【課題】 オン抵抗の極めて低い半導体装置を量産でき、さらに装置の小型化が実現する実装構造を提供する。
【解決手段】第１のフレーム材料により形成されたアイランド２とアイランド２から延在する第１リード３ａと、アイランド２に固着され上面に第１電極５および第２電極２０が設けられた半導体チップ１と、第２のフレーム材料により形成され第１電極５に固着される電極当接部６と電極当接部６から延在する第２リード３ｂと、第２のフレーム材料により形成され第２電極１０と電気的に接続されるポスト８とポスト８から延在する第３リード３ｃと、アイランド２、電極当接部６、ポスト８および半導体チップ１と、第１?第３リード３ａ?３ｃのそれぞれの一部とを一体に被覆する絶縁樹脂層とを具備し、ポスト８とアイランド２とを第１および第２のフレーム材料の打ち抜き加工に必要な離間距離より近接して対向配置する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び接続信頼性に優れ、さらに、より薄型化が可能な半導体素子搭載基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】剥離製基材１１及び粘着剤層１２からなるキャリア基材上に導電性金属層パターン１３、１４及び絶縁部１５を有する半導体素子搭載用部材１０、及び部材１０上にリフレクター１８を有する半導体素子搭載基板２０であって、金属層パターン１３、１４は、部分的に露出部を有するように、少なくともその周縁部が絶縁部１５に覆われ、部材１０の金属層パターン１３、１４側からの平面視において、金属層パターン１３、１４の最外周部が、金属層パターン１３、１４とキャリア基材が接する部分より、絶縁部１５側にせり出している断面形状を有し、かつリフレクター１８は金属層パターン１３、１４の露出部を覆わないように配されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴなどが封止された小型面実装パッケージの低オン抵抗化を実現する。
【解決手段】シリコンチップ３は、ドレインリードを構成するリード４と一体に形成されたダイパッド部４Ｄの上に搭載されており、その主面にはソースパッド７とゲートパッド８が形成されている。シリコンチップ３の裏面は、パワーＭＯＳＦＥＴのドレインを構成しており、Ａｇペーストを介してダイパッド部４Ｄの上面に接合されている。ソースリードを構成するリード４とソースパッド７は、Ａｌリボン１０によって電気的に接続されており、ゲートリードを構成するリード４とゲートパッド８は、Ａｕワイヤ１１によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、パッケージ側面におけるハンダの侵入を抑制して信頼性を向上させた半導体装置が提供される。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１のフレームと、前記第１のフレームに固着された発光素子と、前記第１のフレームから離間して設けられ、金属ワイヤを介して前記半導体素子と電気的に接続された第２のフレームと、前記半導体素子と、前記第１のフレームと、前記第２のフレームと、を覆い、前記第１のフレームの一部と、前記第２のフレームの一部と、を１つの主面に露出させた樹脂パッケージと、を備える。そして、前記第１のフレームおよび前記第２のフレームのいずれかに隣接して併設された第３のフレームであって、その一部が、前記樹脂パッケージの前記主面の端と、前記主面と交差する側面の端と、に跨って露出した第３のフレームを備える。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の積層位置ずれを回避し、品質の安定化を実現可能な半導体装置の提供を図る。
【解決手段】第１，第２電極部材２１，２２の一方、例えば、第２電極部材２２は、半導体素子１０の積層方向と直交する方向への位置ずれを規制する複数の突起４１を備えている。これにより、半導体素子１０と第１，第２電極部材２１，２２との半田接合時に、半導体素子１０が適正位置に定置されて位置ずれを回避できる。突起４１の先端は第１電極部材２１から離間配置しているため、万一、モールド樹脂４０と突起４１との間に剥離が生じた場合でも、これら突起４１と第１電極２１との間のモールド樹脂４０による封止状態を維持する。これにより、突起４１の周面に沿って、第１，第２電極部材２１，２２間に亘って放電路が生じるようなことはなく、沿面放電を回避して絶縁性を高められる。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生と半田流れを抑制し、半田接合部の長寿命化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、両面のそれぞれに少なくとも１つの電極面を有する半導体素子１と、半導体素子１の一方の面に設けられる電極面１１ａに半田により接合される第１導体部材と、半導体素子１の他方の面に設けられる電極面に半田により接合される第２導体部材とを備え、半導体素子１の一方の面に設けられる電極面１１ａの少なくとも１つが両櫛歯状とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料歩留まりの高いリードフレーム、及び、パワーモジュールを提供する。
【解決手段】リードフレームは、平面視において、半導体素子が配置される領域の一の側に延伸する複数の第１リードと、平面視において、前記半導体素子が配置される領域の前記一の側とは反対側の他の側に延伸する複数の第２リードと、平面視において、前記複数の第１リードのうち端に位置する第１リードの外側に並べられる第３リードと、前記第３リードに接続され、前記第１リード、前記第２リード、及び前記第３リードのガイドフレーム１１９の一部であるとともに、前記ガイドフレーム１１９の当該一部以外の部分を切除した後に、前記第３リードに接続される配線になる配線部５００とを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させることが可能で、且つ、種々の形状に変形可能な実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板２は、第１金属板により形成され電子部品を一面側に搭載可能な伝熱板２１と、第２金属板により形成されてなり伝熱板２１の他面側に配置され電子部品を電気的に接続可能な配線パターン２２と、伝熱板２１と配線パターン２２との間に介在する絶縁層２３と、を備えている。そして、実装基板２は、配線パターン２２が、電子部品を電気的に接続可能な複数の単位パターン２２ｕと、単位パターン２２ｕの並設方向に直交する規定方向の一端側において単位パターン２２ｕどうしを連結し且つ電気的に接続する連結片２２ｃと、上記規定方向の他端側が開放され連結片２２ｃに至る第１スリット２２ｄと、を有し、伝熱板２１が、第１スリット２２ｄに重なる第２スリット２１ｄを有している。 （もっと読む）