【課題】 簡単な構造で自励発振を行うことが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 窒化物系半導体発光素子のＩｎ_0.3 Ｇａ_0.7 Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１０５またはＩｎ_0.3 Ｇａ_0.7 Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１０５に隣接するｎ型Ｉｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎ／ＧａＮ多重量子井戸隣接層１０４を可飽和吸収領域にすることにより自励発振を生じさせるようにした、光ディスク記録の読み出し用光へッドとして実用可能な性能を満たした窒化物系半導体発光素子及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 電子を供給する半導体層、半導体層上に形成された多孔質半導体層及び多孔質半導体層上に形成され真空空間に面する金属薄膜電極からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、多孔質半導体層はその膜厚方向において互いに異なる多孔度を有する少なくとも２以上の多孔質層を有する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供すること。
【解決手段】 マグネシウムが添加されたｐ型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたｎ型半導体層を形成する。前記ｎ型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがｐ型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。 （もっと読む）

【課題】 半導体層とコンタクトを取るためにサファイア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、かつ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板上に発光層を形成すべく積層される半導体層２〜５と、該半導体層の上面に形成される上部電極８と、前記絶縁基板の裏面側に設けられ、該基板のコンタクト孔１ｃを介して前記積層される半導体層の下層部に接続される下部電極９とからなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔１ｃが設けられている。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含む窒化物半導体を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、発光効率が高い窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】活性層（１６）の少なくとも片面に、活性層（１６）のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第１の窒化物半導体層（１０１）を活性層（１６）に接して形成し、さらに、その上に第１の窒化物半導体層（１０１）のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第２の窒化物半導体層（１０２）と、第２の窒化物半導体層（１０２）のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第３の窒化物半導体層（１０３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チップの幅を広げることなくマトリクス配線の低抵抗化が可能な構造を有した発光ダイオードアレイチップを提供する。
【解決手段】 チップ内の発光ダイオード群を複数個の発光ダイオードで構成される２つ以上のブロック３５₁ 〜３５_N にそれぞれ区分けする。区分けされた各ブロック内の発光ダイオード群を複数個の発光ダイオードで構成される２つ以上のグループ３７₁ 〜３７_q にそれぞれ区分けする。グループごとに設けられそのグループ内の発光ダイオードそれぞれの第１電極３３ｋ同士を接続している共通電極３９と、ブロックごとに設けられそのブロック内の各グループから重複なく１つずつ選択した発光ダイオードそれぞれの第２電極３３ａ同士を接続しているマトリクス配線４１と、ブロックごとに設けられ前記マトリクス配線４１に接続されている個別電極の群４３とを具える。 （もっと読む）

【課題】 自己走査形記録素子、あるいは、時分割駆動が可能である記録素子アレイと、この記録素子を駆動する駆動ＩＣ間の接続本数を削減し、より安価で信頼性の高い記録ヘッドを提供する。
【解決手段】 多数個の記録素子を線状に配列・実装した第１基板と、前記記録素子を駆動する駆動部を有する第２基板と、両基板間を電気的に接続する接続手段とを具有する記録ヘッドにおいて、前記記録素子に共通する駆動信号を供給する信号線を、前記接続手段を介して、第２基板から第１基板に導通させると共に、前記第１基板では、各記録素子に対して、前記信号線から並列に供給する分岐信号線が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 欠陥の少ない高品質の３−５族化合物半導体とその製造方法、及び該化合物半導体を用いた発光特性の良好な発光素子を提供する。
【解決手段】 サファイア基板９の鏡面研磨Ｃ面上に基板温度５５０℃で、トリメチルＧａとＮＨ_３を供給しＧａＮのバッファ層８を形成した後、基板温度を１１００℃まで上げシランを送りＳｉをドープしたｎ型ＧａＮ層５を成長させ、さらに同温度でノンドープのＧａＮ層４を形成した。次に基板温度を７８０℃まで下げ、ＴＥＧ、ＴＭＩ，ＮＨ_３を用いて発光層のＩｎ_０．３Ｇａ_０．７Ｎ層１を成長させ、さらに同温度でＴＥＧ，ＴＥＡ及びＮＨ_３を送り保護層のＧａ_０．８Ａｌ_０．２Ｎ層２を形成した後、基板温度を１１００℃に上げＭｇドープしたＧａＮ層３を成長させた。この３−５族半導体試料を炉から取出しＮ_２中熱処理してＧａＮ層３を低抵抗のＰ型層にした後、Ｐ及びｎ電極６，７を付けて明瞭な青色発光素子が得られた。 （もっと読む）