【目的】 小型のランプを使用した場合であっても、機器の基板に装着されるリード線の間隔を広くして自動実装を容易にし、また外力の吸収機能に優れた照光装置を提供する。
【構成】 ランプ２１の発光部２２から延びるリード線２４ａ，２４ｂは第１の曲げ部Ｂにより互いに逆方向に曲げられ、さらに第２の曲げ部Ｃにより曲げられて、Ｗ２の間隔にて互いにほぼ平行に延びている。ソケット３１の凹部３３内の底面にはリード線２４ａと２４ｂの間に介入する仕切板３４と、各リード線２４ａ，２４ｂを外部に導く挿通穴３５ａ，３５ｂが形成されている。リード線２４ａと２４ｂはその間隔Ｗ２を広くでき、また曲げ部ＢとＣではその弾性変形により、外力を吸収できるようになる。 （もっと読む）

【目的】 １種類の化合物合金半導体を用いて広範囲の波長領域において発光する新規なIII−Ｖ族合金半導体材料およびその製造方法を提供する。
【構成】 III族元素としてＧａを、Ｖ族元素としてＡｓとＮを含有する新規なＧａＡｓＮ系合金半導体を構成する。減圧気相反応容器内に基板を配設し、高周波プラズマにより活性化したＮ₂または窒素化合物ガスに、少なくともアルシンガスと、有機ガリウム化合物ガスを基板上に導入してＧａＡｓＮ系の合金半導体膜を形成する工程を含むIII−Ｖ族合金半導体膜の製造方法。
【効果】 ＡｓとＮの組成を任意に調整することにより、任意のバンドギャップを持つＧａＡｓＮ系の合金半導体が実現できる。また、ＧａＡｓＮにおいて従来のＧａＡｓの発光波長よりも長波長の発光素子が得られる。さらに、発光デバイスのみならず高速な電子デバイスも実現でき、光電子集積回路の基幹材料となり得る。 （もっと読む）

【目的】 従来の発光素子に対し、すぐれた特性を有し、発光波長を２００〜６００ｎｍの範囲で変化しうる発光素子を提供すること。
【構成】 発光層６３中に

層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層６３と成長基板６１との間に

層６２を設けたことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

【目的】 窓層の抵抗を低くし、結晶成長中の活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、高輝度で信頼性に優れた発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【構成】 窓層６ａの正孔濃度を、活性層に近い１μｍのみ正孔濃度ｐ＝１×１０¹⁸ｃｍ^-3とし、残り６μｍはｐ＝３×１０¹⁸ｃｍ^-3とする。すなわち窓層６ａの内、活性層に近い領域のＺｎ濃度を低くすることにより、活性層へのＺｎの拡散を抑え、活性層中の非発光中心の発生を防ぐことができる。活性層から離れた領域のＺｎ濃度を高くすることにより、窓層６ａ中の抵抗を低くできる。 （もっと読む）

【構成】 ホルダ31に内筒部32、外筒部33および嵌合部36を形成する。中央部の通孔41の内側に、発光ダイオード21を嵌合保持する保持部42を形成する。外筒部33に階段状の溝部52を形成する。発光ダイオード21にリード線24を接続する。発光ダイオード21を保持部42に嵌入する。リード線24の長手方向の中間部分を溝部52に挿入し係止溝部55を通過して保持溝部56にて保持する。
【効果】 リード線24を接続して半組立て状態とした発光ダイオード21をホルダ31に容易に組付けでき、作業効率を向上できる。部品点数を削減して製造効率を向上できる。 （もっと読む）

【目的】 イメージセンサ等に用いられるＬＥＤアレイ光源において、各ＬＥＤチップ群の光量のばらつきがなく、安価かつ小型のＬＥＤアレイ光源を提供する。
【構成】 基板上にＬＥＤチップ１２を形成する。ＬＥＤチップ１２を所定個直列接続し、各ＬＥＤチップ群に共通に光量調整用抵抗１８を直列に接続する。 （もっと読む）

【目的】 エピタキシャル層表面に析出するＳｉ結晶を選択的にエッチング除去できるＳｉドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法を提供すること。
【構成】 Ｓｉドープ半導体エピタキシャル成長基板を強アルカリ液中に浸漬して、エピタキシャル層表面に析出したＳｉ結晶をエッチング除去することを特徴とする。
【効果】 エピタキシャル層表面に山脈状に析出したＳｉ結晶を選択的にエッチング除去できる。したがって、高価な機器の使用を不要にできる。また、エピ層表面からＳｉ結晶を機械的に削り取らないので、エピ層表面を傷つけることがなく、ウエハーを割る不良原因を排除できて、生産における歩留りが向上する。 （もっと読む）