【課題】ゲート電極のドレイン端の電界を緩和し、ゲート絶縁膜の破損を低減する。
【解決手段】窒化物半導体で形成されたチャネル層１０８と、チャネル層１０８の上方に、チャネル層よりバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体で形成された電子供給層１１２と、チャネル層１０８の上方に形成されたソース電極１１６およびドレイン電極１１８と、チャネル層１０８の上方に形成されたゲート電極１２０と、チャネル層１０８の上方に形成され、チャネル層１０８からホールを引き抜くホール引抜部１２６と、ゲート電極１２０およびホール引抜部１２６を、電気的に接続する接続部１２４と、を備える電界効果型トランジスタ１００。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ショットキーダイオードの製造において、ダイオードの順方向特性、特に障壁高さφＢを安定させて、リーク電流のばらつきを低減させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層２上に乾式熱酸化によりシリコン酸化膜ＯＸ１を形成し、ＳｉＣ基板１の裏面にオーミック電極３を形成し、その後、ＳｉＣ基板１をアニールしてオーミック電極３とＳｉＣ基板１の裏面との間にオーミック接合を形成し、シリコン酸化膜ＯＸ１を除去した後、エピタキシャル層２上にショットキー電極４を形成する。その後、シンターを行い、ショットキー電極４とエピタキシャル層との間にショットキー接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】シンカー層を含むエピタキシャル層の厚さを増大させても耐圧性能の向上が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、第１導電型の埋め込み拡散層１６Ｎａ，１６Ｎｄ，１６Ｎｂを有する支持基板１０と、第１導電型と同じ導電型のシンカー層２１Ｎａ，２１Ｎｂを有するエピタキシャル層２０と、シンカー層２１Ｎａ，２１Ｎｂから離れた領域でエピタキシャル層２０上に形成された電極層３１とを備える。支持基板１０の上層部は、エピタキシャル層の上面に向けて突出する凸状部１０Ｐａ，１０Ｐｂを有し、シンカー層２１Ｎａ，２１Ｎｂは、エピタキシャル層２０の上面近傍から凸状部１０Ｐａ，１０Ｐｂにおける埋め込み拡散層１６Ｎａ，１６Ｎｂにまで延在する不純物拡散領域からなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタと回生素子とを含み、優れたリカバリ特性によりスイッチング損失が低減された半導体装置を提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタと回生素子とを含み、前記電界効果型トランジスタは、第１の導電型を有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の表面に配置された第２導電型を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層の表面に配置された前記第１導電型を有する第３の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記第３の半導体層とに隣接するように配置された絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、第１の金属層と、第２の金属層と、を備え、前記回生素子は、前記第１の金属層と電気的に接続されるアノード端子と、前記第２の金属層と電気的に接続されるカソード端子と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】放熱性と耐久性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電ベースプレートと、導電ベースプレート上に接合される半導体チップと、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の中央部に配置された第１接着剤と、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の周辺部に配置された第２接着剤とを備え、第１接着剤は第２接着剤よりも相対的に熱伝導率が高く、第２接着剤は第１接着剤より相対的に接合力が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は耐圧変動が抑制された炭化珪素ショットキダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素ショットキダイオードは、炭化珪素半導体基板１の表面に形成されるショットキ電極２と、その周囲を取囲むべく、炭化珪素半導体基板の表面に不純物が導入されて成るガードリング３と、該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように前記炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜４と、を備え、ショットキ電極は炭化珪素半導体基板の表面上においてガードリングに接し、かつ絶縁膜上にも延在し、ガードリングの幅寸法比を１０、ショットキ電極がガードリングに接する幅寸法比を１、絶縁膜上に延在するショットキ電極の先端からガードリングの外周端までの離間距離比をＸとするとき、離間距離比Ｘは、３〜９内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低め、高電流で動作する半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上部に配設され、内部に２次元電子ガスチャネルを形成する窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０にオーミック接合されたドレイン電極５０と、ドレイン電極５０と離間して配設され、窒化物半導体層３０にショットキー接合されたソース電極６０と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間の窒化物半導体層３０上及びソース電極６０の少なくとも一部上にかけて形成され、ドレイン電極５０とソース電極６０との間にリセスを形成する誘電層４０と、ドレイン電極５０と離間して誘電層４０上及びリセスに配設され、一部が誘電層４０を挟んでソース電極６０のドレイン方向へのエッジ部分上部に形成されたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く、かつ、耐圧が高いノーマリーオフの半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０２の上方に形成された、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバックバリア層１０６と、バックバリア層１０６上に形成され、バックバリア層よりバンドギャップエネルギーが小さいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるチャネル層と１０８、チャネル層１０８にオーミック接続された第１の電極１１６，１１８と、チャネル層の上方に形成された第２の電極１２０と、を備え、バックバリア層１０６は第２の電極１２０の下方に設けられ、かつ、第２の電極１２０の下方から第１の電極の１１６，１１８下方まで連続して設けられていない半導体装置を提供する。 （もっと読む）