【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 光アイソレータからの散乱光がレーザダイオードへ戻らない、動作の安定した２段の光アイソレータをもつレーザダイオードモジュールを得る。
【解決手段】 第１の光アイソレータの偏光子および検光子に反射型偏光子を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光ダイオードの発光部における電流分布を改善することができ、光取り出し効率及び輝度の向上をはかる。
【解決手段】 ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３をｎ型及びｐ型のＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２，１４で挟んだダブルヘテロ構造部を形成し、このダブルヘテロ構造部上の一部にｐ側電極１７を形成し、基板１１のダブルヘテロ構造部と反対側面にｎ側電極１８を形成し、基板１１と反対側の発光面上の一部に形成された電極１７以外の面上から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、第１の電極１７とダブルヘテロ構造部のｐ型のクラッド層１４との間にｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５を挿入し、この電流拡散層１５によりｐ側電極直下以外の活性層１３に対して十分な電流供給可能にした。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単であって、光を屈折させて光線の混合効果を生ずる光の屈折装置を提供する。
【解決手段】 この光の屈折装置は、ケーシング１０とケーシングカバー２０とを具有し、ケーシングの底部には中空の孔１１が形成されて回路板の発光体を覆い隠すのに供され、ケーシング内側の皿形弧面１４は不透明な鏡面にされるとともに複数の凸点１５が設けられ、ケーシング１０頂上に設けられるケーシングカバー２０底部を覆い隠す。ケーシングカバー２０は、底面２１が不透明な鏡面であり、周縁に沿って透明輪２２が形成される。発光体から発生する光は、ケーシング１０の皿形弧面１４を経由してケーシングカバー２０の底面２１の不透明の鏡面により多方向に屈折して混合効果を生じ、ケーシングカバー２０の透明輪２２より放置物に入射されて、その放置物に多様の変化を生ずる光を与える。 （もっと読む）

【課題】 従来例の半導体装置では、モールド部の外側に電極端子を形成しなければならなかったため、端子部の大きさが余分に必要であり、外形形状を小さくすることが出来なかった。また、パターン面がモールド部端面を横切るため、モールド工程において、金型がパターンを押さえ、パターンを断線させてしまうというという問題があった。
【解決手段】 基板上に発光チップ、受光チップ、ＩＣ等電子部品を実装し、樹脂モールドする半導体装置において、該基板に多層積層基板を使用し、該多層積層基板の端面にまで及ぶ樹脂モールド部を有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板上に発光層を含む１又は２以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第１正電極と、第１正電極上の一部に形成された第２正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第２正電極は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１つを主成分として第１正電極に接するように形成された第１層と、該第１層上に形成されたＡｕ又はＰｔを主成分として形成された第２層とを含む積層体が熱処理されてなり、第２正電極の直下の発光層における発光を抑制した。 （もっと読む）

【課題】 アレイの幅サイズを小さくする。
【解決手段】 高抵抗半導体基板２上に配置されたｎ型半導体ブロック１１には複数のｐ型半導体領域１３が形成されている。異なるｎ型半導体ブロック１１に形成された所定のｐ型領域１３はマトリクス配線１４、４により接続されている。ｐ型領域１３とｎ型ブロック１１により構成される複数のＬＥＤはｐ側パッド電極５およびｎ側パッド電極５５にマトリクス状に接続されている。ｐ側パッド電極５はｐ側パッド配線６およびマトリクス配線１４、４を介して所定のｐ側領域１３に接続しており、ｎ側パッド電極５５はｎ側パッド配線５４およびｎ側コンタクト電極５２を介してｎ型ブロック１１に接続している。ｐ側パッド電極５およびｎ側パッド電極５５は層間絶縁膜１２ｃを介してマトリクス配線１４、４上に多層形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｖｆ値増加の問題を改善するために、発光ダイオードの上被覆層構造の組成を徐々に変化させて、発光ダイオードの光度を改善すると同時にＶｆ値の増加を押さえる。
【解決手段】 発光ダイオードの上被覆層の組成を徐々に変化する(AlXGa1-X)yIn1-yPにして、GaAs基板と(AlZGa1-Z)0.5In0.5P下被覆層上の(AlWGa1-W)0.5In0.5P活性層上に上被覆層を成長させ、ｘ、ｙ、ｚ、ｗの範囲をそれぞれ0.05≦ｘ≦0.9、0.1≦ｙ≦0.95、0.3≦z≦0.9、0≦w≦0.5にする。組成が徐々に変化する上被覆層(AlXGa1-X)yIn1-yPにより、発光ダイオードの光量を増やし電流クラウディング効果（crowding effect）を改善して同時にＶｆ値を従来の発光ダイオードと同じ程度に保つ。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードとこれを適用した発光ダイオードアレイランプを提供する。
【解決手段】 発光ダイオードは外形的にその胴体が三角柱型または少なくとも一つの鋭角を有する四辺柱型のチップを具備し、チップ内部での全反射が抑制されて活性領域から発生した光子が最大限にチップの外部に放出される。開示されたアレイランプはベースと、前記ベースに搭載される少なくとも二つの発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップとベースをモールディングするモールディング材と、そして発光ダイオードチップに電気的に接続する複数のリードとを具備し、相互隣接した発光ダイオードチップ各々の任意点を通過する基準線に対して前記二つのチップの相互対向する側の少なくともいずれか一壁面が前記基準線に対して所定角度に傾いて配置されている構造を有する。これにより一つの発光ダイオードチップから放出した光子に対する他の発光ダイオードチップからの干渉が最小化する。 （もっと読む）