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国際特許分類[H01L51/05]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 (6,100)

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【課題】TFTをそれぞれ有する複数の画素からなる画素アレイにおいて、画素の電気的特性に影響を及ぼすことなく、容易に高密度化することが可能な画素アレイを提供する。
【解決手段】複数の画素を有する画素アレイにおいて、隣接する所定数の画素にそれぞれ設けられたTFTは互いに近接配置され、該TFTの半導体膜は近接する複数のTFTに渡って連続して形成される。画素アレイは、同一の列に配列された複数の画素にそれぞれ設けられたTFTに接続され、該TFTに信号を供給、または該TFTから信号を読み出す列信号線と、複数の画素の隣接する行間に設けられ、TFTをオフ状態にしうる電圧信号が印加された行共通線と、を有する。半導体膜が連続して形成された複数のTFTのうち、行方向に近接配置される各TFTは、2本の列信号線を挟んで近接配置されており、列方向に近接配置される各TFTは、行共通線を挟んで近接配置されている。 (もっと読む)


【課題】 低電圧駆動可能で低消費電力型の不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、対向配置された第1基体10Aおよび第2基体20Aと、第1基体および第2基体に挟まれる電解質層30とを備えるメモリ素子1000が提供される。第1基体の基板12の一の面12Sの上には、二酸化バナジウムを主成分とするメモリ層100Aが形成され、メモリ層に接している第1電極部110Aと第2電極部120Aとを有している。第2基体の対向基板22は、第1基体に対向する面の上に第3電極部230Aを有している。そして電解質層30は、第1電極部と第2電極部との間においてメモリ層に近接している。本発明のある態様においては、一方の基体に第1〜第3電極部とメモリ層とが形成された別の典型的なメモリ素子2000も提供される。 (もっと読む)


【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として用いる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Eは、−O−、−S−又は−Se−を表す。〕で表される構造単位と、式(1)で表される構造単位とは異なる式


〔式中、Arは、2価の芳香族基、−CR=CR−で表される基又は−C≡C−で表される基を表す。〕で表される構造単位とを含む高分子化合物。 (もっと読む)


【課題】置換基を有するフタロシアニン誘導体が酸により分解すること無く、代表的な有機半導体たる無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンからなるワイヤー状結晶、特にワイヤーの幅(短径)が100nm以下のナノサイズの細線状の構造を有し、そのワイヤーの短径に対する長さの比率(長さ/短径)が10以上であるフタロシアニンナノワイヤーの製造法を提供すること。
【解決手段】無置換フタロシアニンのみを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて得られた微細化無置換フタロシアニンを、置換基を有するフタロシアニン誘導体と混合し、溶媒中、もしくは溶媒蒸気雰囲気下に置くことで上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】安定的かつ容易に薄膜を形成、あるいは有機薄膜層の多層化を容易に行うことができ、有機エレクトロニクス素子、特に高分子型有機EL素子の生産性を向上させる上で有用な有機エレクトロニクス材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(1b)で表されるイオン性化合物を少なくとも1つ含むことを特徴とする有機エレクトロニクス材料。
【化1】


(一般式(1b)中、Yは炭素原子又は硫黄原子を含む二価の連結基、Rは電子求引性基(これらの構造中にさらに置換基、ヘテロ原子をもっていてもよい)を表す。Lは一価のカチオンを表す。) (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、特定の構造を有するポリシロキサン化合物を含有する高誘電率でありかつ絶縁性に優れた薄膜となる硬化性組成物に関するものである。本発明の硬化性組成物を硬化して得られる薄膜は、特に薄膜トランジスタのゲート絶縁膜やコンデンサ用材料として有用である。
【解決手段】アルケニル基を有する化合物(A)および特定の構造を有するポリシロキサン化合物(B)からなるヒドロシリル化反応性を有する硬化性組成物であり、得られる硬化物における1kHzでの比誘電率が3.5以上であることを特徴とする硬化性組成物により達成できる。 (もっと読む)


【課題】特定構造のπ電子共役化合物前駆体を含む薄膜中の該前駆体のπ電子共役化合物への変換が、基板の耐熱温度に制限されることなく、且つ大気下で進行する、有機膜の製造方法。
【解決手段】π電子共役化合物前駆体A−(B)mを含む薄膜中の該前駆体A−(B)mが、活性エネルギー線の照射により、π電子共役系化合物A−(C)mと脱離性化合物X−Yに変換される。A−(B)m→A−(C)m+X−Y




(Aはπ電子共役系置換基、Bは溶媒可溶性置換基、mは自然数である。) (もっと読む)


【課題】溶解度が高く、光電変換素子に適した新規のコポリマーを提供する。
【解決手段】下記式(1A)で表される繰り返し単位と式(1B)で表される繰り返し単位とを含むコポリマー。


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【課題】優れた電気特性、大気安定性を有した薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイスをウェットプロセスにて作製するための、π電子共役系化合物前駆体、及びトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式(I)で示される工程により得られる有機膜を用いたトップゲート型薄膜トランジスタ。




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【課題】従来の電気化学素子とは逆極性でオンオフ動作を行うイオン移動型電気化学素子を提供する。この素子を従来型の電気化学素子とを組合せれば、低消費電力の相補型回路を構成できる。
【解決手段】イオン拡散材料として使用する酸化タンタルを挟んで一方にゲート電極を配置し、もう一方に絶縁物材料によって隔てられたソース電極とドレイン電極を配置する。このとき、ソース・ドレイン電極間の電気的接続を実現するゲート電圧(オン電圧)がオフ状態を実現するゲート電圧(オフ電圧)よりも低い電気化学素子が得られる。 (もっと読む)


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