【課題】緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度、高出力の窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】少なくともインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層６に接して、ｎ型の窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層５および／またはｐ型の窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層７を形成する。第１のｎ型クラッド層５は、活性層６よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のｐ型クラッド層７も、活性層６よりも小さい熱膨張係数を有する。活性層６は単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とされ、これにより活性層６を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光させるようする。 （もっと読む）

【目的】 化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。
【構成】 Ｉｎを含む活性層５の形成後、Ｉｎの遊離が生じない程度の温度で蒸発防止層６を形成する。蒸発防止層６としてｐ型Ａｌ_X Ｇａ_1-X Ｎ（０≦Ｘ≦１）などが用いられる。上部クラッド層７を形成するため基板温度を１０２０℃程度の高温に上げても蒸発防止層６の存在により活性層５からＩｎの遊離が生ずることがない。これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 （もっと読む）

【目的】 チッ化ガリウム系半導体層のエッチングをマスクとの選択比を大きくとれるようにするとともに、エッチング面などにコンタミネーションが付着しないようにして高特性の半導体発光素子がえられる製法を提供する。
【構成】 基板１上に少なくともｎ型層３、４およびｐ型層６、７を含み発光（活性）層５を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層された半導体層の一部をエッチングする半導体発光素子の製法であって、前記半導体層のエッチングをフッ素系ガスプラズマにより生じるフッ素イオンビームでドライエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 冷電子放出素子の新しい展開を可能にするとともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置を提供する。
【構成】 シリコン基板１と、このシリコン基板１の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質シリコン層２と、この多孔質シリコン層２上に形成されるＡｕ薄膜電極３と、前記シリコン基板１の裏面に形成されるオーミック電極４と、前記Ａｕ薄膜電極３に対向して配置され、真空雰囲気で前記Ａｕ薄膜電極３からの放出電子を捕獲するコレクタ電極５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 高品質なＳｉＣが形成された層状基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と、基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された単結晶層とを含む層状構造に関する。単結晶層は、約２００〜２００００オングストロームの厚さを有し、少なくとも第１の元素と誘電体層上の第２の元素の初期単結晶層との化学反応によって形成される。本発明の成功には、第２の元素が、約１００〜１００００オングストロームの初期厚さを有することが重要である。 （もっと読む）

【目的】長期間に渡って安定な発光特性を維持でき、ダークスポットの発生を抑制することができる有機電界発光素子を提供する。
【構成】基板上に、陽極、有機発光層及び陰極が積層され、該積層物の外表面に、内側から順に保護層、封止層、外気遮断材層が形成されてなる有機電界発光素子であって、前記封止層が下記（イ）、（ロ）、（ハ）の条件を満たす樹脂を主成分とする有機電界発光素子。
（イ）ＪＩＳ Ｋ ６９１１に規定される伸びが１００％以上。
（ロ）ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるショアーＡ硬度が２０以上。
（ハ）ガラス転移点が−４０℃以下で、−４０〜＋１００℃の温度範囲でゴム状弾性を示す。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現し、特に紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを実現する。
【解決手段】 基板１上に、少なくともｎ型窒化物半導体よりなる第一のｎ型クラッド層５と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層６と、その活性層に接してｐ型窒化物半導体よりなる第一のｐ型クラッド層７とが順に積層された構造を有し、さらにｐ型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のｎ型クラッド層５の外側に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ型の多層膜４４を光反射膜として備え、さらにそのｎ型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面（図６のＡ面）よりもｐ型窒化物半導体層に近い位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】高輝度且つ高信頼性を有する窒化物系化合物半導体からなる発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１１上に発光ダイオード４０が配設される。発光ダイオード４０は、この順に気相成長されたｎ型ＧａＮ層４３、ｎ型ＩｎＧａＮ発光層４４、ｐ型ＡｌＧａＮ層４５、ｐ型ＧａＮ層４６を具備する。ｐ型ＧａＮ層４６には及びｐ型ＡｌＧａＮ層４５には、夫々１×１０²⁰ｃｍ^-3、２×１０¹⁹ｃｍ^-3の濃度でマグネシウムが含有される。ｎ型ＧａＮ層４３及びｎ型ＩｎＧａＮ発光層４４には５×１０¹⁸ｃｍ^-3の濃度で水素が含有され、これにより、ｐ型ＧａＮ層４６及びｐ型ＡｌＧａＮ層４５からのマグネシウムの拡散が防止される。 （もっと読む）

【目的】 青色発光ダイオードを用いた白色可能な面状光源を実現し、均一な白色発光を観測できる面状光源を提供する。
【構成】 透明な導光板２の端面に発光ダイオード１が光学的に接続されており、さらに前記導光板２の主面のいずれか一方に、蛍光を散乱させる白色粉末が塗布された散乱層３を有し、前記散乱層３と反対側の導光板２の主面側には透明なフィルム６が設けられており、そのフィルム６には前記発光ダイオード１の発光により励起されて蛍光を発する蛍光物質が具備されている。 （もっと読む）

【目的】 半導体装置の製造方法に関し、ナノメータサイズのシリコン細線またはナノメータサイズのシリコンドットを容易に形成する手段を提供する。
【構成】 ポリシリコン層３等のシリコン層の表面に選択的にドライエッチングを施すことによって細線状またはドット状にパターニングした後に、アンモニアと過酸化水素水と水の混合溶液（好ましくは、１：２：５の割合、７５℃以下）によって等方性ウェットエッチングを施すことによって、ナノメータ幅をもつシリコン細線またはナノメータサイズのシリコンドット３₁ ，３₂ ，３₃ ，３₄ を形成する。この際、シリコン層の（１１１）表面にＫＯＨによって深さ方向の異方性エッチングを施すことによってエッチング面が極めて平坦なシリコン細線（ピラー）を形成する。この際ＳＯＩ基板を用いて独立したシリコン細線等を形成する。この工程によって発光装置、電界電子放出陰極、シングルエレクトロンメモリ等を製造する。 （もっと読む）