【課題】輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される構成単位を有する高分子化合物。
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【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記複数のトランジスタのうちの１つの上に設けられた記憶素子及びアンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第２の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の電極と、該電極の間に式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含む有機層を有する光電変換素子。


（Ｉ）
式中、Ａｒは、アリーレン基を表す。Ｒは、フッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基を表す。２個あるＲは、同一でも相異なってもよい。式（Ｉ）で表される繰り返し単位は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−４）で表される繰り返し単位であることが好まし。Ｒはフッ素原子であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡便な工程で製造可能な、電荷注入効率に優れた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に金属電極層を形成する金属電極層形成工程と、上記金属電極層の上面に、電子吸引性または電子供与性の官能基を有する表面処理剤で表面処理を行うことにより、表面処理層積層体を形成する表面処理工程と、上記表面処理層積層体をパターニングし、ソース電極およびドレイン電極を形成するパターニング工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上にゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程と、上記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷移動度とイオン化ポテンシャルが優れると共に、塗布等により容易に製膜できるように有機溶媒への溶解度の高い有機半導体を提供する。
【解決手段】下式で表される有機半導体。


Ａｒ、Ａｒ’は共役構造を有する環状の化合物。Ｒ、Ｒ’は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、直鎖アルコキシ基、分岐アルコキシ基、水素、ハロゲンのいずれか。Ｒ’’は直鎖アルキル基、分岐アルキル基、直鎖アルコキシ基、分岐アルコキシ基、水素、ハロゲンのいずれか。ｘ、ｙ、ｚは０．５の倍数で、ｘ≦ｚ、ｙ≦ｚ。ｎは１〜１０００の定数。 （もっと読む）

【課題】溶解度が高く、長波長領域に吸収を有する、光電変換素子に適した新規のコポリマーを提供する。
【解決手段】下記式（１Ａ）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とするコポリマー。


（式（１Ａ）中、Ｒ^１は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ^２は水素原子、重水素原子、トリフルオロメチル基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基又はジシアノビニル基を表す。） （もっと読む）

【課題】長波長の光の吸光度が大きい高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（Ａ）で表される繰り返し単位と式（Ｂ）で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物。


〔式（Ａ）及び式（Ｂ）中、Ｑ及びＲは、同一又は相異なり、水素原子、フッ素原子、フッ素化されていてもよいアルキル基、フッ素化されていてもよいアルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基等で表される基を表す。複数個あるＱは、同一でも相異なっていてもよい。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよい。〕 （もっと読む）

【課題】工程数を減らし、より効率的に、代表的な有機半導体たる無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンからなるワイヤー状結晶、特にワイヤーの幅（短径）が１００ｎｍ以下のナノサイズの細線状の構造を有し、そのワイヤーの短径に対する長さの比率（長さ／短径）が１０以上であるフタロシアニンナノワイヤーの製造法を提供すること。
【解決手段】無置換フタロシアニンと置換基を有するフタロシアニンとを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて得られた複合体を、溶媒中、もしくは溶媒蒸気雰囲気下に置くことで、複合体の微粒子化工程、および分散工程を経ずに、目的とするフタロシアニンナノワイヤーを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】良好なスイッチング特性を発現するとともに、塗布性に優れたメモリ素子スイッチング層形成用組成物を提供する。
【解決手段】メモリ素子の陽極層と陰極層との間に配置されたスイッチング層を形成するのに用いるメモリ素子スイッチング層形成用組成物において、下記式（Ｐ−１）で表される繰り返し単位及び下記式（Ｐ−２）で表される繰り返し単位の少なくともいずれかの繰り返し単位（ｐ１）を有する重合体を含むものとする。


（式（Ｐ−１）及び式（Ｐ−２）中、Ｒ^１は脂環式構造を有する４価の基であり、Ｒ^２はトリフェニルアミン構造を有する２価の基である。） （もっと読む）