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国際特許分類[H01L31/04]の内容

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【課題】水分の浸入を低減した信頼性の高い光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュールは、一主面同士が対向するように配置されている第1基板2および第2基板8と、第1基板2と第2基板8との間に配置されている光電変換部1とを有する。さらに、光電変換モジュールは、第1基板2と第2基板8との間において、光電変換部1を囲うように配置されている第1封止部材10を有する。さらに、光電変換モジュールは、第1基板2と第2基板8との間において、第1封止部材10を囲うように配置されている第2封止部材11を備える。さらに、第1封止部材10は、水分を化学吸着する第1吸着剤を有し、第2封止部材11は、水分を物理吸着する第2吸着剤を有する。 (もっと読む)


【課題】低コストかつ高効率の光電変換素子の製造方法の提供。
【解決手段】第一の電極上に電子輸送性化合物を含んでなる第一の電子輸送層を形成し、前記第一の電子輸送層上に電子輸送性化合物を含んでなる第二の電子輸送層をガス中蒸着法により形成する電子輸送層形成工程と、前記電子輸送層上に光増感化合物を被覆させる光増感化合物被覆工程と、前記光増感化合物を被覆させた前記電子輸送層上にホール輸送性化合物を含んでなるホール輸送層を形成するホール輸送層形成工程と、前記ホール輸送層上に第二の電極を積層する工程と、を含む光電変換素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】導電型を容易に制御することができる炭素のナノ構造体を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェンにより形成された第1の電極と、第1の電極から離間して配置されたグラフェンにより形成された第2の電極と、第1のインターカラントを介して第1の電極に結合された第1導電型の一端部と、第2のインターカラントを介して第2の電極に結合された第2導電型の他端部とを有するカーボンナノチューブとを有する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池用のセルを、縁部同士が重なるようにして複数枚並べる際に、セルが浮き上がったままの状態となるのを防ぐ。
【解決手段】ステージ10に載せる対象となる太陽電池用のセル2の一部21を保持可能でありかつ当該保持を解除可能な保持部11と、セル2の長手方向を移動方向として保持部11をステージ10上で進退移動させる移動手段12とを備えている。前進させた保持部11が保持するセル2の前方側の端部22を、ステージ10に吸着させてから、当該保持部11によるセル2の保持を解除した状態で、当該保持部11を後退させる。保持部11を後退させる際に、ステージ10上に吸着していくセル2の上を、押さえ部材13が通過して、当該押さえ部材13が、セル2の浮き上がり部をステージ10側へ押さえる。 (もっと読む)


【課題】多孔質酸化チタンからの逆電子移動等の発生が抑制された高効率な全固体光増感太陽電池を提供する。
【解決手段】基板上に、光吸収体で修飾した多孔質酸化チタン電極、ホール輸送層及び対極が当該順に積層された構造を有する全固体光増感太陽電池であって、
前記光吸収体で修飾した多孔質酸化チタン電極は、多孔質酸化チタンが誘電体からなるブロッキング層により被覆されており、前記ブロッキング層の表面が光吸収体で修飾されていることを特徴とする全固体光増感太陽電池。 (もっと読む)


【課題】ドーパント含有シリコンインゴットを材料効率よく提供することで、より低コストな多結晶型シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを用意する工程Aと、P型またはN型のドーパントを含有したシリコンターゲットを利用して、基板表面にP型またはN型アモルファスシリコン膜をスパッタ成膜する工程Bと、P型またはN型アモルファスシリコン膜にプラズマを走査させて溶融後、再結晶化させてP型またはN型多結晶シリコン膜を形成する工程Cと、工程Cで形成されたP型多結晶シリコン膜に、N型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する、または工程Cで形成されたN型多結晶シリコン膜に、P型のドーパントを含むガスによるプラズマに曝してPN接合を形成する工程Dとを含む多結晶型太陽電池パネルの製造方法。 (もっと読む)


【課題】上部及び下部のシート材間に被封止物を挟み込んでこれらシート材間を加熱接合し、シート材間に形成される閉空間内に被封止物を封入するに際し、上部シート材と下部シート材との間の位置合せを正確に行うことができ、しかも、閉空間内に封入される被封止物に対して熱の影響を可及的に低減することができる加熱封止装置を提供する。
【解決手段】環状加熱部を有する加熱手段を備え、上部及び下部のシート材間に被封止物を挟み込み、被封止物の外周部外側において環状加熱部によりシート材間を加熱接合させて環状封止部を形成し、これにより形成される閉空間内に被封止物を封入する加熱封止装置であり、環状加熱部の内側に、内部電極層、誘電体層、及び断熱層を有する静電チャックを配置し、シート材間の加熱接合の際に、誘電体層により上部シート材を吸着して固定し、また、断熱層により被封止物への熱伝導の一部を遮断する加熱封止装置である。 (もっと読む)


【課題】製造コスト下げると同時に良好なエネルギー変換効率を維持することにより、ワットピーク当たりのコストを削減した結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、第1ドーパント型の結晶シリコン基板を提供する工程と、注入工程を行い、これにより、結晶シリコン基板の表側に、第1型とは反対の第2型のドーパントを導入する工程と、注入工程後に、基板の表面上に水素含有層を堆積する工程と、水素含有層の堆積後に、熱処理を行い、これにより第2型のドーパントを電気的に活性化する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】開口部が数μm、アスペクト比が5以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型pn接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が10μm以下、アスペクト比5以上、かつ壁面の凹凸が0.2μm以下のSiトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、900℃以上の熱処理でリフローが生じるSiO2膜により被覆し、このSiO2膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にpn接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を0.1μm以下に抑える。 (もっと読む)


【課題】電子時計にも組み込み可能であり、組み込みスペースを最小限にできるアンテナ装置を提供する。
【解決手段】アンテナ装置2は、支持基板3dと支持基板3dの面上に形成された発電部とを有し、光発電により電力を発生させる太陽電池部3と、電波受信部として機能する第1アンテナ電極と、第2アンテナ電極と、第1アンテナ電極と第2アンテナ電極との間に配置された誘電体層4aと、を有し、GPS衛星100からの電波を受信するためのアンテナ部4と、を備え、アンテナ部4では、第1アンテナ電極として支持基板3dを用い支持基板3dを電波受信部として機能させている、ことを特徴とする。 (もっと読む)


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