【課題】動作波長を長波長化し得るとともに、利得異方性を十分に低減し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成され、格子定数が半導体基板の格子定数より大きい量子ドット２０と、量子ドットの側面に接するように半導体基板の上方に形成され、格子定数が、半導体基板の格子定数の０．７９倍〜１．００５倍の範囲内であり、量子ドットの格子定数より小さく、ヤング率が、半導体基板のヤング率より小さいサイドバリア層２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体リッジから来るキャリアの横広がりを低減可能な構造を有する窒化物半導体発光素子を提供できる。
【解決手段】｛２０−２１｝面上の半導体レーザではホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成される。二次元ホールガスを生成するヘテロ接合が、半導体リッジから外れて位置するとき、この二次元ホールガスは、ｐ側の半導体領域においてキャリアの横広がりを引き起こしている。一方、c面上の半導体レーザでは、ホールバンドにおいてこのヘテロ接合に二次元ホールガスが生成されない。ヘテロ接合ＨＪが半導体リッジに含まれるとき、半導体リッジから流れ出たキャリアには、二次元ホールガスの働きによる横広がりがない。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、III族元素を含む障壁層と、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向けた方向に前記障壁層と積層されIII族元素を含む井戸層と、を有する。前記障壁層を、前記ｎ形半導体層側の第１部分と、前記ｐ形半導体層側の第２部分と、に分けた場合、前記第２部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第１部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも低い。前記井戸層を、前記ｎ形半導体層側の第３部分と、前記ｐ形半導体層側の第４部分と、に分けた場合、前記第４部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比は、前記第３部分のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記ｐ形半導体層に近いｐ側障壁層は、III族元素を含む第１層と、前記第１層と積層されIII族元素を含む第２層であって、前記第２層のIII族元素中におけるＩｎ組成比が、前記第１層のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い、第２層と、を含む。前記ｐ側障壁層の平均Ｉｎ組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もｎ形半導体層に近いｎ側障壁層の平均Ｉｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物光放出デバイスにおいて、光放出層を含有するデバイス層は、デバイス中、特に光放出層中の歪みを減少させるように設計されたテンプレートの上に成長する。光放出デバイス中の歪みを減少させることでデバイスの性能を改良する。
【解決手段】デバイスは、基板１上の第１の実質的単一結晶層２と、第２の実質的単一結晶層６と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置された第３の実質的単一結晶層５と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置されるインジウムを含有する非単一結晶層３とを含有するＩＩＩ族窒化物構造を含む。 （もっと読む）

【課題】偏光度ＰＤを向上させる発光素子、及びそのような発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、中心波長λ、及び偏光度Ｐ_Ｄを有する光を発光するよう構成された発光領域を含むことができ、これらの中心波長λ及び偏光度Ｐ_Ｄは、２００ｎｍ≦λ≦４００ｎｍ、ｂ≦１．５に対してＰ_Ｄ＞０．００６λ−ｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層とＡｌＧａＡｓ系活性層を有する分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）半導体レーザにおいて、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成し、発振波長が安定で高出力の半導体レーザを得る。
【解決手段】 この発明の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層中にＡｌＧａＡｓ系の回折格子層を有し、分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、凹凸部が薄いＡｌＧａＡｓ系の回折格子埋め込み層により埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）