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国際特許分類[H01L23/48]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置 (2,507)

国際特許分類[H01L23/48]の下位に属する分類

半導体本体に分離できないように適用された引込み層からなるもの
ハンダ付け構造または結合構造からなるもの
集積回路装置用 (1,774)

国際特許分類[H01L23/48]に分類される特許

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【課題】取り扱いが容易な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ1は、相互に離隔した第1及び第2のリードフレーム11,12と、第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子14aが第1のリードフレーム11に接続され、他方の端子14bが第2のリードフレーム12に接続された半導体チップ14と、樹脂体17と、を備える。第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、ベース部11a,12aと、ベース部から延出した複数本の吊ピン11b〜11e,12b〜12eと、を有する。ベース部は、第1及び第2のリードフレームにおける少なくとも相互に対向した部分に配置された薄板部と、薄板部よりも下方に突出した凸部11g,12gと、を有する。そして、薄板部の下面及び側面、凸部の側面、吊ピンの下面及び側面は樹脂体によって覆われており、凸部の下面及び吊ピンの先端面は樹脂体から露出している。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ヒートスプレッダ19上にそれぞれ半田17を介してIGBTチップ15とダイオードチップ16が搭載され、かつ各チップ上に跨がって半田18を介してクリップ20が搭載されて成る半導体装置10において、クリップ20の各チップに接続する第1面20a、及び第3面20dから各チップから遠ざかる方向に折れ曲がった第2面20b及び第4面20eに溝20gが形成されていることで、半田リフロー時に、各チップ上において吸い上がろうとする半田18を溝20gに入り込ませ、半田18の吸い上がり18aを抑制する。これにより、各チップ上の半田18の厚さを確保してパワーサイクル試験等において各チップにかかる熱ストレスを緩和する。 (もっと読む)


【課題】実施形態は、配光制御を低コストで実現し、広い用途に適合可能な半導体発光装置、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子が固着された第1のフレームと、前記第1のフレームから離間して配置され、前記発光素子の電極と金属ワイヤで接続された第2のフレームと、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う樹脂パッケージと、を有する半導体発光装置の製造方法である。複数の前記第1のフレームと、複数の前記第2のフレームと、が交互に配置された金属プレートの表面に、前記発光素子と前記第1のフレームと前記第2のフレームとを覆う第1の樹脂を成形する工程と、前記第1の樹脂を含む前記樹脂パッケージの外周に沿った溝を、前記金属プレートの上に形成する工程と、前記溝の内部に第2の樹脂を充填する工程と、前記第2の樹脂を前記溝に沿って分断し、前記第1の樹脂の外縁を前記第2の樹脂で覆った前記樹脂パッケージを形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】塩害に対する信頼性が向上された、半導体素子を被覆する封止材から外部電極が露出する半導体装置を提供する。
【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する半導体素子と、半導体素子を被覆する封止材と、カソード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第1の外部電極と、アノード電極と電気的に接続され、少なくとも一部が封止材の外部に露出する第2の外部電極と、第1の外部電極と直接に接触して、又は第1の外部電極と塩水により電気的に接続され得るようにして封止材の外部に配置された、第1の外部電極を構成するいずれの金属よりもイオン化傾向の大きい金属が含まれる犠牲金属体とを備える。 (もっと読む)


【課題】コプラナリティの精度を出し易くすることが可能な基板実装部品を提供する。また、特性検査などを実装前に行うことが可能な基板実装部品を提供する。さらに、基板実装部品の製造性を高めることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板実装部品としての光コネクタ2は、線条となる導電性のリードフレーム21を複数導出して回路基板1に表面実装される。複数のリードフレーム21は、絶縁性の平坦度確保部23により一括固定される。平坦度確保部23は、複数のリードフレーム21の並び方向にのびるように形成される。平坦度確保部23は、複数のリードフレーム21に対し固着するように設けてもよいし、着脱自在に設けてもよいものとする。 (もっと読む)


【課題】搭載部材に形成した素子搭載凹部内にLED素子を搭載した半導体装置において、高さ寸法の異なるLED素子を搭載する搭載部材を共通化する。
【解決手段】搭載部材11に形成した素子搭載凹部13の側面に、LED素子15上面の電極部16と接続する電極部17を、該素子搭載凹部13側面の上部から下部まで延びるように形成し、該素子搭載凹部13の側面とLED素子15との間の隙間に絶縁性樹脂18を充填して、LED素子15上面の電極部16と素子搭載凹部13側面の電極部17との間の配線経路を絶縁性樹脂18で平坦化する。そして、この配線経路に配線19を形成してLED素子15上面の電極部16と素子搭載凹部13側面の電極部17との間を該配線19で接続する。配線19は、インクジェット等の液滴吐出法、印刷法、めっき法、エッチング法のいずれかで形成した厚膜パターン又は導電板の貼付により形成する。 (もっと読む)


【課題】接続端子が素地よりも高い電気抵抗率を有する被膜材で被膜されている場合であっても、接続端子と接地プローブとの導通性を確保するようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、半導体素子と、素地よりも高い電気抵抗率を有する被膜材で被膜され、前記半導体素子に接続されると共に溶接によって外部部材と接続される接続端子26,28と、接続端子26,28が溶接される際に生じる溶接電流Iを接地側に流すための接地プローブと接続端子26,28の素地とが接触するように、接続端子26,28の接地プローブ46と接触させる部位に形成される、被膜材が部分的に除去された被膜材除去部38とを設ける。 (もっと読む)


【課題】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップのPN接合部の不純物濃度の面内分布を求める。この求めた不純物濃度の面内分布を持つPN接合部を半導体チップの裏面側に形成する。このPN接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 (もっと読む)


【課題】電子部品リードを配線用バスバーにカシメ接合した電子部品接合構造を提供する。
【解決手段】フラックスを使用する必要はないため、高温中で使用してもフラックスの溶解による気泡は発生せず、この気泡の膨張による接合部の破損は防止できる。バスバーの先端に嵌挿凹部を介して支持片と折り曲げ片を形成し、この嵌挿凹部にリード31を嵌め込み、折り曲げ片を折り曲げることにより折り曲げ片の先端部をリードの周縁に巻きつけるようにカシメるようにすれば、簡単な作業でカシメ接合をすることができる。 (もっと読む)


【課題】LEDチップが搭載されるパッドを有するLEDチップ搭載部と、該LEDチップ搭載部と離間して配置され前記LEDチップに電気的に接続されるリードを形成する電気的接続エリア部とが、タイバーによって複数連結された多面付けリードフレームと、前記LEDチップ搭載部および前記電気的接続エリア部の一部を除く前記多面付けリードフレームの部位を覆う樹脂部とを備え、該樹脂部とともに前記タイバーを切断により除去して個片基板を製造するためのLED素子用リードフレーム基板であって、個片基板への切断時にリードフレーム基板が反ってしまい切断装置に入らないという問題があった。
【解決手段】この課題を解決するため、前記個片基板は六角形状とし、さらに、当該個片基板が平面充填されたLED素子用リードフレーム基板とする。 (もっと読む)


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