【目的】 発光ピークが４３０ｎｍ付近、および３７０ｎｍ付近にある窒化ガリウム系化合物半導体材料よりなる発光素子を有する発光ダイオードの視感度を良くし、またその輝度を向上させる。
【構成】 ステム上に発光素子を有し、それを樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオードにおいて、前記発光素子が、一般式Ｇａ_XＡｌ_1-XＮ（但し０≦X≦１である）で表される窒化ガリウム系化合物半導体よりなり、さらに前記樹脂モールド中に、前記窒化ガリウム系化合物半導体の発光により励起されて蛍光を発する蛍光染料、または蛍光顔料が添加されてなる発光ダイオード。 （もっと読む）

【目的】 結晶性に優れたｐ−ｎ接合窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を得る。
【構成】 基板上に一般式がＧａ_XＡｌ_1-XＮ（０≦X≦１）で表されるバッファ層と、その上に積層された少なくとも一つの層に薄膜のＡｌＮ層とＧａＮ層が交互に成長された多層膜層とを成長させることにより、ＧａＮの格子欠陥を多層膜層で止める。 （もっと読む）

【目的】 結晶性に優れた窒化ガリウムアルミニウムの混晶膜が得られる結晶成長方法を提供することにより、シングルヘテロ、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード、レーザーダイオードを実現する。
【構成】 薄膜のＧａＮ層と薄膜のＡｌＮ層とを交互に成長させた多層膜層を成長させ、さらにその多層膜層のＧａＮ層とＡｌＮ層のそれぞれの総膜厚の比が窒化ガリウムアルミニウム半導体のモル比に対応しているように、ＧａＮ層とＡｌＮ層とを成長させる。 （もっと読む）

【構成】発光素子の発光状態を他の発光素子に転送するための信号である第１群のクロックパルスφ₁ 、φ₂ はいずれも整形パルスであって、かつ、互いにローレベル時間の重なりがない位相シフトパルスであり、そのローレベル時間Ｔ_L は上記発光素子のオフに要する最小時間とし、上記発光素子の発光強度を増大させるための信号である第２群のクロックパルスφ_I1、φ_I2は、対応する第１群のクロックパルスφ₁ 、φ₂ がハイレベルであり、かつ、そのとき発光している発光素子の発光強度を増大させたいときのみハイレベルとなる。
【効果】各発光素子の発光時間が長くなり、その結果、発光素子に一定のエネルギーを放射させるには、発光素子の発光強度は弱くてよいから、第２群のクロックパルスのハイレベルでの電流量は小さくて済み、発光素子を長寿命化させることになる。 （もっと読む）

【目的】 炭化珪素発光素子中のｐ型炭化珪素に対して、金属膜をオーミック電極とするための熱処理工程において消失せず、またその熱処理工程によって球形化しない電極を形成する。
【構成】 IV族元素又は立方晶ＢＮの光半導体素子のｐ型領域１３に隣接して形成されるｐ型炭化珪素の電極２２としてIII 族金属と該III 族金属との金属間化合物の融点が該III 族金属の融点以上となるＰｔ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｓｂから選ばれた一つの金属との金属間化合物を用いる。また、オーミック電極となり得る金属膜上に高い温度を融点として持つ物質を積層する。
【効果】 半導体素子製造工程に必要なボンディング工程を容易に行なえる。また、より高温で熱処理することができるため一層低抵抗の電極を形成できる。 （もっと読む）