【課題】低いエネルギー付与でπ電子共役化合物を得る製造方法、及びこの技術を利用し、難溶性π電子共役系化合物の連続した薄膜の効率的な製造方法を提供する。更に該薄膜の有機電子デバイスへ応用する。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体（Ｉ）を含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、式（II）で示される脱離性置換基を脱離させ（Ｉａ）で示されるπ電子共役系化合物を含有する膜状体を生成することを特徴とする膜状体の製造方法。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表す。Ｑ_２乃至Ｑ_５はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、１価の有機基であり、Ｑ_１とＱ_６は水素原子、ハロゲン原子または、前記脱離性置換基以外の一価の有機基である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として優れた電界効果移動度を発揮することができる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】下式で表される第１構造単位とチオフェン環、又は、少なくとも１つのチオフェン環を含む縮合環を表し、且つ、前記第１構造単位とは異なる構造を有する第２構造単位とを含む高分子化合物。
（もっと読む）

【課題】光電変換効率、耐久性に優れ、しかも光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少ない光電変換層の膜厚ムラやピンホールが少ない有機半導体ポリマー、有機半導体材料用組成物、光電池およびポリマーを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有することを特徴とする有機半導体ポリマー、有機機半導体材料用組成物、光電池およびポリマー。


式中、Ｚ^１およびＺ^２は各々独立にＳ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅを表し、Ｒは−ＳＯ_ｐＸ、−ＣＮ、−ＮＯ_２、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＲ^１）（ＯＲ^２）または−Ｃ（Ｒ^１’）＝Ｃ（ＣＮ）_２を表す。Ｘは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または−ＮＲ^３（Ｒ^４）を表す。 （もっと読む）

【課題】高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部２を有する基体１と、前記基体１上に形成されたソース電極３及びドレイン電極４と、前記基体１の撥液部２の一部上に形成された遮蔽層５とを有し、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に金もしくは／及び白金、又は酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている有機半導体素子用基板６上に紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板６に照射して、前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部７に変性する有機半導体素子用基板６の形成工程と、有機半導体層８の形成工程と、前記ソース電極３及び前記ドレイン電極４に酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている場合は還元工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造時におけるソース電極およびドレイン電極の劣化を好適に防止することができ、優れたスイッチング機能を有する有機半導体素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成され、銀を主成分とする金属材料を含むソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、酸素に対する遮蔽性を有する電極保護層と、少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極の間のチャネル領域に形成可能なパターン形状を有し、有機半導体材料を含む有機半導体層と、上記有機半導体層上のみに形成され、真空紫外光に対する遮光性を有する遮光材料を含むＶＵＶ遮蔽層とを有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率、耐久性、特に酸素存在下での耐久性に優れ、しかもセルサイズを大きくした場合においても光電変換効率の低下が少ない有機半導体ポリマー有機半導体ポリマー、有機半導体材料用組成物、光電池およびポリマーを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有することを特徴とする有機半導体ポリマー、有機機半導体材料用組成物、光電池およびポリマー。


式中、ＸはＳｉ、ＳまたはＯを表し、Ｒ^１は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基または酸素原子を表す。ｐは０、１または２を表す。ここで、ＸとＲ^１との間の結合は、ＸがＳｉである場合は単結合であり、ＸがＳであるとき、二重結合である。またＸがＯである場合、ｐは０である。 （もっと読む）

【課題】高い精度で効率良くパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部２を有する基体１を準備する第１工程、前記基体１の撥液部２上に遮蔽層５を形成する第２工程、前記基体１の撥液部２の一部を前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部７に変性する第３工程、及び、前記第１工程、前記第２工程、または前記第３工程の後に行い、前記基体１上にソース電極３及びドレイン電極４を形成する第４工程を有する有機半導体素子用基板６の形成工程と、有機半導体層８を親液部７上に形成する有機半導体層８の形成工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１０ｎｍ程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能な微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明の微細構造物の製造方法は、トップダウン形成法により、基板上に少なくとも２つの凸状の形状からなる第１の構造体を形成する第１の構造体形成工程と、ボトムアップ形成法により、前記第１の構造体が形成された基板上に形成材料を堆積させ、隣接する前記第１の構造体の中間位置に凹状の溝を有する第２の構造体を形成する第２の構造体形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法、ならびにプログラムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。ソース電極およびドレイン電極を形成する工程において、基板の歪み、または基板の伸縮率に基づいて、露光データを、スケーリング処理を用いて薄膜トランジスタのチャネル長を固定した状態で補正して第１の補正データを作成する。この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 （もっと読む）

【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板１上に絶縁層２を形成し、絶縁層２に空隙２Ａを形成し、空隙２Ａに触媒材料４を充填し、絶縁層２における触媒材料４の露出面４ａにグラフェン５を形成し、絶縁層２上でグラフェン５の両端部に接続するように一対の電極５，６を形成し、グラフェン５を一部除去してグラフェンリボン８を形成し、グラフェンリボン８の除去された部位である間隙２Ａ１，２Ａ２を通じて触媒材料４を除去する。 （もっと読む）