【課題】焦電型赤外線検出器内部の容積に対し、実装部材が少なく、熱容量が小さい事から、急激な温度変化が加わった際に、焦電素子が受ける熱影響が大きく、温度変化に対し、出力信号のドリフトに限界がある。
【解決手段】熱容量を大きくし、急激な温度変化が加わった際に於いても、焦電素子が受ける熱影響を小さく、温度変化に対し、出力信号のドリフトを抑制するために、焦電型赤外線検出器内部へ基板を２つ内蔵した２階建て基板構造とすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】赤外光検出器と、赤外光検出器を製造するための方法と、省スペースを達成すると共に製造コスト面で有利な赤外光検出器を備えた赤外光検出システムを創出する。
【解決手段】本発明の赤外光検出器は、焦電感受性材料から製造された薄層エレメント（５）を有し、電気絶縁体（２７）を具備したセンサチップ（４）と、読み出し電子回路の一部を形成する薄層構造の少なくとも１電子部品（１７、１８）と、薄膜（２）とを備え、該薄膜にはセンサチップ（４）と電子部品（１７、１８）とが、電子部品（１７、１８）が薄層エレメント（５）と導電接続され、かつ、電子部品（１７、１８）と連携作用して、センサチップ（４）から出力された電気信号を増幅し得る信号増幅器（２２）が電子部品（１７、１８）に接続可能であるようにして隣接統合され、マウントされている。電子部品（１７、１８）が赤外光検出器に統合されて配置されているため省スペース構造を有し、別個の独立した読み出し電子回路が不要なのでコスト面で有利である。 （もっと読む）

【課題】
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】赤外線吸収層の赤外線吸収率を増加させて、熱型赤外線センサの検出感度を向上させる。
【解決手段】本発明による熱型赤外線センサは、赤外線受光部１１と、回路基板１上の空洞部を介して保持され、入射する赤外線を熱変換して得た熱を赤外線受光部１１に伝達する赤外線吸収膜とを具備する。赤外吸収膜における赤外線入射面と、入射面の裏面である空洞部側の透過面とに、赤外線吸収膜の膜厚より大きく、膜厚の１０倍以下の幅の凸部又は凹部が形成されている。 （もっと読む）

焦電材料は、バルク抵抗率が、２ｅ＋１４Ω*ｃｍ未満、好ましくは５ｅ＋１２Ω*ｃｍ未満であり、かつ下限閾値を超える程度に処理されたタンタル酸リチウムを含む。
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本発明は、熱放射の検知用素子に関し、該素子は、基板と、基板上に取り付けられると共に、導電性材料を有し、開口部のある基板から離れて対向した上面を有する保護ハウジングと、基板上の保護ハウジング内に取り付けられ、熱放射を電気信号に変換するための少なくとも１つの熱検知素子を備える少なくとも１つの検知キャリア、電気信号を読み出すための少なくとも１つの読出回路を備える少なくとも１つの回路キャリア、及び検知素子をカバーするための少なくとも１つのカバーを有する積層部とを備え、検知キャリアは、回路キャリアとカバーとの間に配置され、検知キャリア及びカバーは、検知キャリアとカバーによって画成される、積層部の第１の積層空間が、検知キャリアの検知素子とカバーの間に形成されるように配置され、回路キャリア及び検知キャリアは、回路キャリアと検知キャリアに画成される、積層部の少なくとも１つの第２の積層空間が検知キャリアと回路キャリアの間に形成されるように配置され、さらに第１の積層空間および／または第２の積層空間は真空化され、あるいは真空化することができ、積層部は、基板から離れて対向する積層上面を有し、積層部の積層上面は、保護ハウジングの外側から積層上面に対してアクセスできるように、開口部に嵌合してある。この素子は、運動センサ、存在センサおよび熱画像カメラなどにおいて使用される。 （もっと読む）

【課題】 複雑な貼り合せ工程が不要な、シリコン基板上にオンチップ作製が可能で、高感度、高精度、高信頼性、高集積化が可能な赤外線検出素子およびそれを用いた赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】基板と、下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ膜面に対して略垂直にｃ軸が配向した窒化アルミニウムからなる圧電膜と、を有する積層体と、前記積層体の一部と前記基板とを連結し前記積層体を前記基板の上方に間隙を空けて支持するアンカーと、前記基板上に設けられ、前記下部電極と前記上部電極とに接続された増幅器と、を備えたことを特徴とする赤外線検出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭと特定のセンサとが混載された新規な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置１０００は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０に形成されたトランジスタ１４と、前記トランジスタ１４を覆う層間絶縁層１６と、前記層間絶縁層１６の上方に形成された強誘電体キャパシタ３０であって、第１電極３４と、強誘電体層３６と、第２電極３８とを有する強誘電体キャパシタ３０と、前記強誘電体キャパシタ３０を覆う、前記層間絶縁層１６とは別の層間絶縁層４０と、前記半導体基板１０の上方に形成されたセンサであって、圧力センサ、焦電センサまたは磁気センサのいずれかであるセンサ１００と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで製造可能であり、誘電ボロメータを実用化するのに充分な大きさのＴＣＤを示す誘電ボロメータ用有機薄膜とこれを用いた赤外線検出装置、および該誘電ボロメータ用有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】温度に応じて比誘電率が変化する赤外線検出用膜であって、ビニリデンフルオライド系ポリマーから形成された赤外線検出用膜と、それを有する赤外線検出装置。前記赤外線検出用膜を形成する工程は、ビニリデンフルオライド系ポリマーを有機溶剤を用いて溶液を作成し、基板上に塗布して堆積する工程と、溶液を塗布した基板を加熱処理することによって有機溶媒を蒸発させ、誘電体膜をアニールする後処理工程とを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱型赤外線検出部が形成されたセンサ基板とパッケージ用基板との接合工程の歩留まりの向上を図れ、且つ、センサ基板において熱型赤外線検出部と電気接続用金属層とを電気的に接続する引き出し配線の断線を防止できるセンサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ基板１は、第１の半導体基板１０の主表面側の絶縁層において熱型赤外線検出部１３が形成された第１の領域と第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８が形成された第２の領域との間に段差が形成されている。熱型赤外線検出部１３と第１の電気接続用金属層１９とを電気的に接続するように絶縁層の表面に沿って形成された引き出し配線１６の膜厚と第１の封止用金属層１８および第１の電気接続用金属層１９の膜厚とが独立して設定されている。 （もっと読む）