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国際特許分類[H01L51/05]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (29,607) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 (6,100)

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【課題】電荷保持特性に優れた有機分子メモリを提供する。
【解決手段】実施の形態の有機分子メモリは第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、電荷蓄積型分子鎖または抵抗変化型分子鎖を含み、電荷蓄積型分子鎖または前記抵抗変化型分子鎖が縮合多環系の基を備える有機分子層と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ガスの検出感度とガスの脱離を両立することができる有機電界効果トランジスタ式ガスセンサおよびその使用方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する電界効果トランジスタ1と、電界効果トランジスタ1の温度を制御する温度制御機構24とを備える有機電界効果トランジスタ式ガスセンサ3である。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】メモリセルに流れる電流を制御し、安定した動作と高い信頼性を備える有機分子メモリを提供する。
【解決手段】第1の電極と、第1の電極と異なる材料で形成される第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に設けられる有機分子層であって、有機分子層を構成する抵抗変化型分子鎖の一端が第1の電極と化学結合し、抵抗変化型分子鎖の他端と第2の電極との間に空隙が存在する有機分子層と、を備える有機分子メモリ。 (もっと読む)


【課題】電荷保持特性に優れた有機分子メモリを提供する。
【解決手段】実施の形態の有機分子メモリは、有機分子メモリは第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極111、ソース電極131、ドレイン電極132、バス配線、画素電極133、ゲート絶縁膜121、層間絶縁膜122、半導体層141の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜121および/もしくは層間絶縁膜122が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】上側のメモリセルと下側のメモリセルとの間におけるデータリテンションのばらつきを低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第1のメモリセルMC111は、第1のラインWL11の半導体基板SBと反対側に配されている。第2のラインBL11は、第1のメモリセルMC111を介して第1のラインWL11に交差する。第2のメモリセルMC211は、第2のラインBL11の半導体基板SBと反対側に配されている。第3のラインWL21は、第2のメモリセルMC211を介して第2のラインBL11に交差する。第1のメモリセルMC111は、第1の抵抗変化層R111と第1の整流層D111とを有する。第1の抵抗変化層R111は、カーボン系の材料で形成されている。第2のメモリセルMC211は、第2の抵抗変化層R211と第2の整流層D211とを有する。第2の抵抗変化層R211は、金属酸化物で形成されている。 (もっと読む)


【課題】溶媒に対する溶解性が高い化合物を提供する。
【解決手段】第1の2価の構造単位と第2の2価の構造単位とを有し、該第1の2価の構造単位がベンゼン環、シクロヘキサン環及びヘテロ原子を有する5員環あるいはベンゼン環と縮合し、シクロヘキサン環が橋架けされている特定の縮合環構造を有し、ヘテロ原子を有する5員環あるいはベンゼン環で連結する構造単位であり、該第2の2価の構造単位が、上記の構造単位とは異なる構造単位である化合物。 (もっと読む)


【課題】優れたホール輸送性を有する重合体を提供すること。
【解決手段】式(1)で表される構造単位及び式(2)で表される構造単位を有する重合体。
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