【課題】 本発明は、高温高湿環境下でも圧電性能が低下し難い圧電・焦電素子用多孔質樹脂シート及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートは、ガラス転移点又は軟化点が１２０℃以上であり、かつ吸水率が０．２％以下である。 （もっと読む）

【課題】基板のウェットエッチング加工が容易であり、広い波長域にわたって効率良く赤外線を吸収できる熱型赤外線検出器を提供する。
【解決手段】赤外線吸収膜２は、ＴｉＮを含む第１の層２１と、Ｓｉ系化合物を含む第２の層２２とを備え、第２の層２２側から入射する赤外線のエネルギを熱に変換する。ＴｉＮは、８μｍより短い波長域の赤外線に対する吸収率が高い一方、８μｍより長い波長域の赤外線に対しては反射率が高い。従って、長波長域の赤外線に対する吸収率が良いＳｉ系化合物層をＴｉＮ層上に積層すれば、ＴｉＮ層において吸収率が低い波長域の赤外線をＳｉ系化合物層において好適に吸収できると同時に、Ｓｉ系化合物層を透過しようとする赤外線をＴｉＮ層の界面で反射してＳｉ系化合物層へ戻すことができる。 （もっと読む）

【課題】 焦電型光検出素子に光は入射する一方で還元ガスが侵入し難くした構造を有する焦電型光検出器及びその製造方法並びに焦電型光検出装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】 焦電型光検出器２００は、焦電型光検出素子２００と、焦電型光検出素子を搭載した支持部材２１０と、焦電型光検出素子と対向する位置に空洞部１０２を配置して支持部材を支持する固定部１００と、焦電型光検出素子側から見た平面視にて支持部材の輪郭に沿って開口されて、空洞部と連通する開口部１０２Ａと、支持部材の第１面と、開口部に臨む支持部材の側面２１１Ｃと、平面視にて露出する焦電型光検出素子及び支持部材の外表面２２０Ａと、を覆う第１還元ガスバリア層１４０，２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単な熱電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が化学量論的な濃度より低いチタン酸ストロンチウム基板１０と、前記チタン酸ストロンチウム基板１０上に形成され、チタンとニオブとの合計の原子濃度が、ストロンチウムの原子濃度より高いチタン酸ストロンチウム膜１２と、を具備する熱電変換装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等において、チューナビリティ、リーク電流特性及び誘電率を向上させ得る誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法及び誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式：Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（式中０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｃｕ（銅）を含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料及び複合酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつＡとＢとのモル比Ｂ／Ａが０．００１≦Ｂ／Ａ＜０．１５の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 焦電型検出素子の焦電体での焦電効果を高めて、検出精度を向上できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 焦電型検出器２００Ａ〜２００Ｃは、第１電極２３４と、第２電極２３６と、それら電極間に配置された焦電体２３２とから成り、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター２３０を含む焦電型検出素子２２０Ａ〜２２０Ｃを有する。焦電型検出素子を搭載する支持部材２１０は、第１面２１１Ａと、第１面に対向する第２面２１１Ｂとを含み、第２面が空洞部１０２に臨んで配置され、第１面が第１電極２３４と接する。支持部１１０は、支持部材の第２面の一部を支持する。焦電型検出素子が光吸収体（２３２，２３６または２９０）を含み、光の入射経路Ａ，Ｃにて光吸収体よりも上流側に配置される導電部材（２２４，２２８または２３４または２３６）が、光を透過する光透過性導電材料にて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 多層構造体に生じる応力による基板の反りを低減すること。
【解決手段】 多層構造体は、基板２０と、基板の第１主面上に形成された多層配線構造（３０，４０，５０）と、多層配線構造における、少なくとも最上層の一部に設けられた空洞部１０２と、空洞部を含む多層配線構造上に形成される素子構造体（２１０，２００）と、基板の、第１主面とは反対側の第２主面上に形成された、基板の第１主面側に生じる応力を緩和するための、少なくとも一層の応力緩和層１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電流電圧変換部の出力への不要な低周波成分の影響を抑制しながらも、電流電圧変換部のＳＮ比を向上させることができる赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】電流電圧変換部３は、反転入力端に焦電素子２が接続された第１の演算増幅器３１を有している。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、交流帰還用の容量素子としてのコンデンサＣ１が接続されている。演算増幅器３１の出力端−反転入力端間には、コンデンサＣ１と並列にリセットスイッチ３３が接続されている。リセットスイッチ３３は、制御部６からのリセット信号によってオンオフ制御され、オン時には、コンデンサに蓄積されている電荷を放電するための放電経路を形成する放電部として機能する。制御部６は、所定周波数以下の低周波成分を除去するように予め決められている周期でクロック信号を発生する発振器を有し、クロック信号に基づいてリセット信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】配線から熱が散逸するのを抑制した焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】焦電型検出素子は支持部材に搭載される第１電極２３４と第２電極２３６と焦電材料２３２を含み、第１電極が焦電材料が積層形成される第１領域２３３Ａと第１領域より延在形成された第２領域２３３Ｂを有するキャパシター２３０を含み、キャパシターを覆う層間絶縁膜２６０と層間絶縁膜に形成されて第１電極の第２領域に通ずる第１コンタクトホール２５２と第１コンタクトホールに埋め込まれた第１プラグ２２６と層間絶縁膜に形成されて第２電極に通ずる第２コンタクトホール２５４と第２コンタクトホールに埋め込まれた第２プラグ２２８と第１プラグに接続される第１電極配線層２２２と第２プラグに接続される第２電極配線層２２４を含む。第２電極配線層を形成する材料は第２プラグと接続される部分の第２電極を形成する材料の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにより構成される感温部３０を具備する複数の画素部２が半導体基板１の一表面側においてアレイ状に配置された赤外線センサチップ１００と、赤外線センサチップ１００の出力信号を信号処理するＩＣチップ１０２とを備える。パッケージ１０３は、赤外線センサチップ１００およびＩＣチップ１０２が横並びで実装されたパッケージ本体１０４と、赤外線を透過するレンズ１５３を有しパッケージ本体１０４に気密的に接合されたパッケージ蓋１０５とを有する。パッケージ１０３内に、赤外線センサチップ１００への赤外線を通す窓孔１０８を有しＩＣチップ１０２の発熱に応じた各画素部２の温接点Ｔ１および冷接点Ｔ２の温度変化量を均一化するカバー部材１０６を設けてある。 （もっと読む）