【目的】 電極と発光性多孔質層との界面特性に優れた発光素子を供給すること。
【構成】 結晶性半導体からなる発光性多孔質材料を含む発光領域と隣接する非多孔質領域を有する発光素子であって、前記発光領域と前記非多孔質領域の界面において両領域間の導電型が異なり、且つ両領域間の結晶構造が連続していることを特徴とする発光素子。
【効果】 発光効率の優れた実用に供し得る発光素子を供給できる。 （もっと読む）

【目的】 最上層であるｐ層に形成する電極を透光性にして、発光素子の外部量子効率を向上させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面として、上から電極を取り出すことにより、発光素子の生産性を向上させる。
【構成】 ｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面に、オーミック接触用の電極として、金属よりなる透光性電極が形成されている。 （もっと読む）

【目的】 ＬＥＤを構成する発光素子を用いて、グローブ全体が明るく発光しているように見え、かつあらゆる角度からも確認することができる信号灯を提供する。
【構成】 ＬＥＤユニット基板５に、複数個形成された発光素子９と、この複数の発光素子９の点滅動作を制御する回路網１４と、複数の発光素子９を覆い、上記各発光素子９から出た光を内部において拡散し外部へ発散するほぼ均一な厚さを有するコーティング膜１１とを備えている。 （もっと読む）

【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードにおけるレーザ発振をし易くすると共に閾値電流を下げること。
【構成】 サファイア基板１１上には、 ＡlＮ層１２、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層（ｎ層）１３、Ｓi ドープｎ型ＡlＧaＮ層（ｎ層）１４、Ｓi ドープｎ型 ＧaＮ層１５、アンドープＡlＧaＮ層１６、Ｍg ドープｐ型ＡlＧaＮ層（ｐ層）１７及びＭg ドープｐ型 ＧaＮ層（ｐ層）１８が順次積層され形成されている。又、上記 ＧaＮ層１３及び ＧaＮ層１８とにはそれぞれ金属電極１３ａ，１８ａが形成されている。この構成によれば、ＡlＧaＮ層１７からの不純物Ｍg の拡散をアンドープＡlＧaＮ層１６にて吸収して防止できる。これにより、本発明の半導体レーザダイオードは、不安定な高エネルギー状態が作り易くなり誘導放出を利用したレーザ発振がし易くなると共にその閾値電流を下げることができる。 （もっと読む）

【目的】 温度上昇又は温度下降した時に、発光ダイオードに加わる熱歪みを少なくし寿命の長い発光ダイオードを提供する。
【構成】 長尺な基台と、基台上の長尺方向に各々整列して近接して載置された複数の回路基板と、整列した複数の発光領域を有しかつ基台上又は回路基板上に整列して近接して載置された複数の発光ダイオードを設ける。そして、基台の１方の長辺の近傍に載置され隣接する回路基板間の隙間の位置を基台の他方の長辺の近傍に載置され隣接する回路基板間の隙間の位置と長尺方向に異なる位置とし又は整列され隣接する回路基板間の隙間が長尺方向に対して斜交し又は長尺方向に対して階段状に設けるものである。 （もっと読む）

【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光出力をさらに向上させる。
【構成】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎ_XＧａ_1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎ_XＧａ_1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲である （もっと読む）

【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とし、さらにその発光波長を４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの高輝度の青色領域とできる実用的でしかも新規な構造を提供する。
【構成】 第一のクラッド層としてｎ型Ｇａ_1-aＡｌ_aＮ（０≦a＜１）層と、その上に発光層としてＺｎ濃度が１×１０¹⁷〜１×１０²¹／cm³の範囲にあるＩｎ_XＧａ_1-XＮ（但し、Xは０＜X＜０．５）層と、その上に第二のクラッド層としてＭｇ濃度が１×１０¹⁸〜１×１０²¹／cm³の範囲にあるｐ型Ｇａ_1-bＡｌ_bＮ（０≦b＜１）層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用い、発光素子の輝度、および発光出力を向上させる。
【構成】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ＳｉおよびＺｎがドープされたｎ型Ｉｎ_XＧａ_1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１の範囲である。）を発光層として具備する。 （もっと読む）

【構成】 本発明は、光半導体を固定した金属フレームを、界面活性剤に浸漬して加熱乾燥し、しかる後に酸無水物系硬化剤を含む半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物で封止することを特徴とする光半導体装置の封止方法である。
【効果】 本発明の光半導体装置の封止方法によれば、光半導体は封止樹脂の応力の影響を受けることがなく、図１の実線に示されるように、輝度劣化が少ない光半導体装置を得ることができた。 （もっと読む）