【目的】３−５族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとする。
【構成】Ｉｎ_X Ｇａ_y Ａｌ_z Ｎ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。 （もっと読む）

【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザダイオードの出力効率の向上
【構成】 活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体（(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、（１１−２０）面（ａ面）を主面とするサファイア基板と、サファイア基板上に直接又はバッファ層を介在させて、ダブルヘテロ接合構造に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN:0 ≦x ≦1,0≦y≦1)から成る積層された多重層と、多重層及び前記サファイア基板をサファイア基板の＜０００１＞（ｃ軸）に平行にへき開して形成された鏡面とを有することを特徴とする。端面の平行度及び鏡面度が高くなる結果、レーザの出力効率が向上した。 （もっと読む）

【目的】 プリントバーの動作寿命にわたったＬＥＤプリントバーの画素均一性を維持する
【構成】 もし予め決められた画素のオンタイム差が限度を越えていると、再較正が行われる。新しい補正値が各画素に対して生成され、各画素はオンタイムを光出力ドロップ（低下）と関連させる適切なアルゴリズムを介した再較正が要求される。これらの新しい補正値は補正メモリ４０へダウンロードされ、ダイオード電流かデューティサイクルを変えることによって、劣化したＬＥＤの出力が調節される。より長いオンタイムを有する画素は、より明るい（ブライト）（より短いオンタイム）画素値まで光出力を増加させるために再調整される。これらの新しい補正値はメモリ４０に記憶される。 （もっと読む）

【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。
【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18，19などの他のIIIＶ族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。
【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。 （もっと読む）

【目的】フリップチップ型（フェースダウン）の LEDでも使用可能な、量産に向く製造容易な LEDランプを提供することである。
【構成】図１の LEDランプ１は砲弾型のパッケージ２でリード３が延びた形状である。多色 LEDでは、共通端子と三色用に四本のリード３が設けられる。このリード３は、パッケージ２の内部となる部分で曲げ加工によってチップ台（ボンディング領域）が設けられる。一部はリード間にフリップチップ型の GaN青LED チップが固定され、又はアノードコモンのリード３ａのチップ台に直接赤LED チップを搭載して、点灯端子とボンディングワイヤで接続している。曲げ加工によりリードフレームの平坦面をリード方向に対して直角方向にするため、リード端をそのままボンディング領域にできる。リードフレームは一回の打ち抜き工程で形成できる上、連続してリード部を供給してLED ランプを量産できる。 （もっと読む）

【目的】 本考案の車輛の信号灯装置は、走行中の車輛がブレーキをかけている時とかけていない時を、信号灯の点灯方式を異なる様に区別して表示することを目的とする。
【構成】 一個の安定化電源電圧供給器１０と、一個の発振器２０と、一個の計数器３０と、二個の計数制御器４０と、一個の暗号解読器５０と、一個のアンドゲート６０と、一個の制御器７０と、複数の信号灯８０とで組み合わせて構成され、複数の信号灯８０をして単一灯で順番に左から右に点滅式に点灯して、車輛が電源をオンにした時と、走行中の時を表示し、複数の信号灯を全部一緒に連続的に点灯して、ブレーキをかけていることを表示するものである。 （もっと読む）

【目的】 高いファイバ面密度を有する小型の光送受信モジュール提供する。
【構成】 集積回路６００ならびに光素子６０８を配線基板２０３内の配線に、テープボンディング用リード６０２を用いて電気的に接続すると共に、この基板内の配線に、この基板の側面において接続用ピン２０４を接続し、テープファイバ１０２と同一方向に信号を取り出す。このモジュールは、実装基板（図示せず）の上面に設けたコネクタ（図示せず）に、その実装基板の面に垂直な方向から差し込む形で使用する。
【効果】 光送受信モジュールの厚さを薄くでき、さらに接続用ピンがモジュールの側面に形成されていることから、光ファイバと実装基板が垂直方向となる密着実装が可能となる。その結果、光ファイバの短ピッチでの２次元的配列が実現でき、信号線面密度の向上が達成される。 （もっと読む）

【目的】 青色発光ダイオードを用いた白色可能な面状光源を実現し、均一な白色発光を観測できる面状光源を提供する。
【構成】 透明な導光板の端面に発光ダイオードが光学的に接続されており、さらに前記導光板の主面のいずれか一方に、前記青色発光ダイオードの発光により励起されて蛍光を発する蛍光物質と、蛍光を散乱させる白色粉末とが混合された状態で塗布された蛍光散乱層を有し、前記青色発光ダイオードの発光が前記蛍光散乱層で波長変換される。 （もっと読む）

【目的】 ＬＥＤの樹脂に波長変換材料を含有させて発光チップの波長変換を行う際、まず変換された発光の集光をよくしてＬＥＤの輝度を高めることを目的とし、また蛍光顔料を使用した際、波長の異なるＬＥＤを近接して設置しても混色の起こらないＬＥＤを提供する。
【構成】 ＬＥＤの封止樹脂が、カップ３内部を充填する第一の樹脂１１と、その第一の樹脂を包囲する第二の樹脂１２とからなり、第一の樹脂１１には発光チップの発光波長を他の波長に変換する蛍光物質、または発光波長を一部吸収するフィルター物質等の波長変換材料５が含有されていることにより、波長変換光がカップ３に反射されるため輝度、集光効率が向上する。 （もっと読む）

【目的】 ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することにより、発光素子の発光効率および信頼性を高める。
【構成】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成され、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミック接触が得られた電極であって、前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとの合金よりなるか、または前記電極が少なくともチタンとアルミニウムとが積層された多層膜よりなる。 （もっと読む）