【課題】抵抗を大きくして感知されやすくするとともに、リセット電流を小さくし、製造中の損傷も抑制できる抵抗率スイッチング素子を提供する。
【解決手段】第１の伝導性電極２８を形成するステップと、第１の伝導性電極２８の上に絶縁構造１３を形成するステップと、絶縁構造の側壁上に抵抗率スイッチング素子１４を形成するステップと、抵抗率スイッチング素子１４の上に第２の伝導性電極２６を形成するステップと、第１の伝導性電極２８および第２の伝導性電極２６の間に抵抗率スイッチング素子１４と直列にステアリング素子を形成するステップと、を含み、第１の伝導性電極２８から第２の伝導性電極２６への第１の方向における抵抗率スイッチング素子１４の高さＴは第１の方向に垂直な第２の方向における抵抗率スイッチング素子１４の厚さＩより大きい。 （もっと読む）

【課題】１０ｎｍ程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能な微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明の微細構造物の製造方法は、トップダウン形成法により、基板上に少なくとも２つの凸状の形状からなる第１の構造体を形成する第１の構造体形成工程と、ボトムアップ形成法により、前記第１の構造体が形成された基板上に形成材料を堆積させ、隣接する前記第１の構造体の中間位置に凹状の溝を有する第２の構造体を形成する第２の構造体形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として好適な新規化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）で示される化合物。


［式中、Ｚ^１〜Ｚ^４はそれぞれ独立に、硫黄原子又はセレン原子を表す。Ｒ^１〜Ｒ^８はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜３０のアルキル基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜３０のアルコキシ基、又は特定な置換シリル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面撥水性、絶縁性に優れた薄膜を与える硬化性組成物からなる有機ＴＦＴ用ゲート絶縁膜およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ素子を提供することである。
【解決手段】本発明とは、エポキシ基含有化合物を主成分とする硬化性組成物から成り、硬化後の薄膜表面における水接触角が９５度以上であることを特徴とする有機ＴＦＴ用ゲート絶縁膜であり、絶縁性に優れ、かつ表面撥水性が高いことより有機ＴＦＴ用絶縁膜として適用でき、優れたトランジスタ特性発現する有機ＴＦＴ素子を与える得ることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】液体プロセスに採用し易い配向性の制御が可能な半導体装置や強誘電体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に配置され、チャネル部を有する有機半導体膜と、ゲート電極と、前記チャネル部と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記チャネル部を第１の温度に加熱する工程と、前記第１の温度の前記有機半導体膜に、前記第１の温度よりも低い第２の温度の絶縁性ポリマーを含む液滴材料を配置し一定の方向に延ばす塗工工程により前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高いキャリア移動度を与えると共に容易に効率よく有機半導体層を製膜することが可能となるドロップキャスト製膜用溶液を提供する。
【解決手段】 純度９８％以上を有する下記一般式（１）で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体０．０１〜１０重量％及び炭素数７〜１３の芳香族系炭化水素９９．９９〜９０重量％からなるドロップキャスト製膜用溶液。
【化１】


（ここで、置換基Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、炭素数１〜２０のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 溶媒への溶解性に優れることから容易に有機半導体材料等への展開が可能となると共に、高キャリア移動度が期待できる新規なジチエノベンゾジチオフェン誘導体及びこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で示されるジチエノベンゾジチオフェン誘導体。
【化１】


（ここで、置換基Ｒ^１及びＲ^２は同一又は異なって、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、炭素数１０のアルキル基、炭素数１２のアルキル基及び炭素数１４のアルキル基からなる群より選択される置換基を示す。） （もっと読む）

【課題】十分に高いキャリア移動度を得ることができる有機トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物で表される化合物と高分子とを含む溶液を基板１１上に設けられたゲート電極１２上に塗布することにより、上記の高分子からなるゲート絶縁膜１３ｂとこのゲート絶縁膜１３ｂ上の、上記の化合物からなる有機半導体膜１４とを一括して形成する。
【化１】


（ただし、Ｒは水素またはアルキル基） （もっと読む）

【課題】 μCP法やコンタクトキャスト法等のエラストマースタンプを使用した印刷プロセスにおいて、インクに使用される溶剤の多様化と加熱機構を付加することによる生産性の高い薄膜形成プロセス及びその仕様に耐えうるエラストマースタンプを提供する。
【解決手段】 耐溶剤性に優れたフッ素系エラストマーからなる中間層と、該中間層とは異なるエラストマーからなる上層及び下層とから構成された３層構造を有し、前記上層及び下層の少なくとも一方は、インクと接触する層であって、剥離性表面を有するシリコーン系エラストマーからなることを特徴とする３層積層型のエラストマースタンプ。 （もっと読む）

【課題】電荷保持特性に優れた有機分子メモリを提供する。
【解決手段】実施の形態の有機分子メモリは、有機分子メモリは第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖を含み、抵抗変化型分子鎖または電荷蓄積型分子鎖が電子吸引基を備える有機分子層とを備えている。 （もっと読む）