【課題】ＬＥＤチップが搭載されるパッドを有するＬＥＤチップ搭載部と、該ＬＥＤチップ搭載部と離間して配置され前記ＬＥＤチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結された多面付けリードフレームと、前記ＬＥＤチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記多面付けリードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断により除去して個片基板を製造するためのＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、個片基板への切断時にリードフレーム基板が反ってしまい切断装置に入らないという問題があった。
【解決手段】この課題を解決するため、前記個片基板は六角形状とし、さらに、当該個片基板が平面充填されたＬＥＤ素子用リードフレーム基板とする。 （もっと読む）

【課題】先端に端子部を設けた一方のリード端子と，この一方のリード端子の端子部にマウントした半導体チップと，先端にこの半導体チップの上面に対して重ね接合される端子部を一体的に備えた他方のリード端子と，前記半導体チップ及び両リード端子の端子部の部分を，前記両リード端子の一部が突出するようにパッケージした熱硬化性合成樹脂製のモールド部とから成るパッケージ型二端子半導体装置において，所定の耐曲げ性を確保した状態で小型・軽量化を図る手段を提供する。
【解決手段】他方のリード端子２における端子部２ａの幅寸法を，他方のリード端子の幅寸法よりも狭く，且つ，一方のリード端子１における端子部１ａの幅寸法よりも狭くする。 （もっと読む）

【課題】エッチングリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物半導体パッケージのいくつかの典型的な実施形態を開示する。その一実施形態は、III族窒化物トランジスタのソースの上にスタックしたダイオードのアノードと、III族窒化物トランジスタのゲートおよびダイオードのアノードに結合した第１のリードフレームパドル部分およびIII族窒化物トランジスタのドレインに結合した第２のリードフレームパドル部分を形成するようにエッチングしたリードフレームとを有するIII族窒化物トランジスタからなる。これらリードフレームパドル部分は、パッケージを表面実装するのを可能にする。かくして、従来のワイヤーボンディングパッケージに比べて、縮小パッケージフットプリント、改善されたサージ電流耐性および高性能とを達成することができる。さらに、多重パッケージを一度に組み立て得るから、個別のパッケージ処理と外部供給部品を要求する従来の方法に比べて、高集積とコスト削減を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】圧接による短絡を防止するとともに良好な放熱特性を確保することが可能な圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】圧接型半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された複数列のゲート配線１５と、ゲート配線１５の側面及び上面を覆うように形成された複数の絶縁部１７と、絶縁部１７によって覆われたゲート配線１５同士の間に形成された複数列のエミッタ電極１６と、エミッタ電極１６に圧接された上部電極板２１と、を備え、上部電極板２１は、平板部２１ａと、平板部２１ａから立設された、複数列の第二電極１６と対応する複数列の凸部２１ｂと、を備え、凸部２１ｂの両側面の少なくとも一方は、先細となるテーパ形状を呈しており、当該凸部２１ｂの先端部がエミッタ電極１６と当接している。 （もっと読む）

【課題】パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージの典型的な実施形態を提供する。
【解決手段】パッケージ支持面２６０に取り付け、III族窒化物トランジスタ２３０のソースにスタックされたダイオード２２０のアノードを有するIII族窒化物トランジスタ２３０と、III族窒化物トランジスタ２３０のゲートおよびダイオード２２０のアノードに結合した第１の導電性クリップ２１２ｂと、III族窒化物トランジスタ２３０のドレインに結合した第２の導電性クリップ２１２ａとを含む。導電性クリップ２１２ａ、２１２ｂはパッケージ支持面２６０に結合され、表面実装性の平担部を露出する。 （もっと読む）

【課題】一対のデバイスにおけるリードが互い違いとなった状態を解消できるデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】第一の本体Ｗ１１から第一のリードＷ１５が突出する第一のデバイスＷ１０と、第二の本体Ｗ２１から第二のリードＷ２５が延びる第二のデバイスＷ２０と、両リードを接続する連結部Ｗ３０とを有し、第一のリードと第二のリードとが第一のリードの幅方向に互い違いに配置されたデバイス連結体Ｗから第一のデバイスと第二のデバイスとを分離するデバイス製造装置１であって、デバイス連結体のうち第一のデバイスの重心位置Ｗ１６よりも突出方向Ｘ１側を下方から支持する下部金型１１と、下部金型の上方に配置され、下方に移動することで下部金型と協働して連結部を切断する上部金型１２と、連結部を切断されて自重で移動した第一のデバイスを、幅方向に第一のリードと第二のリードとが重ならないように支持可能なシュート２０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】圧接による電極板の塑性変形を防止することが可能な圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】圧接型半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された複数列のゲート配線１５と、ゲート配線１５の側面及び上面を覆うように形成された複数の絶縁部１７と、絶縁部１７によって覆われたゲート配線１５同士の間を埋めるとともに絶縁部１７の上面を覆うように形成されており、平坦な表面を呈するエミッタ電極１６と、エミッタ電極１７に圧接された上部電極板２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性が向上可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の端子端部１１０が基板２００のスルーホール２０１に挿入されたときに基板と機械的及び電気的に接続される半導体装置であって、半導体装置は、端子端部に設けられ端部が複数に分岐された枝部材１１２を有する分岐部と、スルーホールの一端側から挿入された枝部材間に対してスルーホールの他端側から挿入され各枝部材を押し広げてスルーホール内面へ圧接させる圧接部材３０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧接により半導体素子の制御用電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、電極端子の位置決めを正確に行う。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の制御用電極層と接続される電極端子３と、電極端子３を固定する固定部材４と、を備える半導体モジュール１において、電極端子３の中間部７に挿通孔１０を形成する。そして、固定部材４の電極端子３の中間部７と接する面に、挿通孔１０に挿通する突起部４ａを形成する。また、突起部４ａの端部に、電極端子３が係止する係止部を設ける。固定部材４を、電極端子３の電極接続部６が半導体素子２を押圧するように固定する。電極端子３の電極接続部６は弾性体であり、電極接続部６が弾性変形することで、電極端子３が固定部材４に付勢される。 （もっと読む）

【課題】横方向からのノイズに対するトランジスタ動作の影響を抑制する。
【解決手段】ＧａＮを用いたＨＥＭＴが形成されたチップ３０と、前記チップを搭載する導電性のステージ１１と、前記ステージと前記ＨＥＭＴのソースとに電気的に接続されたソースリード１２と、前記ＨＥＭＴのゲートに電気的に接続されたゲートリード１４と、前記ＨＥＭＴのドレインに電気的に接続されたドレインリード１３と、を具備し、前記ソースリード、前記ドレインリードおよび前記ゲートリードの順に配列されている半導体装置。 （もっと読む）