【課題】メモリセルの構造を最適化することにより、更なる微細化を可能にする記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の第１の電極配線と、第１の電極配線と交差する複数の第２の電極配線と、１本の第２の電極配線と、互いに隣接する２本の第１の電極配線との間に形成される１個のビアプラグであって、前記第１の電極配線に対向する底面の、第１の電極配線の伸長方向に垂直な方向の最大径が、第１の電極配線幅の２倍と第１の電極配線間の幅を加えた長さよりも小さいビアプラグと、ビアプラグと２本の第１の電極配線の一方との間に形成される第１の記憶素子と、ビアプラグと２本の第１の電極配線の他方との間に形成される第２の記憶素子とを有する記憶装置。 （もっと読む）

【課題】良好な電荷移動度を示す高分子化合物、高分子有機半導体材料及び有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】高分子化合物は、下記一般式（１）又は（２）のいずれかで表される。
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【課題】有機半導体化合物及びこれを重合して得られる有機半導体高分子を提供する。
【解決手段】下記の一般式１で表わされる有機半導体化合物および有機半導体高分子。
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【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】多結晶性の有機半導体薄膜におけるキャリア移動頻度等の電子移動性を評価するに際し、結晶内におけるキャリア移動頻度と結晶間におけるキャリア移動頻度とを分離して評価する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機半導体薄膜におけるキャリア移動頻度の評価方法は、多結晶性の有機半導体薄膜におけるキャリア移動頻度を評価する方法であって、有機半導体薄膜において、結晶１内および結晶１間の少なくとも一方におけるキャリア移動頻度を評価する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスで好適に用いられるテトラベンゾポルフィリンバナジル錯体の高純度製造法の提供。
【解決手段】テトラビシクロポルフィリン化合物とバナジル化合物の反応を６５℃以上９５℃以下の温度で行う。式（２）の錯体の製造方法。
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【課題】有機半導体に対する接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】金属層２４Ａと、金属層２４Ａの表面の少なくとも一部に付着したカーボンナノチューブ２４Ｂと、を有する有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、アモルファスカーボンを含むカーボンナノマテリアルが隙間を介して集合したナノマテリアル集合層２４と、前記ナノマテリアル集合層２４の上面に設けられた上部電極層２５と、前記ナノマテリアル集合層２４の前記上面に対向する下面に直接的又は間接的に設けられた下部電極層２３とを備え、前記ナノマテリアル集合層２４が含むアモルファスカーボンの量は、前記下面よりも前記上面の方が少ない。 （もっと読む）

【課題】高いフィールド効果移動性、空気安定性、及び良好な溶解性を示す半導体ポリマーを提供すること。
【解決手段】ピロロ［３，４−Ｃ］ピロールー２，５−ジチオンを必須単位とし、該化合物の３−位及び６−位を結合手として繰り返し単位を構成し、エテニル、エチニル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換ヘテロアリール等を共重合成分として含むポリマー。 （もっと読む）