【課題】グラフェンを活性領域に使った電子装置において、グラフェンにバンドギャップをもたせ、オンオフを可能とする。
【解決手段】電子装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたグラフェンシートと、前記グラフェンシートの一端に形成されたソース電極と、前記グラフェンシートの他端に形成されたドレイン電極と、前記グラフェンシートに前記ソース領域とドレイン領域との間でゲート電圧を印加するゲート電極と、前記グラフェンシートに前記ソース電極とドレイン電極の間において、前記ソース電極からドレイン電極へのキャリアの流れを横切って形成された、複数の開口部よりなる開口部列と、を備え、前記各々の開口部は少なくとも一つのジグザグ端により画成されており、前記少なくとも一つのジグザグ端は、前記ソース電極とドレイン電極を結んだ方向に対し、いずれも３０°の角度をなす。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）分子内にビニルオキシ基を含有する低分子化合物及び／又は分子内にビニルオキシ基及び活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第１の官能基を含有する高分子化合物と、（Ｂ）分子内にＮ−マレオイルアミノ基を含含有する低分子化合物及び／又は分子内にＮ−マレオイルアミノ基及び活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる第１の官能基を含有する高分子化合物とを、含有し、前記２種類の高分子化合物のうちの少なくとも一方の高分子化合物を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 （もっと読む）

【課題】フルオレンホモポリマーの最高被占軌道とアノードの仕事関数とのエネルギー差を近づけ、高効率、長寿命かつ深い青色発光の可能なオプトエレクトロニック材料及びデバイスを提供する。
【解決手段】下記式Ｉの構造単位を含む、エレクトロルミネッセンスポリマー及び該ポリマーを含むエレクトロルミネッセンスデバイス。


（式中、Ａｒ_１は、置換されていても非置換であってもよい芳香族基であり、Ｒ_１は、アルキル、アルコキシ、アリール基、シアノ、又はＦである）。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性や移動度が高く、安定性に優れた有機半導体層、及びＯｎ／Ｏｆｆ比が高い有機電子デバイスを得る。また、この有機電子デバイスを低コストに製造する。
【解決手段】特定構造の有機半導体化合物と特定の有機化合物とを含有する有機電子デバイス用組成物を用いる。具体的には、有機半導体化合物として、アヌレン構造を有する有機化合物を用い、特定の有機化合物として、下記一般式（１）若しくは（２）で表わされる部分構造を有する有機化合物、又は、ウレア結合、チオウレア結合、ホスフィンオキシド結合、ホスフィンスルフィド結合、スルフォキシド結合若しくはスルホン結合を有する有機化合物を用いる。


（式（１）〜（２）中、Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を示し、Ｚは硫黄原子又はリン原子を示す。ｎは、１又は２を示し、ｎが２である場合の２つのＸは酸素原子を示す。Ｘ及びＺがどちらも硫黄原子であることはない。） （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネセンスデバイスに使用することができる更なるデンドリマー、特に、効率的であり、高分子レベルで他の有利な特性を有するデバイスを製造するために、分子レベルで良好な制御を提供することができる更なるデンドリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）、［ＤＥＮＤＲＯＮ^１］_ｘ−ＣＯＲＥ−［Ｂ−［Ｘ］_ｂ］_ａ（Ｉ）［式中、ＣＯＲＥは、金属イオン又は金属イオンを含む基、或いは非ポリマー性有機基であり；Ｂはフェニル環であり；ａは、１〜８の整数であり；ｂは、３〜５の整数であり；ｘは、０又は１〜７の整数であり；各Ｘは、アリール又はヘテロアリール環であるか、或いは少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造であり；各ＤＥＮＤＲＯＮ^１は、少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造であり；このデンドリマーは、１つ又は複数の表面基を更に含み；但し、ＣＯＲＥが非金属核の場合、Ｘは、少なくとも１つの連結基を含む、少なくとも部分的に共役している樹枝状分子構造である］のデンドリマー。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタおよび／または電子デバイスの電荷キャリア移動度を増大させ、高い移動度および優れた安定性を達成する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層は、半導体組成物として、ポリマー結合剤および小分子半導体を含む。また、半導体層は、ソース電極およびドレイン電極の間の方向に配列したアライメント層上に堆積されている。アライメント層は、電子デバイスの電界効果移動度を増大させるために使用される。 （もっと読む）

【課題】グラフェン層をチャネルに用いたグラフェントランジスタにおいて、オフリークの低減により低消費電力化をはかる。
【解決手段】グラフェン層をチャネルに用いた電界効果型の半導体装置であって、基板１０上に形成され、所定のバンドギャップを有するグラフェン層４０から成るチャネル領域４５と、チャネル領域４５の両側にそれぞれ形成され、バンドギャップがチャネル領域４５よりも小さいグラフェン層４０から成るソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域のチャネル領域４５に接する部分の上にそれぞれ形成され、チャネルを横切るように相互に平行配置された２つのゲート電極６１，６２と、ソース／ドレイン領域のコンタクト部にそれぞれ形成された金属触媒層２１，２２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、ＴＦＴ，絶縁膜および有機ＥＬ素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第１パターンおよび第２パターンを有する凹版を用いて、第１パターンの膜を基材へ形成する第１転写工程と、第１パターンの膜上に第２パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第２転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複層のゲート絶縁層を備えたグラフェン電子素子を提供する。
【解決手段】グラフェンチャネル層とゲート電極との間に、有機物絶縁層と無機物絶縁層とからなる複層のゲート絶縁層を備えるグラフェン電子素子である。有機物絶縁層は、グラフェンチャネル層に不純物が吸着することを抑制して、グラフェンチャネル層の本来の特性を維持する。前記有機物絶縁層は、前記無機物絶縁層と前記グラフェンチャネル層との間に配置される。前記有機物絶縁層は、フッ素系高分子を含む。 （もっと読む）