国際特許分類[H01L29/47]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 電極 (8,931) | 構成材料に特徴のあるもの (3,446) | ショットキー障壁電極 (987)
国際特許分類[H01L29/47]に分類される特許
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窒化物系半導体装置
【課題】ダイオード部とトランジスタ部の面積比率を自由に設定することが可能な窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第1HEMT部30及び第2HEMT部31から成るトランジスタ部1と、第1電極24と電気的に短絡された第1ショットキー電極28及び第1ゲート電極26と電気的に第2ショットキー電極29から成るダイオード部2と、を備えて構成されている。また、第1電極24と第2電極25との間の領域に第1電極24に沿って、第1ゲート電極26及び第1ショットキー電極28が交互に形成され、かつ、第2電極25に沿って、第2ゲート電極27及び第2ショットキー電極29が交互に形成されている。さらに、第1ゲート電極26と第2ゲート電極27とは、対向して形成されており、第1ショットキー電極28と第2ショットキー電極29とは対向して形成されている。
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半導体装置
【課題】パワー半導体素子において、周辺の電界強度を緩和する構造を小さな面積で実現する。
【解決手段】周辺領域Qにおいては、半導体層との間に周辺層間絶縁層(絶縁層)を介して複数の多結晶シリコン層70が、ソース電極30から端部ドレイン電極41の間にかけて設けられる。多結晶シリコン層70には、その長手方向が水平方向から傾斜した(傾斜角θ、0<θ<90°)傾斜部が設けられている。多結晶シリコン層70の傾斜部においては、p型領域71と、n型領域72とが長手方向に交互に多数形成されている。
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窒化物系半導体装置
【課題】ゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、ノーマリオフの双方向動作が可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子10は、第1MOSFET部30及び第2MOSFET部31を備えており、第1ゲート電極26と第2ゲート電極27との間に設けられた第1SBD金属電極28及び第2SBD金属電極29がAlGaN層20とショットキー接合されている。第1SBD金属電極28と第1電極24とが接続されており、電気的に短絡していると共に、第2SBD金属電極29と第2電極25とが接続されており、電気的に短絡している。
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電力用半導体装置
【課題】基板の欠陥に起因した歩留まりの低下を抑制しつつ、容易に製造することができる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】セル電極150は、半導体基板130上に設けられており、セル構造CLのそれぞれに設けられている。セル電極150は、2以上のセル電極150を含むグループ150a〜150cに分けられている。導電部材160a〜160cはグループ150a〜150cのそれぞれに電気的に接続されている。導電部材160a〜160cは使用部UDおよび非使用部NDを有する。使用部UDは、互いに電気的に接続された2以上の導電部材160aおよび160bを有する。非使用部NDは、導電部材160a〜160cの少なくとも1つを有し、かつ使用部UDと電気的に絶縁されている。
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ダイオード素子及び検出素子
【課題】従来の横型のダイオード素子は、表面二電極間における電流経路に半導体界面が現れるため、界面状態に起因する雑音が大きいという点を解決するダイオード素子、検出素子等を提供する。
【解決手段】ダイオード素子は、第一の導電型の低濃度キャリア層103と、第一の導電型の高濃度キャリア層102と、半導体表面上に形成されたショットキー電極104及びオーミック電極105と、を備える。低濃度キャリア層のキャリア濃度は、高濃度キャリア層のキャリア濃度より低く、オーミック電極の直下に第一の導電型の不純物導入領域106が形成される。ショットキー電極及びオーミック電極の間の半導体表面に、ショットキー電極とは電気的に接触しない第二の導電型の不純物導入領域107が形成され、第二の導電型の不純物導入領域が第一の導電型の不純物導入領域と接する。
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炭化珪素半導体装置及びその製造方法
【課題】超音波振動を利用したワイヤーボンディングの際に、p型オーミック電極がp型不純物拡散領域の面上から剥離することを防止する。
【解決手段】パッド電極7にボンディングワイヤー8を接合する際に、ボンディングツール100を用いて、ボンディングワイヤー8をパッド電極7に接触させた状態で、ボンディングワイヤー8に荷重を加えながら、p型オーミック電極5の長手方向に沿って超音波振動を印加する。
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III族窒化物系電子デバイス
【課題】キャリア補償の影響を低減可能なIII族窒化物系電子デバイスを提供する。
【解決手段】III族窒化物系電子デバイス11では、ドリフト層15は主面13a上に設けられており、また1×1017cm−3未満のシリコン濃度を有するn−型III族窒化物系半導体からなる。このシリコンはドナーとして作用する。合成オフ角は主面13aの全体にわたって0.15度以上である。合成オフ角は、例えばIII族窒化物支持基体13のC面の単位法線ベクトルVCNと主面13aの単位法線ベクトルVPNとの成す角度である。合成オフ角の値は、主面13a上にわたって分布している。ドリフト層15内における炭素濃度NCは3×1016cm−3以下である。
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ショットキーダイオード及びその製造方法
【課題】本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。
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半導体デバイス及びその製造方法
【課題】接合障壁ショットキーダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1の導電型を有する半導体層と、この半導体層上にあり、半導体層と共にショットキー接合部を形成する金属接点と、半導体層内に半導体領域とを含んでいる。半導体領域と半導体層とが、第1のp−n接合部を、ショットキー接合部と並列に形成する。第1のp−n接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、ショットキー接合部に隣接する半導体層内に空乏領域を発生させるように構成され、それによってショットキー接合部を通る逆漏れ電流が制限される。第1のp−n接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、第1のp−n接合部のパンチスルーが、ショットキー接合部の降伏電圧よりも低い電圧で起こるように構成される。
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半導体装置
【課題】逆方向リーク電流および閾値電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面12および裏面11を有するSiCエピタキシャル層6の表面12に接するように、アノード電極27をショットキー接合させる。そして、ショットキーバリアダイオード1の閾値電圧Vthを0.3V〜0.7Vにし、定格電圧VRにおけるリーク電流Jrを1×10−9A/cm2〜1×10−4A/cm2にする。
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