属からなる第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）とを備え、半導体チップ１０、ブロック体５０、エミッタ用端子２０、コレクタ用端子３０が一体的にモールド樹脂６０にてモールドされた半導体装置１００である。この第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）は、一部がモールド樹脂６０の外部に露出し、小電流用配線（１３１，１３３，１３４）を覆っている絶縁性保護膜８０に対向する位置にスリット部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮを用いる半導体装置の低消費電力および高速応答特性のメリットを生かすことのできるデバイス実装構造を実現する。
【解決手段】
ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形されたリードフレームを用いて、当該ダイパッド上にＧａＮデバイス１０を搭載する。そして、ＧａＮデバイスのソース端子１１を、ダイパッド１４とワイヤボンディングして実装される。これにより、チップ裏面からのリーク電流を減らし、オン抵抗を低減するとともに、ゲート−ソース間のループ電流を減らし、ソース配線側の寄生インダクタンスを低減することで、ゲート−ソース間の寄生容量を介したゲート電圧の発振を抑制する。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ等のワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体素子を備える、耐熱性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板に固着された金属ブロックと、前記金属ブロックに固着された、ワイドバンドギャップ半導体を用いた複数の半導体素子と、前記半導体素子に固着された複数のインプラントピンと、前記インプラントピンに固着され、前記半導体素子に対向して配置されたプリント基板と、前記半導体素子とプリント基板の間に少なくとも配置された、最大粒径が１００μｍの充填材を含んでいる封止材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．８〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が１０〜８０％、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】劣化や特性不良を抑制し、電極とリードとを精度よく接合した電子部品を製造することができる。
【解決手段】電極を備える水晶振動子片１とリード３との対を電極と水晶振動子片１の一部とを接触させて複数配列し位置決め状態に支持するベース１０と、ベース１０により支持されたいずれかの対の水晶振動子片１の電極とリード３との接触部分５に向けて、その電極とリード３とを接合する高温ガスを噴射する高温噴射ノズル２３と、高温噴射ノズル２３から噴射された高温ガスにより高温になる接触部分５周辺の高温領域の範囲を限定する低温噴射ノズル２５とを備える電子部品製造装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】プレーナ型チップを用いて、アノードコモン接続方式とし、さらに放熱性を向上させることができる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、ダイパッドと、ダイパッドの一方の主面に一方の電極が接合された半導体素子と、半導体素子の他方の電極に内部リードを介して電気的に接合されたリード端子と、少なくともダイパッドの他方の主面とリード端子の外部接続部を除き、少なくとも半導体素子と内部リードとリード端子の一部は被覆している樹脂封止体とを有する半導体装置において、ダイパッドの一方の主面に半導体素子の一方の電極が第１の金属板を介し電気的に接合され、内部リードの一方の端部に半導体素子の他方の電極が第２の金属板を介し電気的に接合されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂との密着性が高いＬＥＤ素子用リードフレームを提供する。
【解決手段】厚さ方向における第一面に、ＬＥＤ素子が搭載されるパッド部１１と、パッド部と離間して形成され、ワイヤーを介してパッド部に搭載されたＬＥＤ素子と電気的に接続される接続エリア１２とを有するＬＥＤ素子用リードフレーム１０は、パッド部および接続エリアと、ＬＥＤ素子用リードフレームの厚さ方向の第二面とを接続する接続面１５Ａ、１５Ｂのみが、所定の粗さ以上に粗化されていることを特徴とする。 （もっと読む）