【課題】 半導体装置の一部を構成する強誘電体や白金の微細加工を容易に実現できるようにする。
【解決手段】 半導体基板１の上にデバイス絶縁膜２を形成し、その上に下層白金膜３、強誘電体膜４、上層白金膜５及びチタン膜６を順次形成し、更にその上に所望のパターンのフォトレジストマスク７を形成する。この際、チタン膜６の厚さを、上層白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからなる積層膜の厚さの合計の十分の一以上に設定する。次に、ドライエッチング法でチタン膜６をエッチングし、フォトレジストマスク７を灰化処理により除去する。このようにしてパターン化されたチタン膜６をマスクとし、かつ酸素ガスの体積濃度を４０％に設定した塩素と酸素との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチング法により、３層の積層膜３〜５をエッチングする。更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチタン膜６を除去する。 （もっと読む）

【課題】構造および特性を制御した単一電子トンネル素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】微粒子間距離が５ｎｍ以下で近接した金属あるいは半導体からなる微粒子５を、電気絶縁性薄膜４中に分散することで形成される多重トンネル接合６を有する単一電子トンネル素子。この多重トンネル接合６はスパッタリング法などで、電気絶縁性物質と金属あるいは半導体微粒子とを交互に、あるいは同時に堆積させることにより製造される。 （もっと読む）

【目的】 大容量、低コスト、書き込み可能、書き込み、読出しスピードが早く、高信頼性、低消費電力が実現できる記憶装置をえる。
【構成】 基板６０上に、一導電型の第１の半導体領域５８と、該第１の半導体領域と接する該一導電型とは反対導電型の第２及び第３の半導体領域５４と、該第２の半導体領域と該第３の半導体領域を隔てる領域上に絶縁層５９を介して設けられた第１の電極５６と、該第１の電極上に絶縁層６１を介して設けられた第２の電極５１と、を有する記憶装置において、前記第１の電極５６と前記第２の電極５１との抵抗値を高抵抗状態から低抵抗状態に変化させる。 （もっと読む）

【目的】 不揮発性半導体メモリ装置のチャージゲイン量を小さくする。
【構成】 パッシベーション膜２４として膜応力の熱ヒステリシスの小さい絶縁膜ＴＥＯＳシリコン酸化膜／シリコン窒化膜を用い、２層メタル配線の層間絶縁膜２０として膜応力の熱ヒステリシスの小さいＴＥＯＳシリコン酸化膜を用いる （もっと読む）

【目的】 類似した機能のメモリ装置に容易に差し替え可能とする。
【構成】 構成内容は異なるが、実装用の端子に対しピンコンパチブルとして互換性を保持する。基板１に代替え用の表面実装形のフラッシュＥＥＰＲＯＭ素子２ａ及び２ｂを実装し、対向するピンは相互の接続が最短距離となるように配置し、基板１に設けたピン３がピンコンパチブルとなるようにする。また、必要に応じてそのピン３をソケット５に挿入し、ソケット付きの状態で使用する。 （もっと読む）

【目的】 一素子で多ビットを記憶でき、かつ、素子占有面積が小さな不揮発性半導体メモリ素子を提供する。
【構成】 基板１の主面上に、表面がチャネル形成領域23となっている半導体台状部９を形成する。半導体台状部９の表面上に電荷蓄積部材６を設ける。電荷蓄積部材６をそれぞれ所定の幅W₁，W₂，W₃の各実効電荷蓄積領域に分けるため、それぞれに対応する幅W₁，W₂，W₃の第一、第二、第三ゲート電極51，52，53を設ける。これらゲート電極の中、少なくともいくつか、例えば第一、第二ゲート電極51，52は、半導体台状部９の側面に沿うように設ける。 （もっと読む）

【目的】 ＥＥＰＲＯＭの記憶容量を増大させる。
【構成】 書き込み時、ソース３の電位をフローティングにし、ドレイン２に０Ｖ、１Ｖ、２Ｖ及び３Ｖの中から選択された所定の電圧を印加し、そのタイミングで制御ゲート１００に１０〜１５Ｖ程度のパルス電圧を印加する。これにより、メモリセルのしきい値は７Ｖ、５Ｖ、３Ｖ及び１Ｖのいずれかになり、夫々の状態をデータ“１１”、“１０”、“０１”及び“００”に対応させる。従って、１個のメモリセルに４値のデータを記憶させることができる。 （もっと読む）

【目的】 ノイズ干渉を除去すると共に、メモリサイズを低減させた折返しビット線を有する不揮発性強誘電体メモリ装置を提供すること。
【構成】 各行毎に、２対の対応したワード線（Ｂ又はＡ）及びプレート線（Ａ又はＢ）を有する。ある対のプレート線は、当該対のワード線の上に位置しても下に位置してもよい。また、対の一方は、他方と幅が同一でも異なってもよい。好ましくは、対の各要素は略整列し、他方の対の各要素も互いに整列し、２つの対は離隔している。行内の各セルは、任意の位置で、２つの対の一方のワード線と、他方の対のプレート線とに接続する。従って、単一のセルのワード線とプレート線は、対応していない。更に、任意の行の隣接したセルは、同一のワード線又はプレート線を共有せず、他方のワード線又はプレート線に接続する。 （もっと読む）