【課題】 ＤＰＤと２次高調波注入とを組み合わせた電力増幅器において、高効率且つ低歪で、広帯域信号のシステムに適用可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】 プッシュプル増幅器と、当該プッシュプル増幅器で発生する５次歪を補償する２次高調波を発生する２次高調波発生回路と、３次歪を補償するデジタルプリディストーション回路とを有し、プッシュプル増幅器が、基本波と２次高調波とを合成して増幅する第１，第２の増幅回路と、第１，第２の増幅回路から出力された信号中の２次高調波の位相を調整して他方の増幅回路における２次高調波を短絡させる可変位相器と、第１、第２の増幅回路から出力された信号中の基本波を逆相で合成する合成器とを備え、２次高調波注入により３次歪に影響を与えることなく５次歪を補償し、広帯域化を可能とする電力増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】トランスを用いて複数の増幅器対の出力を合成する電力増幅装置において、各増幅器対の差動動作のずれによって生じる出力の低下を抑制する。
【解決手段】電力増幅装置１１０は、基板上に全体で環状に設けられた複数の一次インダクタ７，８と、複数の増幅器対３〜６と、二次インダクタ９と、接続配線１０とを備える。各増幅器対は、対応の一次インダクタの両端に接続され、差動入力信号として与えられた一対の第１および第２の信号ＩＮ（＋），ＩＮ（−）をそれぞれ増幅して対応の一次インダクタに出力する。二次インダクタ９は、複数の一次インダクタ７，８に隣接して環状に設けられ、各一次インダクタで合成された第１および第２の信号の合成信号をさらに合成して出力する。接続配線１０は、基板上で複数の一次インダクタ７，８の内側に設けられ、各一次インダクタの中点ＭＰ１，ＭＰ２を互いに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】回路規模、消費電流が大きかった。
【解決手段】第１の電流経路は入力信号に応じて第１の電流を流す第１のトランジスタを有し、前記第２の電流経路は前記第１の電流に応じて前記第１の電流と逆相の第２の電流を流す第２のトランジスタと第１の抵抗と前記第１の抵抗の一端に接続され前記第１の抵抗の他端が制御端子に接続される第３のトランジスタとを有し、前記第３の電流経路は出力端子と前記入力信号に応じて前記第１の電流と同相の電流を流す第４のトランジスタと前記第１の抵抗と前記第３のトランジスタとの間の第１のノードの電位に応じて前記第２の電流と同相の電流を流す第５のトランジスタと、を有するプッシュプル増幅回路。 （もっと読む）

【課題】所定の振幅範囲でレベルが変化するＰＷＭ信号から振幅範囲の異なるＰＷＭ信号に変換するレベルシフト回路の簡単化を図る。
【解決手段】スイッチングアンプはオーディオ信号ＥｓをＰＷＭ信号に変換して出力するパルス幅変調回路１１の後段にシフトレベル回路１２が設けられる。パルス幅変調回路１１はＰＷＭ信号ＰsとＰＷＭ信号Ｐsに対して逆相関係のＰＷＭ信号Ｐs’を出力する出力端子ｏｕｔ１，ｏｕｔ２を有する。シフトレベル回路１２を抵抗Ｒ１、Ｐ型トランジスタＱ１、Ｎ型トランジスタＱ２および抵抗Ｒ２がこの順で直列接続された回路で構成し、この回路の両端を電源電圧＋Ｖ_B，−Ｖ_Bが入力される一対の電源端子に接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２のベースにパルス幅変調回路１１のｏｕｔ１を接続し、トランジスタＱ１，Ｑ２の接続点ｍにパルス幅変調回路１１のｏｕｔ２を接続する構成とした。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増大させずにインダクタンスを大きくすることができる増幅器及び無線機を提供すること。
【解決手段】増幅器が、基板と、前記基板上に配置され、入力信号を増幅して出力する第１〜第４の増幅部と、前記基板上に配線され、前記第１の増幅部の出力と前記第２の増幅部の出力、前記第２の増幅部の出力と前記第３の増幅部の出力、前記第３の増幅部の出力と前記第４の増幅部の出力、及び前記第４の増幅部の出力と前記第１の増幅部の出力とをそれぞれ接続し、少なくとも一つの蛇行部を備えた第１〜第４の誘導性線路と、前記第１〜第４の誘導性線路と磁界結合する第５の誘導性線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＴＶばらつきによる出力バッファ回路の出力電圧のばらつきを小さく抑えることができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳトランジスタ２３に対応してレプリカ回路３２と差動アンプ４１とを設ける。レプリカ回路３２は、テブナン終端回路５と外部信号配線４とＮＭＯＳトランジスタ２１、２３とからなる回路の複製であり、基準電圧ＶＲＥＦ１を生成する。差動アンプ４１は、ＮＭＯＳトランジスタ２１と共にノードＮ２６の電圧を制御する負帰還回路を構成する。ＰＴＶばらつきによりＮＭＯＳトランジスタ２３のしきい値が高くなると、ＮＭＯＳトランジスタ３７のしきい値も高くなり、ＮＭＯＳトランジスタ３７の能力も下がり、基準電圧ＶＲＥＦ１が低下し、ノード２６の電圧が低下し、Ｌ側出力電圧ＶＯＬが低下する。これにより、Ｌ側出力電圧ＶＯＬのばらつきを小さく抑える。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の周波数特性を広帯域化する。
【解決手段】それぞれが互いに異なる周波数（ｆ１−ｆｎ）で整合が取られた差動プッシュプル増幅器（ＰＡ１−ＰＡｎ）の出力を、二次インダクタ（Ｌ１２−Ｌｎ２）で共通に合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップ型の容量性負荷充放電回路における動作を安定させること。
【解決手段】容量性負荷の充放電回路は、充放電部と、蓄電素子と、基準電位設定部と、電荷放出部とを有する。充放電部は、容量性負荷の電位がアナログ信号の電位変化パターンに倣って変化するように容量性負荷に対する充放電を行う。蓄電素子は、電源部からの電流によって充電されるとともに容量性負荷に対する充電時の電流源となる。基準電位設定部は、アナログ信号の電位が閾値よりも高い場合に、蓄電素子が有する低電位側端子の電位を、第１基準電位から第１基準電位よりも高い第２基準電位に設定する。電荷放出部は、容量性負荷から充放電部を通じて流れ出た電荷を、低電位側端子を介さずに放出する。 （もっと読む）

【課題】小型で効率的なパッケージにおいて、無線周波電力を供給する高出力無線周波増幅器、を実現する。
【解決手段】高電力接地ドレイン共通ソースの無線周波増幅回路は高電圧ＭＯＳＦＥＴを利用する。入力の無線周波信号は接地に対して、２次巻線がゲートとソースとの間に信号を供給する絶縁変圧器を介して印加される。出力は、接地されたドレインに対してソースから得られる。各ＭＯＳＦＥＴダイの絶縁無線周波入力ドライブを伴う１３．５６ＭＨｚ ３ＫＷ電力増幅器の配置は１組のキロワット電力トランジスタすなわちＫＰＴを使用するが、そこでは多数の大面積ＭＯＳＦＥＴダイが存在し、ダイのドレイン領域はダイ下面の主要部分の上に形成される。ドレイン領域は導電性銅フランジと直接電気的及び熱的に接触している。ソース及びゲート領域は平坦な下面から離れたダイの上に形成される。 （もっと読む）

【課題】従来のツインウエルプロセスによるMOSトランジスタで実施し、支援電源を半減（ハーフAVDD）フレームの達成だけでなく、節電効果も達成でき、且つトリプルウエルプロセスのコストを省略できる出力段回路を提供する。
【解決手段】第一PMOSトランジスタ、第二PMOSトランジスタ、第一NMOSトランジスタ及び第二NMOSトランジスタを備える。第一NMOSトランジスタのソース極は第二中間電圧に接続し、バルクは第二仕事電圧と接続し、ゲート極は第三制御信号と接続する。第二NMOSトランジスタのソース極とバルクは第二仕事電圧に接続し、そのゲート極は第四制御信号と接続する。これらトランジスタはツインウエルプロセスにより製造され、これらトランジスタのドレインは互いに接続して出力端を形成し、いずれの時間においてもこれら制御信号のうち少なくとも一つがイネーブルされトランジスタの少なくとも一つを導電する。 （もっと読む）