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国際特許分類[H01L31/04]の内容

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【課題】開口部が数μm、アスペクト比が5以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型pn接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が10μm以下、アスペクト比5以上、かつ壁面の凹凸が0.2μm以下のSiトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、900℃以上の熱処理でリフローが生じるSiO2膜により被覆し、このSiO2膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にpn接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を0.1μm以下に抑える。 (もっと読む)


【課題】光電変換層にZnイオンの高濃度拡散を行い、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。
【解決手段】少なくとも1種のZn源と、アンモニア及びアンモニウム塩からなる群より選ばれた少なくとも1種のアルカリ剤とを含み、Zn源の濃度が0.1M以上、アルカリ剤の濃度が2M以下であるpH9〜13の反応液を用意し、20℃から45℃の所定温度に調整した反応液中に、下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して所定時間維持することにより、光電変換層中にZnイオンを拡散させ、その後、55℃から90℃の所定温度に調整した反応液中に、拡散工程を経た下部電極および光電変換層が積層された基板を浸漬して、光電変換層上に高抵抗酸化物層としてZnO層を析出させる。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率と高い生産性を両立した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明絶縁性の基板1上に透明電極層2を設けてなる透明電極付き基板と、非晶質シリコン系半導体を主として有する光電変換層91ならびに裏面電極層4とを少なくとも有し、前記透明電極付き基板は、表面が大小の凹凸が混在した形状であり、かつ分光ヘイズ率が550nm以上800nm以下の波長で20%以上である光電変換装置90であって、前記光電変換層91中に、該光電変換層91の透明電極層2側表面から裏面電極層4側表面に貫通する異相を遮断する異相遮断層、または、前記透明電極層2と前記光電変換層91と間に、該光電変換層91の透明電極層2側表面から裏面電極層4側表面に貫通する異相の形成を防止する異相防止層を設けた光電変換装置90を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エネルギー変換効率がより高い太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備え、前記超格子半導体層は、障壁層と量子層とが交互に繰り返し積層された超格子構造を有し、かつ、前記障壁層の価電子帯の上端と前記障壁層の伝導帯の下端との間に、前記量子層または前記障壁層の価電子帯から光励起された電子が一定時間存在し得る中間エネルギー準位を2つ以上備え、前記中間エネルギー準位は、前記量子層の伝導帯側の量子準位から形成され、前記量子層の価電子帯側の上端の量子準位と前記障壁層の伝導帯の下端との間の実効的禁制帯幅が1.0eV以上3.8eV以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 (もっと読む)


【課題】薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションの加工品質を向上させる。
【解決手段】測定位置PSa,PSbが、レーザ光の照射中心PLから閾値距離DT1以上離れ、かつ、x軸の正および負の方向並びにy軸の正および負の方向の4方向の全てにおいて、照射中心PLから閾値距離DT2以上離れた測定位置が少なくとも1つ存在するように、薄膜太陽電池パネルの加工面のz軸方向の変位を測定する変位計201a,201bが加工ヘッド133の下面133Aに設置されている。薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションを行う場合、加工対象となる辺からパネルの内側に向かう方向に最大想定距離DS以上離れた測定位置において測定を行う変位計201を選択し、選択した変位計201による測定結果に基づいて、レーザ光の焦点位置を制御する。本発明は、例えば、薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションを行うレーザ加工装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】太陽光発電システムにおいて異常モジュールを含むストリングを検出する。
【解決手段】発電出力データ格納部101は、複数の発電モジュールからなる複数のサブシステム毎に、電流値および電圧値を表した発電出力データをサンプル時間ごとに格納する。発電出力データ日照補正部104は、前記サンプル時間毎の日照強度データを用いて、前記発電出力データの電流値および電圧値のうちの少なくとも電流値を標準日照条件の下での値に補正して、補正後の電流値と、補正後の電圧値および前記発電出力データの電圧値のいずれかとを含む日照補正発電データを生成する。勾配推定部105は、前記サブシステム毎に前記日照補正発電データの近似グラフを求め、当該近似グラフの勾配を求める。異常診断部108は、前記勾配が第1閾値を満たすサブシステムを、異常モジュールを含むサブシステムであるとして、検出する。 (もっと読む)


【課題】 バイアス光をできるだけ単色光と同じ条件で太陽電池に照射させたり、太陽電池の保持位置の精度を高めたりすることで、より精度の高い太陽電池分光感度特性測定を可能にする。
【解決手段】 単色光用光学系1とバイアス光用光学系3とが交差する箇所に設けられたビームスプリッタ4は、バイアス光の一部を反射しつつ単色光の一部を透過させてバイアス光及び単色光を同じ向きに進ませて同じ角度で太陽電池Sに入射させる。電池位置モニタ6は、太陽電池Sの表面に入射する単色光の光軸を挟んで両側から斜めにレーザー光を照射するものであり、電池保持部2により所定位置に太陽電池Sが保持された際に当該太陽電池Sの表面上で二つのレーザー光によるビームスポットが重なるよう照射するものである。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を得るためのダブルテクスチャー構造を有する酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を用いた太陽電池用透明導電性基板、その製造方法、およびこれに用いるターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用透明導電性基板は、表面に凹凸(A)を形成した透明基板と、この透明基板の凹凸上に成膜され酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜とを備え、この透明導電膜が表面に前記凹凸(A)より小さな凹凸(B)を有する。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の高い半導体層および光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体層の製造方法は、金属−酸素結合を有する化合物およびカルコゲン−酸素結合を有する化合物が溶媒に分散されたペーストを作製する工程と、該ペーストを層状に成形して皮膜を作製する工程と、該皮膜を、還元性ガスを含む雰囲気で加熱して、金属カルコゲナイドを含む半導体層3を作製する工程とを具備する。 (もっと読む)


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