【課題】電力半導体デバイスとベース・プレートとの間の電気的及び熱的な接続の長い寿命を有する電力半導体装置、電力半導体モジュール、及び、モジュール・アセンブリを提供する。
【解決手段】金属の取り付けベース６、及びモリブデンのレイヤ４を有するベース・プレート２と、ベース・プレートの上面側に電気的且つ熱的に結合された電力半導体デバイス３と、を有している。ベース・プレートの金属の取り付けベースは、電力半導体デバイスとモリブデンのレイヤとの間に配置され、モリブデンのレイヤが半導体デバイスとの間で高抵抗の金属間の相を形成することを防止する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング分割後のＰｋｇ樹脂クラックを抑える。
【解決手段】発光する発光素子２がリードフレーム３上に搭載され、発光素子２の電極を構成するリードフレーム３，４と樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージ５を用いた発光装置１において、ブレード７による切断時にリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）により樹脂に集中応力が付与されてクラック発生の起因となる保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面角部分の一部または全部に丸みを付けている。 （もっと読む）

【課題】テーパー面を有するリフレクタを備えたリフレクタ付基板を、リードフレームに反りが生じさせることなく製造する方法を提供すること。
【解決手段】リフレクタの前駆体であるシート状樹脂を打ち抜いて、キャビティーを形成するための１又は複数の貫通孔を形成し、この貫通孔に、テーパー面をもつ加熱部材を加熱させながら挿入し、該貫通孔の内壁面を溶融させながら押し広げることで、該貫通孔の内壁面に発光素子の出光側に向かって広がるテーパー面を形成し、リードフレーム上に、内壁面にテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を接着することで、リフレクタ付基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を樹脂ケースにより包容した半導体装置の配線用端子の配置を、簡便に変更する。
【解決手段】樹脂ケース４０に固定支持された複数の外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５と、樹脂ケース４０内に包容された、ＩＧＢＴ素子３０ａ，３０ｂ並びにＦＷＤ素子３１ａ，３１ｂと、このような半導体素子と外部接続用端子５０，５１，５２，５３，５４，５５との電気的接続をする少なくとも一つの配線用端子６０を配設した、少なくとも一つの端子ブロックと、を備えたことを特徴とする半導体装置１が提供される。このような半導体装置１の構成によれば、複数の半導体素子を樹脂ケース４０により包容した半導体装置１の配線用端子６０の配置を、簡便に変更することができる。 （もっと読む）

【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールの温度変化による半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体素子２ａ〜２ｄと、半導体素子２ａ〜２ｄの電極層のいずれかと電気的に接続されるＡＣ電極端子３及びＤＣ電極端子４，５と、を備えた半導体モジュール１において、ＡＣ電極端子３とＤＣ電極端子間４，５にスペーサ６を設ける。スペーサ６は、半導体素子２ａ〜２ｄの近傍に設ける。スペーサ６は、金属からなるスペーサ本体の表面を絶縁被覆することで構成される。スペーサ６を構成する金属材料として、半導体素子２ａ〜２ｄの積層部の平均熱膨張係数と略等しい熱膨張係数を有する金属材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージを成形するにあたり、成形金型のキャビティ内からエアーを外部に確実に送り出し、樹脂の充填不足による成形不良の発生を防止して歩留まりを向上させる。
【解決手段】端子リード１３を有するリードフレーム１を成形金型に設置して樹脂成形を行うことにより樹脂成形体が一体となったパッケージ２を成形するにあたり、リードフレーム１に樹脂成形体の周辺部に連結して支持する複数の吊りリード１４、１４を設け、この吊りリード１４、１４の表面に複数のベント溝１４ａを形成し、キャビティ内のエアーをベント溝１４ａから外部へと送り出す。 （もっと読む）

【課題】全体として小型化されるとともに、材料コスト及び製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。複数の半導体素子１１を有する半導体ウェーハ５０の表面に設けられた、複数の半導体素子のそれぞれの電極４４の上に、導電体からなる第１の凸部８２Ａを形成する。半導体ウェーハの表面であって、複数の半導体素子のそれぞれ隣合う半導体素子の間に溝８５を形成する。隣合う半導体素子の第１の凸部の間隙と、前記溝と、を絶縁体で充填して第１の封止部７０Ａを形成する。半導体ウエーハの裏面側を研磨する。第１の凸部の上に導電体からなる第１のリード８２Ｂを形成する。複数の半導体素子のそれぞれの裏面の側に導電体からなる第２のリード８３Ｂを形成する。複数の溝において第１の封止部を切断して、複数の半導体素子を分離する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の極めて低い半導体装置を量産でき、さらに装置の小型化が実現する実装構造を提供する。
【解決手段】第１のフレーム材料により形成されたアイランド２とアイランド２から延在する第１リード３ａと、アイランド２に固着され上面に第１電極５および第２電極２０が設けられた半導体チップ１と、第２のフレーム材料により形成され第１電極５に固着される電極当接部６と電極当接部６から延在する第２リード３ｂと、第２のフレーム材料により形成され第２電極１０と電気的に接続されるポスト８とポスト８から延在する第３リード３ｃと、アイランド２、電極当接部６、ポスト８および半導体チップ１と、第１?第３リード３ａ?３ｃのそれぞれの一部とを一体に被覆する絶縁樹脂層とを具備し、ポスト８とアイランド２とを第１および第２のフレーム材料の打ち抜き加工に必要な離間距離より近接して対向配置する。 （もっと読む）

【課題】接続材を外部から容易に観察することができる下部金属と上部金属との接続構造を提供する。
【解決手段】下部電極１１と上部電極１２との接合構造において、上部電極１２における下部電極１１との接合部位に、溶融半田２０が通過可能な孔１２ｈを複数形成した。そして、下部電極１１と上部電極１２とを、各孔１２ｈを通過した半田２０により接合させた。半田２０は、各孔１２ｈから上部電極１２の上方へはみ出すため、上部電極１２の上方から目視により半田２０を容易に観察することができる。 （もっと読む）