【課題】環境負荷を増大させず、かつＺｎＳ系バッファ層にダメージを与えずに、ＺｎＯ系電極を形成した受光素子を提供する。
【解決手段】下部電極４上に、光吸収層３、ＺｎＳ系バッファ層、ＺｎＯ系電極層１が形成されている。ここで、ＺｎＯ系電極層１は、Ａｒ成分が含まれていないことを特徴とする。また、ＺｎＯ系電極層１は、ラマン分光法によるラマン散乱強度のピークがラマンシフト４００／ｃｍ^−１〜５００／ｃｍ^−１の間に存在するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】固体型の色素増感型太陽電池において、太陽電池特性をより高める。
【解決手段】色素増感型太陽電池４０は、光が透過する透明基板１１の表面に透明導電膜１２が形成されている透明導電性基板１４と、透明導電性基板１４の透明導電膜１２に直接形成されている電子輸送層としての多孔質半導体層２４と、多孔質半導体層２４に隣接して設けられた固体の正孔輸送層としての固体ｐ型半導体層２６と、固体ｐ型半導体層２６及びセパレータ２９を介して設けられた対極３０と、を備えている。光電極２０は、透明導電膜１２が形成された透明導電性基板１４と、透明導電膜１２に配設され受光に伴い電子を放出する多孔質半導体層２４と、多孔質半導体層２４の上に形成された酸化チタン膜５０と、酸化チタン膜５０の上に形成された色素層５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板の製造方法を得ること。
【解決手段】基板２上に電極膜３を形成する第１工程と、前記電極膜３の表面に第１の凹凸４を形成する第２工程と、前記第１の凹凸４の表面にエネルギービーム６を照射することにより前記第１の凹凸４の斜面に前記第１の凹凸４よりも凹凸周期が短い第２の凹凸５を形成する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝２０の上に載置される蓋５０を有し、蓋５０の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋５０は、坩堝２０の側壁２２上端面に載置される載置部５１と、坩堝２０の側壁２２外縁から外側に突出した庇部５２と、厚さ方向に貫通した開口部５３と、を有し、庇部５２は、坩堝２０の側壁２２上端外周縁の１０％以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁２２上端外縁からの突出長さが５０ｍｍ以上とされており、開口部５３は、坩堝２０の側壁２２上端内縁から１００ｍｍ以内の領域に形成されており、開口部５３による坩堝２０の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝２０の上端内側領域全体の面積の１．５％以上１０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】表面保護層の機械的強度、衝撃強度が高く、かつ軽量であり、しかも低コストに製造することができる薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池モジュールの製造方法は、太陽電池サブモジュールの表面側に接着充填材、水蒸気バリアフィルム、第１の接着充填層および表面保護層となるプラスチックシートを積層して配置するとともに、太陽電池サブモジュールの裏面側に第２の接着充填層および裏面保護層を積層して配置する工程と、複数層、積層配置された状態で真空ラミネートする工程とを有する。表面保護層となるプラスチックシートを配置する前に予め熱処理する工程と、プラスチックシートの第１の接着充填層と接する側の面をコロナ処理する工程と、プラスチックシートのコロナ処理された面にプライマーを塗布する工程とを備え、このプラスチックシートはプライマーが塗布された面を第１の接着充填層に向けて配置される。 （もっと読む）

【課題】光照射によって発生した電力を外部に取り出す際の抵抗損失が少なく、さらに、入射面の開口率が高く、入射する光を有効に利用でき、しかも優れた光電変換特性を得ることができる色素増感太陽電池などの光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１の一主面に透明電極２が設けられ、この透明電極２が設けられている透明基板１の面上には集電配線保護層９を備えた集電配線８が所定間隔を置いて設けられており、透明基板１の集電配線８が設けられた側の面には多孔質電極３が設けられている構造を有する色素増感光電変換素子において、透明基板１の集電配線８が設けられている面とは逆側の面である光入射側の面には、凸型立体形状を有する光導波構造１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】高いエネルギー変換効率を有する光起電力素子及び当該光起電力素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板、裏面電極層、カルコパイライト構造を有する化合物からなるｐ型半導体光吸収層、前記ｐ型半導体光吸収層とｐｎ接合を形成可能な透明ｎ型バッファ層、及びＩｎ_２Ｏ_３及びＺｎＯ、並びにＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＴｉからなる群から選択される１以上の元素の酸化物を含む酸化物薄膜であって、特定の原子比を満たす酸化物膜である透明電極層をこの順に備え、前記ｐ型半導体光吸収層及び透明ｎ型バッファ層を貫通し、前記裏面電極層の一部を露出させる溝を有し、前記透明電極層が前記溝を充填して裏面電極層と接する光起電力素子。 （もっと読む）

【課題】上部及び下部のシート材間に被封止物を挟み込んでこれらシート材間を加熱接合し、シート材間に形成される閉空間内に被封止物を封入するに際し、上部シート材と下部シート材との間の位置合せを正確に行うことができ、しかも、閉空間内に封入される被封止物に対して熱の影響を可及的に低減することができる加熱封止装置を提供する。
【解決手段】環状加熱部を有する加熱手段を備え、上部及び下部のシート材間に被封止物を挟み込み、被封止物の外周部外側において環状加熱部によりシート材間を加熱接合させて環状封止部を形成し、これにより形成される閉空間内に被封止物を封入する加熱封止装置であり、環状加熱部の内側に、内部電極層、誘電体層、及び断熱層を有する静電チャックを配置し、シート材間の加熱接合の際に、誘電体層により上部シート材を吸着して固定し、また、断熱層により被封止物への熱伝導の一部を遮断する加熱封止装置である。 （もっと読む）

【課題】製造コスト下げると同時に良好なエネルギー変換効率を維持することにより、ワットピーク当たりのコストを削減した結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、第１ドーパント型の結晶シリコン基板を提供する工程と、注入工程を行い、これにより、結晶シリコン基板の表側に、第１型とは反対の第２型のドーパントを導入する工程と、注入工程後に、基板の表面上に水素含有層を堆積する工程と、水素含有層の堆積後に、熱処理を行い、これにより第２型のドーパントを電気的に活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】開口部が数μｍ、アスペクト比が５以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型ｐｎ接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が１０μｍ以下、アスペクト比５以上、かつ壁面の凹凸が０．２μｍ以下のＳｉトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、９００℃以上の熱処理でリフローが生じるＳｉＯ₂膜により被覆し、このＳｉＯ₂膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にｐｎ接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を０．１μｍ以下に抑える。 （もっと読む）